Paletta a sbalzo in carburo di silicio RBSIC/SISIC di alta qualità, utilizzata nell'industria fotovoltaica.

Breve descrizione:

I vantaggi specifici dei nostri suscettori in grafite rivestiti in SiC includono un'elevatissima purezza, un rivestimento omogeneo e un'eccellente durata. Presentano inoltre un'elevata resistenza chimica e stabilità termica.

Durante l'applicazione del rivestimento in SiC, manteniamo tolleranze molto ristrette, utilizzando lavorazioni di alta precisione per garantire un profilo uniforme del suscettore. Produciamo inoltre materiali con proprietà di resistenza elettrica ideali per l'impiego in sistemi di riscaldamento a induzione. Tutti i componenti finiti sono accompagnati da un certificato di purezza e conformità dimensionale..

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Strumenti ben gestiti, team di esperti nella gestione dei profitti e prodotti e servizi post-vendita di qualità superiore; siamo anche un'azienda unita, dove ognuno di noi si attiene ai valori aziendali di "unione, dedizione e tolleranza" per le palette a sbalzo in carburo di silicio RBSIC/SISIC di alta qualità utilizzate nell'industria fotovoltaica. Diamo il benvenuto ai partner commerciali, sia nazionali che esteri, e speriamo di collaborare con voi nel prossimo futuro!
Strumenti ben gestiti, team di esperti in profitti e prodotti e servizi post-vendita molto migliori; siamo stati anche un coniuge e figli principali unificati, ogni persona si attiene al vantaggio aziendale "unificazione, dedizione, tolleranza" perCeramica refrattaria e forno per ceramica in CinaPer soddisfare le esigenze specifiche di ogni singolo cliente, offriamo un servizio sempre più impeccabile e prodotti di qualità costante. Diamo un caloroso benvenuto ai clienti di tutto il mondo che desiderano visitarci e, grazie alla nostra collaborazione a 360 gradi, sviluppare insieme nuovi mercati e costruire un futuro brillante!

Rivestimento in SiC/rivestito del substrato di grafite per semiconduttori

I suscettori mantengono e riscaldano i wafer di semiconduttori durante il processo termico. Un suscettore è costituito da un materiale che assorbe energia per induzione, conduzione e/o irraggiamento e riscalda il wafer. La sua resistenza agli shock termici, la conduttività termica e la purezza sono fondamentali per il processo termico rapido (RTP). Il carburo di silicio rivestito di grafite, il carburo di silicio (SiC) e il silicio (Si) sono comunemente utilizzati per i suscettori a seconda dello specifico ambiente termico e chimico. PureSiC® CVD SiC e ClearCarbon™ sono materiali ultrapuri che offrono stabilità termica, resistenza alla corrosione e durata superiori.

Descrizione del prodotto

Il rivestimento in SiC del substrato di grafite per applicazioni nel settore dei semiconduttori produce un componente con purezza superiore e resistenza all'atmosfera ossidante.
Il rivestimento in SiC CVD o CVI viene applicato alla grafite di componenti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in spessori variabili e anche su componenti di grandi dimensioni.

Rivestimento in SiC/rivestito del substrato di grafite per semiconduttori

Le ceramiche tecniche sono una scelta naturale per le applicazioni di trattamento termico dei semiconduttori, tra cui RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitassiale), diffusione, ossidazione e ricottura. CoorsTek fornisce componenti in materiale avanzato specificamente progettati per resistere agli shock termici con elevata purezza, robustezza e prestazioni ripetibili per alte temperature.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli urti fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza elevatissima
· Disponibilità in forme complesse
· Utilizzabile in atmosfera ossidante

applicazione:

Un wafer deve passare attraverso diverse fasi prima di essere pronto per l'uso nei dispositivi elettronici. Un processo importante è l'epitassia del silicio, in cui i wafer vengono trasportati su supporti di grafite. Le proprietà e la qualità dei supporti hanno un effetto cruciale sulla qualità dello strato epitassiale del wafer.

Proprietà tipiche del materiale base in grafite:

Densità apparente:	1,85 g/cm³
Resistività elettrica:	11 μΩm
Resistenza alla flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Cenere:	<5 ppm
Conduttività termica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)