Peralatan yang dikelola dengan baik, tim keuntungan yang ahli, dan produk serta layanan purna jual yang jauh lebih baik; Kami juga merupakan keluarga besar yang bersatu, setiap orang berpegang teguh pada nilai-nilai perusahaan "persatuan, dedikasi, toleransi" untuk Silikon Karbida RBSIC/SISIC Cantilever Paddle Berkualitas Tinggi yang Digunakan dalam Industri Fotovoltaik Surya. Kami dengan tulus menyambut mitra bisnis baik dari dalam maupun luar negeri, dan berharap dapat bekerja sama dengan Anda dalam jangka panjang!
Peralatan yang dikelola dengan baik, tim keuntungan yang ahli, dan produk serta layanan purna jual yang jauh lebih baik; Kami juga merupakan keluarga besar yang bersatu, setiap orang berpegang teguh pada nilai-nilai perusahaan "persatuan, dedikasi, toleransi" untukKeramik tahan api dan tungku keramik CinaUntuk memenuhi kebutuhan setiap pelanggan secara individual dengan layanan yang lebih sempurna dan produk berkualitas stabil, kami dengan hangat menyambut pelanggan dari seluruh dunia untuk mengunjungi kami, dan melalui kerja sama yang beragam, bersama-sama mengembangkan pasar baru dan menciptakan masa depan yang cemerlang!
Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk Semikonduktor Susceptor berfungsi untuk menahan dan memanaskan wafer semikonduktor selama pemrosesan termal. Susceptor terbuat dari material yang menyerap energi melalui induksi, konduksi, dan/atau radiasi serta memanaskan wafer. Ketahanan terhadap guncangan termal, konduktivitas termal, dan kemurniannya sangat penting untuk pemrosesan termal cepat (RTP). Grafit berlapis silikon karbida, silikon karbida (SiC), dan silikon (Si) umumnya digunakan untuk susceptor tergantung pada lingkungan termal dan kimia tertentu. PureSiC® CVD SiC dan ClearCarbon™ adalah material ultra-murni yang memberikan stabilitas termal, ketahanan korosi, dan daya tahan yang unggul. Deskripsi Produk
Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian dan ketahanan yang unggul terhadap atmosfer pengoksidasi.
CVD SiC atau CVI SiC diaplikasikan pada grafit untuk bagian-bagian dengan desain sederhana atau kompleks. Pelapisan dapat diaplikasikan dengan ketebalan yang bervariasi dan pada bagian-bagian yang sangat besar.
Keramik teknis merupakan pilihan alami untuk aplikasi pemrosesan termal semikonduktor termasuk RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), difusi, oksidasi, dan anil. CoorsTek menyediakan komponen material canggih yang dirancang khusus untuk menahan guncangan termal dengan kemurnian tinggi, kokoh, dan kinerja yang dapat diulang untuk suhu tinggi.
Fitur:
• Ketahanan terhadap Guncangan Termal yang Sangat Baik
• Ketahanan Guncangan Fisik yang Sangat Baik
• Ketahanan Kimia yang Sangat Baik
· Kemurnian Sangat Tinggi
• Tersedia dalam Bentuk yang Kompleks
• Dapat digunakan dalam lingkungan yang bersifat oksidatif
aplikasi:
Sebuah wafer perlu melewati beberapa tahapan sebelum siap digunakan dalam perangkat elektronik. Salah satu proses penting adalah epitaksi silikon, di mana wafer diletakkan di atas penyangga grafit. Sifat dan kualitas penyangga memiliki pengaruh penting terhadap kualitas lapisan epitaksi wafer.
Sifat-Sifat Khas Material Grafit Dasar:
| Kepadatan Tampak: | 1,85 g/cm3 |
| Resistivitas Listrik: | 11 μΩm |
| Kekuatan Lentur: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Kekerasan Shore: | 58 |
| Abu: | <5ppm |
| Konduktivitas Termal: | 116 W/mK (100 kkal/mhr-℃) |
Lebih Banyak Produk
