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잘 운영되는 도구, 전문적인 이익팀, 그리고 훨씬 더 나은 애프터 서비스; 우리는 또한 통일된 주요 배우자와 자녀였으며, 모든 사람이 회사 혜택인 "통일, 헌신, 관용"을 고수합니다.중국 내화 세라믹 및 세라믹 가마더욱 완벽한 서비스와 안정적인 품질의 제품에 대한 각 고객의 요구를 충족하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 전 세계 고객 여러분의 방문을 진심으로 환영합니다. 다각적인 협력을 통해 새로운 시장을 공동으로 개척하고 밝은 미래를 만들어 나가겠습니다!
반도체용 SiC 코팅/흑연 기판 코팅 서셉터는 열처리 과정에서 반도체 웨이퍼를 고정하고 가열합니다. 서셉터는 유도, 전도 및/또는 복사를 통해 에너지를 흡수하여 웨이퍼를 가열하는 재료로 만들어집니다. 열충격 저항성, 열전도도 및 순도는 급속 열처리(RTP)에 매우 중요합니다. 특정 열 및 화학 환경에 따라 탄화규소 코팅 흑연, 탄화규소(SiC), 실리콘(Si)이 서셉터에 일반적으로 사용됩니다. PureSiC® CVD SiC 및 ClearCarbon™ 초고순도 소재는 탁월한 열 안정성, 내식성 및 내구성을 제공합니다. 제품 설명
반도체용 흑연 기판에 SiC 코팅을 하면 순도가 뛰어나고 산화 분위기에 대한 저항성이 뛰어난 부품이 생산됩니다.
CVD SiC 또는 CVI SiC는 단순하거나 복잡한 설계 부품의 흑연에 적용됩니다. 코팅은 다양한 두께로, 그리고 매우 큰 부품에도 적용될 수 있습니다.
테크니컬 세라믹은 RTP(고속 열처리), Epi(에피택셜), 확산, 산화, 어닐링을 포함한 반도체 열처리 분야에 적합한 소재입니다. 쿠어스텍은 고온 환경에서 고순도, 견고하고 반복 가능한 성능을 유지하면서 열충격을 견딜 수 있도록 특별히 설계된 첨단 소재 부품을 제공합니다.
특징:
· 우수한 열충격 저항성
· 우수한 물리적 충격 저항성
· 우수한 내화학성
· 초고순도
· 복잡한 형태로 이용 가능
· 산화 분위기에서 사용 가능
애플리케이션:
웨이퍼는 전자 소자에 사용하기 전에 여러 단계를 거쳐야 합니다. 중요한 공정 중 하나는 실리콘 에피택시 공정으로, 웨이퍼를 흑연 서셉터에 담는 공정입니다. 서셉터의 특성과 품질은 웨이퍼 에피택셜층의 품질에 중요한 영향을 미칩니다.
기본 흑연 재료의 일반적인 특성:
| 겉보기 밀도: | 1.85g/cm3 |
| 전기 저항률: | 11 μΩm |
| 굽힘 강도: | 49MPa(500kgf/cm2) |
| 쇼어 경도: | 58 |
| 금연 건강 증진 협회: | <5ppm |
| 열전도도: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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