Bon kalite Silisyòm Carbide RBSIC/SISIC Cantilever Paddle yo itilize nan endistri solè fotovoltaik

Bon kalite palèt cantilever Silisyòm Carbide RBSIC/SISIC ki itilize nan endistri solè fotovoltaik Imaj prezante

Deskripsyon kout:

Avantaj espesyal sisèpteur grafit kouvri ak SiC nou yo enkli yon pite ekstrèmman wo, yon kouch omojèn ak yon ekselan lavi sèvis. Yo genyen tou pwopriyete rezistans chimik ak estabilite tèmik ki wo.

Nou kenbe tolerans trè sere lè n ap aplike kouch SiC la, lè l sèvi avèk machinasyon ak gwo presizyon pou asire yon pwofil sisèptè inifòm. Nou pwodui tou materyèl ki gen pwopriyete rezistans elektrik ideyal pou itilize nan sistèm chofe pa endiksyon. Tout konpozan fini yo vini ak yon sètifika konfòmite pite ak dimansyon..

Voye yon imèl ban nou Telechaje kòm PDF

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Zouti byen fonksyone, ekip pwofi ekspè, ak pi bon pwodwi ak sèvis apre-lavant; Nou te tou yon gwo fanmi inifye, tout moun respekte avantaj konpayi an "inifikasyon, devouman, tolerans" pou bon jan kalite Silisyòm Carbide RBSIC/SISIC Cantilever Paddle Itilize nan Endistri Solè Fotovoltaik, Nou sensèman akeyi de patnè biznis etranje ak domestik yo, epi nou espere travay avèk ou nan yon ti tan oswa yon long tèm!
Zouti byen fonksyone, ekip pwofi ekspè, ak pi bon pwodwi ak sèvis apre-lavant; Nou te tou yon gwo fanmi ini, tout moun respekte avantaj konpayi an "inifikasyon, devouman, tolerans" pouFou seramik ak seramik refraktè Lachin, Pou satisfè bezwen kliyan patikilye yo pou yon sèvis ki pi pafè ak atik ki gen bon jan kalite ki estab. Nou cho akeyi kliyan atravè lemond pou vizite nou, grasa koperasyon milti-fasèt nou an, epi ansanm devlope nouvo mache, kreye yon avni briyan!

Kouch SiC/kouvwi nan substrat grafit pou semi-kondiktè

Sisèpteur yo kenbe epi chofe waf semi-kondiktè yo pandan pwosesis tèmik la. Yon sisèpteur fèt ak yon materyèl ki absòbe enèji pa endiksyon, kondiksyon, ak/oswa radyasyon epi ki chofe waf la. Rezistans chòk tèmik li, konduktivite tèmik li, ak pite li enpòtan anpil pou pwosesis tèmik rapid (RTP). Grafit kouvri ak carbure Silisyòm, carbure Silisyòm (SiC), ak silikon (Si) yo souvan itilize pou sisèpteur selon anviwònman tèmik ak chimik espesifik la. Materyèl ultra-pi PureSiC® CVD SiC ak ClearCarbon™ ki bay estabilite tèmik siperyè, rezistans korozyon, ak dirabilite.

Deskripsyon pwodwi

Kouch SiC sou yon substrat grafit pou aplikasyon semi-kondiktè pwodui yon pyès ki gen pite siperyè ak rezistans nan atmosfè oksidan.
Yo aplike CVD SiC oubyen CVI SiC sou grafit ki gen yon konsepsyon senp oubyen konplèks. Yo ka aplike kouch la nan diferan epesè epi sou gwo pyès.

Kouch SiC/kouvwi nan substrat grafit pou semi-kondiktè

Seramik teknik yo se yon chwa natirèl pou aplikasyon pou pwosesis tèmik semi-kondiktè tankou RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), difizyon, oksidasyon, ak rekui. CoorsTek bay konpozan materyèl avanse ki fèt espesyalman pou reziste chòk tèmik ak pèfòmans pite, solid, ak repetitif pou tanperati ki wo.

Karakteristik:
· Ekselan rezistans chòk tèmik
· Ekselan rezistans chòk fizik
· Ekselan rezistans chimik
· Super Pite Segondè
· Disponibilite nan fòm konplèks
· Itilizab anba atmosfè oksidan

aplikasyon:

Yon waf bezwen pase nan plizyè etap anvan li pare pou itilize nan aparèy elektwonik. Yon pwosesis enpòtan se epitaksi Silisyòm, kote waf yo pote sou siseptè grafit. Pwopriyete ak kalite siseptè yo gen yon efè enpòtan sou kalite kouch epitaksyèl waf la.

Pwopriyete tipik nan materyèl grafit debaz:

Dansite aparan:	1.85 g/cm3
Rezistans elektrik:	11 μΩm
Fòs fleksyon:	49 MPa (500kgf/cm2)
Dite rivaj:	58
Sann:	<5ppm
Konduktivite tèmik:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)