Padl Cantilever Silicon Carbide RBSIC/SISIC o ansawdd da a ddefnyddir yn y diwydiant ffotofoltäig solar

Disgrifiad Byr:

Mae manteision arbennig ein susceptorau graffit wedi'u gorchuddio â SiC yn cynnwys purdeb eithriadol o uchel, cotio homogenaidd a bywyd gwasanaeth rhagorol. Mae ganddynt hefyd briodweddau ymwrthedd cemegol a sefydlogrwydd thermol uchel.

Rydym yn cynnal goddefiannau agos iawn wrth roi'r haen SiC, gan ddefnyddio peiriannu manwl iawn i sicrhau proffil susceptor unffurf. Rydym hefyd yn cynhyrchu deunyddiau â phriodweddau gwrthiant trydanol delfrydol i'w defnyddio mewn systemau wedi'u gwresogi'n anwythol. Daw pob cydran gorffenedig gyda thystysgrif cydymffurfio purdeb a dimensiwn..

Anfonwch e-bost atom ni Lawrlwytho fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Offer sy'n cael eu rhedeg yn dda, criw elw arbenigol, a chynhyrchion a gwasanaethau ôl-werthu llawer gwell; Rydym hefyd wedi bod yn briod a phlant mawr unedig, mae pawb yn glynu wrth fudd y cwmni "uno, ymroddiad, goddefgarwch" ar gyfer Padl Cantilever Silicon Carbide RBSIC / SISIC o Ansawdd Da a Ddefnyddir yn y Diwydiant Ffotofoltäig Solar, Rydym yn croesawu'r ddau bartner busnes tramor a domestig yn ddiffuant, ac yn gobeithio gweithio gyda chi yn y tymor agos a hir!
Offer sy'n cael eu rhedeg yn dda, criw elw arbenigol, a chynhyrchion a gwasanaethau ôl-werthu llawer gwell; Rydym hefyd wedi bod yn briod a phlant mawr unedig, mae pawb yn glynu wrth fudd y cwmni "uno, ymroddiad, goddefgarwch" ar gyferOdyn ceramig a cheramig anhydrin TsieinaEr mwyn bodloni gofynion cwsmeriaid penodol am wasanaeth perffaith ac eitemau o ansawdd sefydlog. Rydym yn croesawu cwsmeriaid ledled y byd yn gynnes i ymweld â ni, gyda'n cydweithrediad amlochrog, a datblygu marchnadoedd newydd ar y cyd, creu dyfodol disglair!

Gorchudd SiC/wedi'i orchuddio o swbstrad graffit ar gyfer lled-ddargludyddion

Mae susceptorau yn dal ac yn cynhesu wafferi lled-ddargludyddion yn ystod prosesu thermol. Mae susceptor wedi'i wneud o ddeunydd sy'n amsugno ynni trwy anwythiad, dargludiad, a/neu ymbelydredd ac yn cynhesu'r wafer. Mae ei wrthwynebiad i sioc thermol, ei ddargludedd thermol, a'i burdeb yn hanfodol ar gyfer prosesu thermol cyflym (RTP). Defnyddir graffit wedi'i orchuddio â silicon carbid, silicon carbid (SiC), a silicon (Si) yn gyffredin ar gyfer susceptorau yn dibynnu ar yr amgylchedd thermol a chemegol penodol. Deunydd pur iawn PureSiC® CVD SiC a ClearCarbon™ sy'n darparu sefydlogrwydd thermol uwchraddol, ymwrthedd i gyrydiad, a gwydnwch.

Disgrifiad Cynnyrch

Mae cotio SiC o swbstrad graffit ar gyfer cymwysiadau lled-ddargludyddion yn cynhyrchu rhan â phurdeb uwch a gwrthiant i awyrgylch ocsideiddiol.
Mae CVD SiC neu CVI SiC yn cael ei roi ar graffit rhannau dylunio syml neu gymhleth. Gellir rhoi cotio mewn gwahanol drwch ac ar rannau mawr iawn.

Gorchudd SiC/wedi'i orchuddio o swbstrad graffit ar gyfer lled-ddargludyddion

Mae cerameg dechnegol yn ddewis naturiol ar gyfer cymwysiadau prosesu thermol lled-ddargludyddion gan gynnwys RTP (Prosesu Thermol Cyflym), Epi (Epitaxial), trylediad, ocsideiddio ac anelio. Mae CoorsTek yn darparu cydrannau deunydd uwch sydd wedi'u cynllunio'n benodol i wrthsefyll siociau thermol gyda pherfformiad purdeb uchel, cadarn ac ailadroddadwy ar gyfer tymheredd uchel.

Nodweddion:
· Gwrthiant Sioc Thermol Rhagorol
· Gwrthiant Sioc Corfforol Rhagorol
· Gwrthiant Cemegol Rhagorol
· Purdeb Uchel Iawn
· Argaeledd mewn Siâp Cymhleth
· Gellir ei ddefnyddio o dan Atmosffer Ocsideiddio

cais:

Mae angen i wafer fynd trwy sawl cam cyn ei fod yn barod i'w ddefnyddio mewn dyfeisiau electronig. Un broses bwysig yw epitacsi silicon, lle mae'r wafers yn cael eu cario ar susceptors graffit. Mae gan briodweddau ac ansawdd y susceptors effaith hollbwysig ar ansawdd haen epitacsial y wafer.

Priodweddau Nodweddiadol Deunydd Graffit Sylfaenol:

Dwysedd Ymddangosiadol:	1.85 g/cm3
Gwrthiant Trydanol:	11 μΩm
Cryfder Plygu:	49 MPa (500kgf/cm2)
Caledwch y Glannau:	58
Lludw:	<5ppm
Dargludedd Thermol:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)