Luchd-giùlain Wafer MOCVD grafait còmhdach SiC, Glacadairean Grafait airson Epitaxy SiC

Tuairisgeul Goirid:

Bidh còmhdach SiC air fo-strat Graphite airson tagraidhean leth-sheoltairean a’ toirt a-mach pàirt le purrachd nas fheàrr agus an aghaidh àile ocsaideachaidh. Tha CVD SiC no CVI SiC air a chur air Graphite de phàirtean dealbhaidh sìmplidh no iom-fhillte. Faodar còmhdach a chur an sàs ann an diofar thiugh agus air pàirtean glè mhòr.

Àite Tùs:Zhejiang, Sìona (Tìr-mòr)

Àireamh a’ Mhodail:Àireamh a’ Mhodail:

Co-dhèanamh Ceimigeach:Grafait còmhdaichte le SiC

Neart lùbadh:470Mpa

Seoltachd teirmeach:300 W/mK

Càileachd:Foirfe

Gnìomh:CVD-SiC

Iarrtas:Leth-sheoladair / Fòto-bholtaigeach

Dlùths:3.21 g/cc

Leudachadh teirmeach:4 10-6/K

Luaith: <5ppm

Eisimpleir:Ri fhaighinn

Còd HS:6903100000

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh Toraidh

Tagaichean Bathar

Luchd-giùlain Wafer MOCVD grafait còmhdach SiC, Glacadairean Grafait airsonEpitaxy SiC,
Bidh carbon a’ toirt seachad luchd-gabhail, Gabhadairean epitaxy grafait, Fo-stratan taic grafait, Glacadair MOCVD, Epitaxy SiC, Glacadairean Wafer,

Am measg nam buannachdan sònraichte a tha aig na glacadairean grafait còmhdaichte le SiC againn tha purrachd air leth àrd, còmhdach aon-ghnèitheach agus beatha seirbheis sàr-mhath. Tha feartan àrd-sheasmhachd cheimigeach agus seasmhachd teirmeach aca cuideachd.

Bidh còmhdach SiC de fho-strat Graphite airson tagraidhean leth-sheoltairean a’ toirt a-mach pàirt le purrachd agus strì an aghaidh àile ocsaideachaidh nas fheàrr.
Tha CVD SiC no CVI SiC air a chur air grafait phàirtean dealbhaidh sìmplidh no iom-fhillte. Faodar còmhdach a chur air ann an diofar thiugh agus air pàirtean glè mhòr.

Glacadair MOCVD còmhdaichte/còmhdaichte SiC

Feartan:
· Seasmhachd clisgeadh teirmeach sàr-mhath
· Seasmhachd clisgeadh corporra sàr-mhath
· Seasmhachd cheimigeach sàr-mhath
· Glanachd air leth àrd
· Ri fhaighinn ann an cruth iom-fhillte
· Faodar a chleachdadh fo àile ocsaideachaidh

Iarrtas:

Feartan àbhaisteach stuth grafait bunaiteach:

Dlùths follaiseach:	1.85 g/cm3
Frith-sheasmhachd dealain:	11 μΩm
Neart lùbte:	49 MPa (500kgf/cm2)
Cruas Cladaich:	58
Luaith:	<5ppm
Seoltachd Teirmeach:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Bidh carbon a’ toirt seachad luchd-gabhailagus co-phàirtean grafait airson a h-uile reactar epitaxy gnàthach. Tha ar pasgan a’ toirt a-steach gabhadairean baraille airson aonadan gnìomhaichte agus LPE, gabhadairean pancake airson aonadan LPE, CSD, agus Gemini, agus gabhadairean aon-wafer airson aonadan gnìomhaichte agus ASM. Le bhith a’ cothlamadh com-pàirteachasan làidir le prìomh OEMan, eòlas stuthan agus eòlas saothrachaidh, tha SGL a’ tabhann an dealbhadh as fheàrr airson an tagraidh agad.