Dayung Kantilever RBSIC/SISIC Karbida Silikon Berkualitas Baik Digunakan dalam Industri Fotovoltaik Surya

Dayung Kantilever RBSIC/SISIC Karbida Silikon Berkualitas Baik yang Digunakan dalam Industri Fotovoltaik Tenaga Surya Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Keunggulan khusus dari susceptor grafit berlapis SiC kami meliputi kemurnian yang sangat tinggi, pelapisan yang homogen, dan masa pakai yang sangat baik. Mereka juga memiliki ketahanan kimia dan sifat stabilitas termal yang tinggi.

Kami mempertahankan toleransi yang sangat ketat saat menerapkan lapisan SiC, menggunakan pemesinan presisi tinggi untuk memastikan profil susceptor yang seragam. Kami juga memproduksi material dengan sifat resistansi listrik yang ideal untuk digunakan dalam sistem yang dipanaskan secara induktif. Semua komponen yang sudah jadi dilengkapi dengan sertifikat kemurnian dan kepatuhan dimensi..

Kirim email ke kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

Peralatan yang dijalankan dengan baik, kru yang ahli dalam menghasilkan keuntungan, dan produk serta layanan purna jual yang jauh lebih baik; Kami juga telah menjadi mitra utama yang bersatu, setiap orang berpegang teguh pada manfaat perusahaan "penyatuan, dedikasi, toleransi" untuk Dayung Kantilever RBSIC/SISIC Karbida Silikon Berkualitas Baik yang Digunakan dalam Industri Fotovoltaik Surya, Kami dengan tulus menyambut kedua mitra bisnis asing dan domestik, dan berharap dapat bekerja sama dengan Anda dalam waktu dekat hingga jangka panjang!
Alat yang dijalankan dengan baik, kru keuntungan ahli, dan produk serta layanan purna jual yang jauh lebih baik; Kami juga telah menjadi pasangan utama yang bersatu, setiap orang berpegang pada manfaat perusahaan "penyatuan, dedikasi, toleransi" untukKeramik tahan api dan tungku keramik Cina, Untuk memenuhi kebutuhan pelanggan perorangan tertentu demi layanan yang lebih sempurna dan barang-barang berkualitas stabil. Kami dengan hangat menyambut pelanggan di seluruh dunia untuk mengunjungi kami, dengan kerja sama kami yang beragam, dan bersama-sama mengembangkan pasar baru, menciptakan masa depan yang cemerlang!

Pelapisan SiC/pelapisan substrat Grafit untuk Semikonduktor

Susceptor menahan dan memanaskan wafer semikonduktor selama pemrosesan termal. Susceptor terbuat dari material yang menyerap energi melalui induksi, konduksi, dan/atau radiasi dan memanaskan wafer. Ketahanan terhadap guncangan termal, konduktivitas termal, dan kemurniannya sangat penting untuk pemrosesan termal cepat (RTP). Grafit berlapis silikon karbida, silikon karbida (SiC), dan silikon (Si) umumnya digunakan untuk susceptor tergantung pada lingkungan termal dan kimia tertentu. Material ultra-murni PureSiC® CVD SiC dan ClearCarbon™ yang memberikan stabilitas termal, ketahanan korosi, dan daya tahan yang unggul.

Deskripsi Produk

Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian unggul dan ketahanan terhadap atmosfer pengoksidasi.
CVD SiC atau CVI SiC diaplikasikan pada Grafit dengan desain sederhana atau rumit. Pelapisan dapat diaplikasikan dalam berbagai ketebalan dan pada komponen yang sangat besar.

Pelapisan SiC/pelapisan substrat Grafit untuk Semikonduktor

Keramik teknis merupakan pilihan alami untuk aplikasi pemrosesan termal semikonduktor termasuk RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), difusi, oksidasi, dan annealing. CoorsTek menyediakan komponen material canggih yang dirancang khusus untuk menahan guncangan termal dengan kinerja yang sangat murni, kokoh, dan dapat diulang untuk suhu tinggi.

Fitur:
· Tahan Guncangan Termal yang Sangat Baik
· Ketahanan Fisik yang Sangat Baik terhadap Guncangan
· Ketahanan Kimia yang Sangat Baik
· Kemurnian Super Tinggi
· Ketersediaan dalam Bentuk Kompleks
· Dapat digunakan dalam suasana pengoksidasi

aplikasi:

Wafer perlu melewati beberapa langkah sebelum siap digunakan dalam perangkat elektronik. Salah satu proses penting adalah epitaksi silikon, di mana wafer dibawa pada susceptor grafit. Sifat dan kualitas susceptor memiliki pengaruh penting pada kualitas lapisan epitaksial wafer.

Sifat Khas Material Dasar Grafit:

Kepadatan Tampak:	1,85 gram/cm3
Resistivitas Listrik:	11 mikron
Kekuatan Lentur:	Tekanan 49MPa (500kgf/cm2)
Kekerasan Pantai:	58
Abu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mjam-℃)