Paletă cantilever din carbură de siliciu RBSIC/SISIC de bună calitate, utilizată în industria fotovoltaică solară

Scurtă descriere:

Avantajele speciale ale susceptorilor noștri de grafit acoperiți cu SiC includ puritatea extrem de ridicată, acoperirea omogenă și o durată de viață excelentă. De asemenea, au proprietăți ridicate de rezistență chimică și stabilitate termică.

Menținem toleranțe foarte strânse la aplicarea stratului de SiC, utilizând prelucrare de înaltă precizie pentru a asigura un profil uniform al susceptorului. De asemenea, producem materiale cu proprietăți ideale de rezistență electrică pentru utilizarea în sisteme încălzite inductiv. Toate componentele finite sunt însoțite de un certificat de puritate și conformitate dimensională..

Trimiteți-ne un e-mail Descărcați ca PDF

Detalii produs

Etichete de produs

Instrumente bine administrate, echipă de profit expertă și produse și servicii post-vânzare mult mai bune; Suntem, de asemenea, o familie majoră unită, fiecare persoană respectă principiile companiei „unificare, dedicare, toleranță” pentru palete cantilever din carbură de siliciu RBSIC/SISIC de bună calitate utilizate în industria fotovoltaică solară. Salutăm cu sinceritate ambii parteneri comerciali străini și interni și sperăm să colaborăm cu dumneavoastră în viitor!
Instrumente bine administrate, echipă de profit expertă și produse și servicii post-vânzare mult mai bune; Suntem, de asemenea, o familie majoră unită, fiecare persoană respectă principiile companiei: „unitate, dedicare, toleranță”.Cuptor ceramică și ceramică refractară din ChinaPentru a satisface cerințele clienților individuali pentru servicii cât mai perfecte și produse de calitate stabilă. Îi primim cu căldură pe clienții din întreaga lume să ne viziteze, prin intermediul cooperării noastre multilaterale și prin dezvoltarea împreună a unor noi piețe, creând un viitor strălucit!

Acoperire/acoperire cu SiC a substratului de grafit pentru semiconductori

Susceptorii susțin și încălzesc napolitanele semiconductoare în timpul procesării termice. Un susceptor este fabricat dintr-un material care absoarbe energia prin inducție, conducție și/sau radiație și încălzește napolitana. Rezistența la șocuri termice, conductivitatea termică și puritatea sa sunt esențiale pentru procesarea termică rapidă (RTP). Grafitul acoperit cu carbură de siliciu, carbura de siliciu (SiC) și siliciul (Si) sunt utilizate în mod obișnuit pentru susceptori, în funcție de mediul termic și chimic specific. PureSiC® CVD SiC și ClearCarbon™ sunt materiale ultrapure care oferă stabilitate termică superioară, rezistență la coroziune și durabilitate.

Descriere produs

Acoperirea cu SiC a substratului de grafit pentru aplicații în semiconductori produce o piesă cu puritate superioară și rezistență la atmosfera oxidantă.
CVD SiC sau CVI SiC se aplică pe grafit, în piese cu design simplu sau complex. Acoperirea poate fi aplicată în diferite grosimi și pe piese foarte mari.

Acoperire/acoperire cu SiC a substratului de grafit pentru semiconductori

Ceramica tehnică este o alegere naturală pentru aplicațiile de procesare termică a semiconductorilor, inclusiv RTP (procesare termică rapidă), Epi (epitaxială), difuzie, oxidare și recoacere. CoorsTek oferă componente avansate din materiale special concepute pentru a rezista la șocuri termice, cu puritate ridicată, performanțe robuste și repetabile pentru temperaturi ridicate.

Caracteristici:
· Rezistență excelentă la șocuri termice
· Rezistență excelentă la șocuri fizice
· Rezistență chimică excelentă
· Puritate Super Înaltă
· Disponibilitate în forme complexe
· Utilizabil în atmosferă oxidantă

aplicație:

O plachetă trebuie să treacă prin mai multe etape înainte de a fi gata de utilizare în dispozitive electronice. Un proces important este epitaxia siliciului, în care plachetele sunt purtate pe susceptori de grafit. Proprietățile și calitatea susceptorilor au un efect crucial asupra calității stratului epitaxial al plachetei.

Proprietăți tipice ale materialului de grafit de bază:

Densitate aparentă:	1,85 g/cm³
Rezistență electrică:	11 μΩm
Rezistență la încovoiere:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Duritate Shore:	58
Frasin:	<5 ppm
Conductivitate termică:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)