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सेमीकंडक्टर के लिए ग्रेफाइट सब्सट्रेट का SiC लेपन/लेपन थर्मल प्रोसेसिंग के दौरान ससेप्टर सेमीकंडक्टर वेफ़र को पकड़ते हैं और गर्म करते हैं। ससेप्टर एक ऐसी सामग्री से बना होता है जो प्रेरण, चालन और/या विकिरण द्वारा ऊर्जा को अवशोषित करता है और वेफ़र को गर्म करता है। इसका थर्मल शॉक प्रतिरोध, थर्मल चालकता और शुद्धता रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP) के लिए महत्वपूर्ण है। सिलिकॉन कार्बाइड लेपित ग्रेफाइट, सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), और सिलिकॉन (Si) आमतौर पर विशिष्ट थर्मल और रासायनिक वातावरण के आधार पर ससेप्टर के लिए उपयोग किए जाते हैं। PureSiC® CVD SiC और ClearCarbon™ अल्ट्रा-शुद्ध सामग्री जो बेहतर थर्मल स्थिरता, संक्षारण प्रतिरोध और स्थायित्व प्रदान करती है। उत्पाद वर्णन
सेमीकंडक्टर अनुप्रयोगों के लिए ग्रेफाइट सब्सट्रेट की SiC कोटिंग बेहतर शुद्धता और ऑक्सीकरण वातावरण के प्रति प्रतिरोध के साथ एक भाग का उत्पादन करती है।
CVD SiC या CVI SiC को सरल या जटिल डिज़ाइन वाले भागों के ग्रेफाइट पर लगाया जाता है। कोटिंग को अलग-अलग मोटाई में और बहुत बड़े भागों पर लगाया जा सकता है।
तकनीकी सिरेमिक आरटीपी (रैपिड थर्मल प्रोसेसिंग), एपी (एपिटैक्सियल), प्रसार, ऑक्सीकरण और एनीलिंग सहित अर्धचालक थर्मल प्रसंस्करण अनुप्रयोगों के लिए एक प्राकृतिक विकल्प हैं। कूर्सटेक उन्नत सामग्री घटक प्रदान करता है जो विशेष रूप से उच्च तापमान के लिए उच्च शुद्धता, मजबूत, दोहराए जाने योग्य प्रदर्शन के साथ थर्मल झटकों का सामना करने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं
विशेषताएँ:
· उत्कृष्ट थर्मल शॉक प्रतिरोध
· उत्कृष्ट शारीरिक आघात प्रतिरोध
· उत्कृष्ट रासायनिक प्रतिरोध
· अति उच्च शुद्धता
· जटिल आकार में उपलब्धता
· ऑक्सीकरण वातावरण में प्रयोग योग्य
आवेदन पत्र:
इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग के लिए तैयार होने से पहले एक वेफर को कई चरणों से गुजरना पड़ता है। एक महत्वपूर्ण प्रक्रिया सिलिकॉन एपिटेक्सी है, जिसमें वेफर्स को ग्रेफाइट ससेप्टर्स पर ले जाया जाता है। ससेप्टर्स के गुण और गुणवत्ता का वेफर की एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता पर महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ता है।
बेस ग्रेफाइट सामग्री के विशिष्ट गुण:
| स्पष्ट घनत्व: | 1.85 ग्राम/सेमी3 |
| विद्युत प्रतिरोधकता: | 11 माइक्रोन |
| फ्लेक्सुरल ताकत: | 49 एमपीए (500किग्रा/सेमी2) |
| किनारों का कड़ापन: | 58 |
| राख: | <5पीपीएम |
| ऊष्मीय चालकता: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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