SiC obducta graphita, vectores lamellarum MOCVD, susceptores graphiti ad epitaxiam SiC

SiC obducens graphitum, vectores lamellarum MOCVD, susceptores graphiti ad epitaxiam SiC. Imago principalis.

Descriptio Brevis:

Obductio SiC substrati graphiti ad usus semiconductorum partem producit cum puritate superiore et resistentia ad atmosphaeram oxidantem. SiC CVD vel CVI SiC applicatur ad graphitum partium designi simplicium vel complexorum. Obductio applicari potest variis crassitudinibus et ad partes permagnas.

Locus Originis:Zhejiang, China (Mainland)

Numerus Modeli:Numerus Modeli:

Compositio Chemica:Graphite SiC obducto

Robur flexurale:470Mpa

Conductivitas thermalis:300 W/mK

Qualitas:Perfectus

Functio:CVD-SiC

Applicatio:Semiconductor/Photovoltaicus

Densitas:3.21 g/cc

Expansio thermalis:4 10-6/K

Cinis: <5ppm

Exemplum:Disponibile

Codex HS:6903100000

Mitte nobis inscriptionem electronicam Deprime ut PDF

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

SiC obducens graphitum, vectores lamellarum MOCVD, susceptores graphiti proEpitaxia SiC,
Carbonium suppeditat susceptores, Susceptores epitaxiae graphitae, Substrata graphita sustentantia, Susceptor MOCVD, Epitaxia SiC, Susceptores Waferorum,

Inter commoda peculiaria susceptorum nostrorum graphito SiC obductorum sunt puritas altissima, obductio homogenea, et vita utilis optima. Praeterea, habent proprietates magnas resistentiae chemicae et stabilitatis thermalis.

Obductio SiC substrati graphiti ad usus semiconductorum partem praestanti puritate et resistentia ad atmosphaeram oxidantem producit.
CVD SiC vel CVI SiC ad graphitum partium simplicium vel complexarum adhibetur. Obductio variis crassitudinibus et partibus magnis adhiberi potest.

Susceptor MOCVD SiC obductus/obductus

Proprietates:
· Excellens Resistentia Ictui Thermali
· Excellens Resistentia Ictuum Physicorum
· Excellens Resistentia Chemica
· Puritas Maxima
· Disponibilitas in Forma Complexa
· Usus sub atmosphaera oxidante

Applicatio:

Proprietates Typicae Materiae Graphicae Basis:

Densitas Apparens:	1.85 g/cm³
Resistivitas electrica:	11 μΩm
Robur Flexurale:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Duritia litoris:	58
Cinis:	<5ppm
Conductivitas Thermalis:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Carbonium suppeditat susceptoreset partes graphitae pro omnibus reactoribus epitaxiae hodiernis. Nostrum portfolio comprehendit susceptores dolii pro unitatibus applicatis et LPE, susceptores lagani pro unitatibus LPE, CSD, et Gemini, et susceptores singularis lamellae pro unitatibus applicatis et ASM. Coniungendo firmas societates cum praestantibus OEM, peritiam materiarum et scientiam fabricationis, SGL offert designum optimum pro applicatione tua.