Paletta a sbalzo in carburo di silicio RBSIC/SISIC di buona qualità utilizzata nell'industria solare fotovoltaica

Immagine in evidenza: pala a sbalzo in carburo di silicio RBSIC/SISIC di buona qualità utilizzata nel settore solare fotovoltaico

Breve descrizione:

I vantaggi specifici dei nostri suscettori in grafite rivestiti in SiC includono l'elevatissima purezza, il rivestimento omogeneo e un'eccellente durata. Offrono inoltre un'elevata resistenza chimica e stabilità termica.

Manteniamo tolleranze molto strette durante l'applicazione del rivestimento in SiC, utilizzando lavorazioni meccaniche ad alta precisione per garantire un profilo del suscettore uniforme. Produciamo inoltre materiali con proprietà di resistenza elettrica ideali per l'impiego in sistemi a riscaldamento induttivo. Tutti i componenti finiti sono corredati da un certificato di purezza e conformità dimensionale..

Inviaci un'email Scarica come PDF

Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Strumenti ben funzionanti, personale esperto in profitti e prodotti e servizi post-vendita molto migliori; siamo anche una grande famiglia unita, tutti aderiscono al vantaggio aziendale di "unione, dedizione, tolleranza" per la pala a sbalzo in carburo di silicio RBSIC/SISIC di buona qualità utilizzata nel settore solare fotovoltaico. Diamo un sincero benvenuto ai due partner commerciali nazionali e stranieri e speriamo di collaborare con voi nel prossimo e lungo termine!
Strumenti ben funzionanti, personale esperto in profitti e prodotti e servizi post-vendita molto migliori; siamo anche una grande famiglia unita, tutti aderiscono al vantaggio aziendale "unione, dedizione, tolleranza" perCina Forno per ceramica e ceramica refrattariaPer soddisfare le esigenze di ogni singolo cliente, offrendo un servizio sempre più impeccabile e prodotti di qualità costante. Invitiamo calorosamente i clienti di tutto il mondo a visitarci, grazie alla nostra cooperazione multiforme, allo sviluppo congiunto di nuovi mercati e alla creazione di un futuro brillante!

Rivestimento in SiC/rivestimento di substrato in grafite per semiconduttori

I suscettori trattengono e riscaldano i wafer semiconduttori durante il processo termico. Un suscettore è costituito da un materiale che assorbe energia per induzione, conduzione e/o radiazione e riscalda il wafer. La sua resistenza agli shock termici, la conduttività termica e la purezza sono fondamentali per il processo termico rapido (RTP). La grafite rivestita in carburo di silicio, il carburo di silicio (SiC) e il silicio (Si) sono comunemente utilizzati per i suscettori, a seconda dello specifico ambiente termico e chimico. PureSiC® CVD SiC e ClearCarbon™ sono materiali ultra puri che offrono stabilità termica, resistenza alla corrosione e durata superiori.

Descrizione del prodotto

Il rivestimento in SiC del substrato di grafite per applicazioni di semiconduttori produce un componente con purezza superiore e resistenza all'atmosfera ossidante.
Il rivestimento CVD SiC o CVI SiC viene applicato alla grafite di componenti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in spessori variabili e su componenti di grandi dimensioni.

Rivestimento in SiC/rivestimento di substrato in grafite per semiconduttori

La ceramica tecnica è la scelta ideale per le applicazioni di trattamento termico dei semiconduttori, tra cui RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitassiale), diffusione, ossidazione e ricottura. CoorsTek fornisce componenti in materiali avanzati specificamente progettati per resistere agli shock termici, con prestazioni di elevata purezza, robustezza e ripetibilità per alte temperature.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza fisica agli urti
· Eccellente resistenza chimica
· Super elevata purezza
· Disponibilità in forma complessa
· Utilizzabile in atmosfera ossidante

applicazione:

Un wafer deve passare attraverso diverse fasi prima di essere pronto per l'uso nei dispositivi elettronici. Un processo importante è l'epitassia al silicio, in cui i wafer sono trasportati su suscettori di grafite. Le proprietà e la qualità dei suscettori hanno un effetto cruciale sulla qualità dello strato epitassiale del wafer.

Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:

Densità apparente:	1,85 g/cm3
Resistività elettrica:	11 μΩm
Resistenza alla flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Cenere:	<5 ppm
Conduttività termica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)