SiC-kattega grafiidist MOCVD vahvlikandurid, grafiidist sustseptoridSiC epitaksia,
Süsinik varustab susceptoreid, Grafiidi epitaksiaalsed sustseptorid, Grafiidist tugisubstraadid, MOCVD sustseptor, SiC epitaksia, Vahvli sustseptorid,

Meie SiC-kattega grafiidist sustseptorite eriliste eeliste hulka kuuluvad äärmiselt kõrge puhtusaste, homogeenne kate ja suurepärane kasutusiga. Neil on ka kõrge keemiline vastupidavus ja termiline stabiilsus.

Pooljuhtide rakenduste grafiidist aluspinna SiC-kate annab tulemuseks ülima puhtusastme ja oksüdeeriva atmosfääri suhtes vastupidava detaili.
CVD SiC-d või CVI SiC-d kantakse lihtsate või keerukate konstruktsioonidega osade grafiidile. Katet saab kanda erineva paksusega ja väga suurtele osadele.

Omadused:
· Suurepärane termiline löögikindlus
· Suurepärane füüsiline löögikindlus
· Suurepärane keemiline vastupidavus
· Ülikõrge puhtusastmega
· Saadavus keerulise kujuga
· Kasutatav oksüdeerivas atmosfääris

Rakendus:

Alusgrafiidimaterjali tüüpilised omadused:

Süsinik varustab susceptoreidja grafiidist komponente kõigile praegustele epitaksiareaktoritele. Meie tooteportfelli kuuluvad silindrikujulised susceptorid rakendus- ja LPE-seadmetele, pannkook-susceptorid LPE-, CSD- ja Gemini-seadmetele ning ühe vahvliga susceptorid rakendus- ja ASM-seadmetele. Kombineerides tugevaid partnerlussuhteid juhtivate originaalseadmete tootjatega, materjaliteadmisi ja tootmisoskusi, pakub SGL teie rakendusele optimaalset disaini.