Magandang kalidad na Silicon Carbide RBSIC/SISIC Cantilever Paddle na Ginagamit sa Industriya ng Solar Photovoltaic

Maikling Paglalarawan:

Ang mga espesyal na bentahe ng aming SiC-coated graphite susceptors ay kinabibilangan ng napakataas na kadalisayan, homogenous coating, at mahusay na buhay ng serbisyo. Mayroon din silang mataas na kemikal na resistensya at thermal stability properties.

Pinapanatili namin ang napakalapit na mga tolerance kapag naglalapat ng SiC coating, gamit ang high-precision machining upang matiyak ang pare-parehong susceptor profile. Gumagawa rin kami ng mga materyales na may mainam na electrical resistance properties para magamit sa mga inductively heated system. Ang lahat ng natapos na bahagi ay may kasamang purity at dimensional compliance certificate..

Magpadala ng email sa amin I-download bilang PDF

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Mga kagamitang mahusay ang pagpapatakbo, ekspertong pangkat ng mga namumuhunan, at mas mahuhusay na produkto at serbisyo pagkatapos ng benta; Isa rin kaming nagkakaisang pangunahing mag-asawa, bawat isa ay nananatili sa kompanya na nakatuon sa "pag-iisa, dedikasyon, at pagpaparaya" para sa de-kalidad na Silicon Carbide RBSIC/SISIC Cantilever Paddle na Ginagamit sa Industriya ng Solar Photovoltaic. Taos-puso naming tinatanggap ang dalawang dayuhan at lokal na kasosyo sa negosyo, at umaasa kaming makipagtulungan sa inyo sa malapit na hinaharap!
Mga kagamitang mahusay ang pagpapatakbo, ekspertong pangkat ng kita, at mas mahusay na mga produkto at serbisyo pagkatapos ng benta; Isa rin kaming nagkakaisang pangunahing asawa at mga anak, bawat isa ay sumusunod sa benepisyo ng kumpanya na "pagkakaisa, dedikasyon, pagpaparaya" para saTsina na Refractory ceramic at ceramic kiln, Upang matugunan ang mga pangangailangan ng mga partikular na customer para sa bawat mas perpektong serbisyo at matatag na kalidad ng mga produkto. Malugod naming tinatanggap ang mga customer sa buong mundo na bumisita sa amin, sa aming maraming aspeto ng kooperasyon, at sama-samang bumuo ng mga bagong merkado, lumikha ng isang napakagandang kinabukasan!

SiC coating/coated ng Graphite substrate para sa Semiconductor

Ang mga susceptor ang humahawak at nagpapainit sa mga semiconductor wafer habang pinoproseso ang init. Ang susceptor ay gawa sa isang materyal na sumisipsip ng enerhiya sa pamamagitan ng induction, conduction, at/o radiation at nagpapainit sa wafer. Ang resistensya nito sa thermal shock, thermal conductivity, at kadalisayan ay mahalaga sa mabilis na thermal processing (RTP). Ang graphite na pinahiran ng silicone carbide, silicon carbide (SiC), at silicon (Si) ay karaniwang ginagamit para sa mga susceptor depende sa partikular na thermal at kemikal na kapaligiran. Ang PureSiC® CVD SiC at ClearCarbon™ ultra-pure na materyal na naghahatid ng superior thermal stability, corrosion resistance, at tibay.

Paglalarawan ng Produkto

Ang SiC coating ng Graphite substrate para sa mga aplikasyon ng Semiconductor ay nakakagawa ng bahaging may superior na kadalisayan at resistensya sa oxidizing atmosphere.
Ang CVD SiC o CVI SiC ay inilalapat sa Graphite ng mga simple o kumplikadong disenyo ng mga bahagi. Ang patong ay maaaring ilapat sa iba't ibang kapal at sa napakalaking mga bahagi.

SiC coating/coated ng Graphite substrate para sa Semiconductor

Ang mga teknikal na seramika ay isang natural na pagpipilian para sa mga aplikasyon ng semiconductor thermal processing kabilang ang RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), diffusion, oxidation, at annealing. Nagbibigay ang CoorsTek ng mga advanced na bahagi ng materyal na partikular na idinisenyo upang mapaglabanan ang mga thermal shock na may mataas na kadalisayan, matibay, at paulit-ulit na pagganap para sa mataas na temperatura.

Mga Tampok:
· Napakahusay na Paglaban sa Thermal Shock
· Napakahusay na Pisikal na Paglaban sa Pagkabigla
· Napakahusay na Paglaban sa Kemikal
· Napakataas na Kadalisayan
· Availability sa Complex na Hugis
· Magagamit sa ilalim ng Oxidizing Atmosphere

aplikasyon：

Ang isang wafer ay kailangang dumaan sa ilang hakbang bago ito maging handa para sa paggamit sa mga elektronikong aparato. Ang isang mahalagang proseso ay ang silicon epitaxy, kung saan ang mga wafer ay dinadala sa mga graphite susceptor. Ang mga katangian at kalidad ng mga susceptor ay may mahalagang epekto sa kalidad ng epitaxial layer ng wafer.

Karaniwang mga Katangian ng Materyal na Base Graphite:

Tila Densidad:	1.85 g/cm3
Resistivity ng Elektrisidad:	11 μΩm
Lakas ng Pagbaluktot:	49 MPa (500kgf/cm2)
Katigasan ng Baybayin:	58
Abo:	<5ppm
Konduktibidad ng Termal:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)