Hochwertiges RBSIC/SISIC-Freiträgerpaddel aus Siliziumkarbid für die Photovoltaikindustrie

Hochwertiges Siliziumkarbid-RBSIC/SISIC-Freiträgerpaddel für die Verwendung in der Solar-Photovoltaik-Industrie. Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind ihre extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und hervorragende Lebensdauer. Zudem zeichnen sie sich durch eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität aus.

Wir halten beim Auftragen der SiC-Beschichtung sehr enge Toleranzen ein und nutzen hochpräzise Bearbeitung, um ein gleichmäßiges Suszeptorprofil zu gewährleisten. Darüber hinaus produzieren wir Materialien mit idealen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßhaltigkeitszertifikat geliefert..

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Produktdetail

Produkt Tags

Gut funktionierende Werkzeuge, ein erfahrenes Vertriebsteam und bessere After-Sales-Produkte und -Dienstleistungen. Wir sind außerdem ein vereintes Hauptehepaar, und jeder hält sich an die Unternehmensziele „Vereinigung, Hingabe, Toleranz“ für hochwertige Siliziumkarbid-RBSIC/SISIC-Auslegerpaddel, die in der Solar-Photovoltaik-Industrie verwendet werden. Wir heißen die beiden ausländischen und inländischen Geschäftspartner herzlich willkommen und hoffen, in naher Zukunft mit Ihnen zusammenzuarbeiten!
Gut geführte Werkzeuge, Experten-Verkaufsteam und viel bessere After-Sales-Produkte und -Dienstleistungen; Wir sind auch ein einheitlicher Hauptpartner und Kinder, jeder hält sich an den Unternehmensvorteil „Vereinigung, Engagement, Toleranz“ fürChina Feuerfeste Keramik und Keramikofen, Um die Anforderungen einzelner Kunden nach jedem noch perfekteren Service und stabileren Qualitätsprodukten zu erfüllen. Wir heißen Kunden auf der ganzen Welt herzlich willkommen, uns zu besuchen und mit unserer vielseitigen Zusammenarbeit gemeinsam neue Märkte zu erschließen und eine glänzende Zukunft zu schaffen!

SiC-Beschichtung/Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiter

Suszeptoren halten und erhitzen Halbleiterwafer während der thermischen Verarbeitung. Ein Suszeptor besteht aus einem Material, das Energie durch Induktion, Leitung und/oder Strahlung absorbiert und den Wafer erhitzt. Seine Thermoschockbeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Reinheit sind entscheidend für die schnelle thermische Verarbeitung (RTP). Je nach thermischer und chemischer Umgebung werden üblicherweise mit Siliziumkarbid beschichteter Graphit, Siliziumkarbid (SiC) und Silizium (Si) für Suszeptoren verwendet. PureSiC® CVD SiC und ClearCarbon™ sind ultrareine Materialien mit überlegener thermischer Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und Langlebigkeit.

Produktbeschreibung

Durch die SiC-Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiteranwendungen entsteht ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von einfachen oder komplexen Konstruktionsteilen aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Dicken und auf sehr große Teile aufgetragen werden.

SiC-Beschichtung/Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiter

Technische Keramik ist eine naheliegende Wahl für thermische Halbleiterverarbeitungsanwendungen, einschließlich RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), Diffusion, Oxidation und Glühen. CoorsTek bietet fortschrittliche Materialkomponenten, die speziell für die Beständigkeit gegen Thermoschocks entwickelt wurden und eine hochreine, robuste und wiederholbare Leistung für Hochtemperaturanwendungen bieten.

Merkmale:
· Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
· Hervorragende physikalische Stoßfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre

Anwendung:

Ein Wafer durchläuft mehrere Schritte, bevor er für den Einsatz in elektronischen Geräten bereit ist. Ein wichtiger Prozess ist die Siliziumepitaxie, bei der die Wafer auf Graphitsuszeptoren aufgebracht werden. Die Eigenschaften und die Qualität der Suszeptoren haben entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers.

Typische Eigenschaften des Graphit-Basismaterials:

Scheinbare Dichte:	1,85 g/cm³
Elektrischer Widerstand:	11 μΩm
Biegefestigkeit:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Shore-Härte:	58
Asche:	<5 ppm
Wärmeleitfähigkeit:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)