Графитовые носители пластин MOCVD с покрытием SiC, графитовые токоприемники для эпитаксии SiC

Краткое описание:

Покрытие SiC графитовой подложки для полупроводниковых приложений позволяет получить деталь с превосходной чистотой и устойчивостью к окислительной атмосфере. CVD SiC или CVI SiC наносится на графит простых или сложных по конструкции деталей. Покрытие может наноситься различной толщины и на очень большие детали.

Место происхождения:Чжэцзян, Китай (материк)

Номер модели:Номер модели:

Химический состав:Графит с покрытием SiC

Прочность на изгиб:470МПа

Теплопроводность:300 Вт/мК

Качество:Идеальный

Функция:CVD-SiC

Приложение:Полупроводники/Фотоэлектрические

Плотность:3,21 г/см3

Тепловое расширение:4 10-6/К

Пепел: <5 частей на миллион

Образец:Доступно

Код ТН ВЭД:6903100000

Напишите нам письмо Загрузить как PDF

Подробности продукта

Теги продукта

Графитовые носители пластин MOCVD с покрытием SiC, графитовые токоприемники дляЭпитаксия SiC,
Углеродные поставки приемников, Графитовые эпитаксические токоприемники, Графитовые опорные подложки, MOCVD-рецептор, Эпитаксия SiC, Пластины-приемники,

Особые преимущества наших графитовых токоприемников с покрытием SiC включают в себя чрезвычайно высокую чистоту, однородное покрытие и отличный срок службы. Они также обладают высокой химической стойкостью и термической стабильностью.

Покрытие SiC графитовой подложки для полупроводниковых применений позволяет получить деталь с превосходной чистотой и стойкостью к окислительной атмосфере.
CVD SiC или CVI SiC применяется к графиту деталей простой или сложной конструкции. Покрытие может быть нанесено различной толщины и на очень большие детали.

Покрытие SiC/покрытие MOCVD токоприемника

Функции:
· Отличная стойкость к тепловому удару
· Отличная устойчивость к физическим ударам
· Отличная химическая стойкость
· Сверхвысокая чистота
· Доступность в сложной форме
· Можно использовать в окислительной атмосфере

Приложение:

Типичные свойства базового графитового материала:

Кажущаяся плотность:	1,85 г/см3
Удельное электрическое сопротивление:	11 мкОм
Прочность на изгиб:	49 МПа (500 кгс/см2)
Твёрдость по Шору:	58
Пепел:	<5 частей на миллион
Теплопроводность:	116 Вт/мК (100 ккал/мч-℃)

Углеродные поставки приемникови графитовые компоненты для всех современных реакторов эпитаксии. Наше портфолио включает цилиндрические токоприемники для прикладных и LPE-блоков, блинчатые токоприемники для LPE, CSD и Gemini-блоков, а также однопластинчатые токоприемники для прикладных и ASM-блоков. Благодаря тесному сотрудничеству с ведущими OEM-производителями, экспертизе в области материалов и производственным ноу-хау компания SGL предлагает оптимальную конструкцию для вашего приложения.