Pá cantilever RBSIC/SISIC de carboneto de silício de boa qualidade usada na indústria solar fotovoltaica

Pá cantilever RBSIC/SISIC de carboneto de silício de boa qualidade usada na indústria fotovoltaica solar Imagem em destaque

Descrição curta:

As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

Mantemos tolerâncias muito rigorosas na aplicação do revestimento de SiC, utilizando usinagem de alta precisão para garantir um perfil susceptor uniforme. Também produzimos materiais com propriedades ideais de resistência elétrica para uso em sistemas aquecidos por indução. Todos os componentes acabados possuem um certificado de pureza e conformidade dimensional..

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Ferramentas bem administradas, equipe de lucros especializada e produtos e serviços de pós-venda muito melhores; Também somos uma grande empresa unificada, todos seguem o princípio de "unificação, dedicação e tolerância" para pás cantilever RBSIC/SISIC de carboneto de silício de alta qualidade usadas na indústria solar fotovoltaica. Damos as boas-vindas aos parceiros empresariais nacionais e estrangeiros e esperamos trabalhar com você em um futuro próximo!
Ferramentas bem administradas, equipe de lucros especializada e produtos e serviços pós-venda muito melhores; Também somos uma família principal unificada, todos seguem o benefício da empresa “unificação, dedicação, tolerância” paraForno cerâmico refratário e de cerâmica da ChinaPara atender às necessidades de clientes individuais, oferecendo um serviço ainda mais perfeito e produtos de qualidade estável. Damos as boas-vindas a clientes de todo o mundo para nos visitarem, com nossa cooperação multifacetada, e juntos desenvolvermos novos mercados, criando um futuro brilhante!

Revestimento de SiC/revestimento de substrato de grafite para semicondutores

Susceptores retêm e aquecem wafers semicondutores durante o processamento térmico. Um susceptor é feito de um material que absorve energia por indução, condução e/ou radiação e aquece o wafer. Sua resistência ao choque térmico, condutividade térmica e pureza são essenciais para o processamento térmico rápido (RTP). Grafite revestido com carboneto de silício, carboneto de silício (SiC) e silício (Si) são comumente usados para susceptores, dependendo do ambiente térmico e químico específico. PureSiC® CVD SiC e ClearCarbon™, materiais ultrapuros que oferecem estabilidade térmica, resistência à corrosão e durabilidade superiores.

Descrição do produto

O revestimento de SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
O SiC CVD ou SiC CVI é aplicado ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em espessuras variadas e em peças muito grandes.

Revestimento de SiC/revestimento de substrato de grafite para semicondutores

Cerâmicas técnicas são uma escolha natural para aplicações de processamento térmico de semicondutores, incluindo RTP (Processamento Térmico Rápido), Epi (Epitaxial), difusão, oxidação e recozimento. A CoorsTek fornece componentes de materiais avançados, projetados especificamente para suportar choques térmicos com desempenho de alta pureza, robustez e repetibilidade para altas temperaturas.

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência física ao choque
· Excelente resistência química
· Super Alta Pureza
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável em atmosfera oxidante

aplicativo:

Um wafer precisa passar por várias etapas antes de estar pronto para uso em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício, na qual os wafers são transportados por susceptores de grafite. As propriedades e a qualidade dos susceptores têm um efeito crucial na qualidade da camada epitaxial do wafer.

Propriedades típicas do material de grafite base:

Densidade aparente:	1,85 g/cm3
Resistividade elétrica:	11 μΩm
Resistência à flexão:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Dureza Shore:	58
Cinzas:	<5 ppm
Condutividade térmica:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)