Pembawa wafer MOCVD grafit berlapis SiC, Susceptor grafit untuk epitaksi SiC

Deskripsi Singkat:

Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian superior dan ketahanan terhadap atmosfer pengoksidasi. CVD SiC atau CVI SiC diaplikasikan pada Grafit untuk komponen dengan desain sederhana atau kompleks. Pelapisan dapat diaplikasikan dengan ketebalan yang bervariasi dan pada komponen yang sangat besar.

Tempat Asal:Zhejiang, Tiongkok (Daratan)

Nomor Model:Nomor Model:

Komposisi Kimia:Grafit berlapis SiC

Kekuatan lentur:470 MPa

Konduktivitas termal:300 W/mK

Kualitas:Sempurna

Fungsi:CVD-SiC

Aplikasi:Semikonduktor / Fotovoltaik

Kepadatan:3,21 g/cc

Ekspansi termal:4 10-6/K

Abu: <5ppm

Mencicipi:Tersedia

Kode HS:6903100000

Kirim email kepada kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

Pembawa wafer MOCVD grafit berlapis SiC, Susceptor Grafit untukEpitaksi SiC,
Pasokan karbon pada susceptor, Susceptor epitaksi grafit, Substrat pendukung grafit, MOCVD Susceptor, Epitaksi SiC, Suseptor Wafer,

Keunggulan khusus dari susceptor grafit berlapis SiC kami meliputi kemurnian yang sangat tinggi, lapisan yang homogen, dan masa pakai yang sangat baik. Selain itu, susceptor ini juga memiliki ketahanan kimia dan stabilitas termal yang tinggi.

Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian dan ketahanan yang unggul terhadap atmosfer pengoksidasi.
CVD SiC atau CVI SiC diaplikasikan pada grafit untuk bagian-bagian dengan desain sederhana atau kompleks. Pelapisan dapat diaplikasikan dengan ketebalan yang bervariasi dan pada bagian-bagian yang sangat besar.

Susceptor MOCVD berlapis SiC/berlapis

Fitur:
• Ketahanan terhadap Guncangan Termal yang Sangat Baik
• Ketahanan Guncangan Fisik yang Sangat Baik
• Ketahanan Kimia yang Sangat Baik
· Kemurnian Sangat Tinggi
• Tersedia dalam Bentuk yang Kompleks
• Dapat digunakan dalam lingkungan yang bersifat oksidatif

Aplikasi:

Sifat-Sifat Khas Material Grafit Dasar:

Kepadatan Tampak:	1,85 g/cm3
Resistivitas Listrik:	11 μΩm
Kekuatan Lentur:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Kekerasan Shore:	58
Abu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mhr-℃)

Pasokan karbon pada susceptordan komponen grafit untuk semua reaktor epitaksi saat ini. Portofolio kami mencakup susceptor barel untuk unit terapan dan LPE, susceptor pancake untuk unit LPE, CSD, dan Gemini, serta susceptor wafer tunggal untuk unit terapan dan ASM. Dengan menggabungkan kemitraan yang kuat dengan OEM terkemuka, keahlian material, dan pengetahuan manufaktur, SGL menawarkan desain optimal untuk aplikasi Anda.