Високоякісна консольна лопатка з карбіду кремнію RBSIC/SISIC, що використовується в сонячній фотоелектричній промисловості

Короткий опис:

Особливими перевагами наших графітових токсцепторів з покриттям SiC є надзвичайно висока чистота, однорідне покриття та чудовий термін служби. Вони також мають високу хімічну стійкість та термостабільність.

Ми дотримуємося дуже жорстких допусків під час нанесення покриття SiC, використовуючи високоточну обробку для забезпечення рівномірного профілю токоприймача. Ми також виробляємо матеріали з ідеальними властивостями електричного опору для використання в системах індукційного нагріву. Всі готові компоненти постачаються з сертифікатом чистоти та відповідності розмірам..

Надіслати нам електронного листа Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги продукту

Добре керовані інструменти, команда експертів з прибутковості та набагато кращі післяпродажні продукти та послуги; Ми також є єдиною великою родиною, кожна людина дотримується переваг компанії «єдність, відданість, толерантність» для високоякісної консольної лопаті з карбіду кремнію RBSIC/SISIC, що використовується в сонячній фотоелектричній промисловості. Ми щиро вітаємо двох іноземних та вітчизняних бізнес-партнерів і сподіваємося на співпрацю з вами в найближчій перспективі!
Добре керовані інструменти, команда експертів з прибутковості та набагато кращі післяпродажні продукти та послуги; Ми також були єдиною великою родиною, кожна людина дотримується переваг компанії «єдність, відданість, толерантність» дляКитайська вогнетривка керамічна та керамічна піч, Щоб задовольнити потреби окремих клієнтів щодо ще більш досконалого обслуговування та стабільно якісних товарів. Ми щиро вітаємо клієнтів з усього світу, щоб відвідати нас, завдяки нашій багатогранній співпраці та спільному розвитку нових ринків, створюємо блискуче майбутнє!

SiC-покриття/покриття з графітової підкладки для напівпровідників

Сусцептори утримують та нагрівають напівпровідникові пластини під час термічної обробки. Сусцептор виготовлений з матеріалу, який поглинає енергію шляхом індукції, провідності та/або випромінювання та нагріває пластину. Його термостійкість, теплопровідність та чистота мають вирішальне значення для швидкої термічної обробки (RTP). Графіт з покриттям з карбіду кремнію, карбід кремнію (SiC) та кремній (Si) зазвичай використовуються для сусцепторів залежно від конкретного термічного та хімічного середовища. PureSiC® CVD SiC та ClearCarbon™ — надчистий матеріал, який забезпечує чудову термічну стабільність, корозійну стійкість та довговічність.

Опис продукту

Покриття SiC графітової підкладки для напівпровідникових застосувань забезпечує виріб з підвищеною чистотою та стійкістю до окислювального середовища.
CVD SiC або CVI SiC наноситься на графіт простих або складних конструкційних деталей. Покриття можна наносити різною товщиною та на дуже великі деталі.

SiC-покриття/покриття з графітової підкладки для напівпровідників

Технічна кераміка є природним вибором для термічної обробки напівпровідників, включаючи швидку термічну обробку (RTP), епітаксіальну обробку (Epi), дифузію, окислення та відпал. CoorsTek пропонує передові матеріали, спеціально розроблені для витримування термічних ударів з високою чистотою, міцністю та повторюваними характеристиками для високих температур.

Особливості:
· Відмінна стійкість до теплових ударів
· Відмінна стійкість до фізичних ударів
· Відмінна хімічна стійкість
· Надвисока чистота
· Наявність складної форми
· Придатний для використання в окислювальній атмосфері

застосування：

Пластина повинна пройти кілька етапів, перш ніж вона буде готова до використання в електронних пристроях. Одним з важливих процесів є кремнієва епітаксія, в якій пластини розміщуються на графітових сусцепторах. Властивості та якість сусцепторів мають вирішальний вплив на якість епітаксіального шару пластини.

Типові властивості базового графітового матеріалу:

Видима щільність:	1,85 г/см3
Питомий електричний опір:	11 мкОм
Міцність на згин:	49 МПа (500 кгс/см2)
Твердість за Шором:	58
Попіл:	<5 ppm
Теплопровідність:	116 Вт/мК (100 ккал/мгод℃)