SiC Beschichtung Graphit MOCVD Wafer Träger, Graphit Susceptoren firSiC-Epitaxie,
Kuelestoff liwwert Susceptoren, Grafitepitaxie-Suszeptoren, Grafit-Ënnerstëtzungssubstrater, MOCVD Susceptor, SiC-Epitaxie, Wafer-Suszeptoren,

Zu eise SiC-beschichtete Graphit-Susceptoren gehéieren extrem héich Rengheet, eng homogen Beschichtung an eng exzellent Liewensdauer. Si hunn och eng héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéitseigenschaften.

D'SiC-Beschichtung vu Grafitsubstrat fir Hallefleiterapplikatioune produzéiert en Deel mat iwwerleeëner Rengheet a Resistenz géint oxidéierend Atmosphär.
CVD SiC oder CVI SiC gëtt op Graphit vun einfachen oder komplexen Designdeeler ugewannt. D'Beschichtung kann a verschiddenen Déckten an op ganz grouss Deeler ugewannt ginn.

Fonctiounen:
· Excellent Widderstandsfäegkeet géint thermesch Schock
· Excellent kierperlech Schockbeständegkeet
· Excellent chemesch Resistenz
· Super héich Rengheet
· Verfügbarkeet a komplexer Form
· Kann ënner oxidéierender Atmosphär benotzt ginn

Applikatioun:

Typesch Eegeschafte vu Basisgrafitmaterial:

Kuelestoff liwwert Susceptorena Graphitkomponenten fir all aktuell Epitaxiereaktoren. Eis Portfolio ëmfaasst Barrel-Susceptoren fir ugewandt an LPE-Eenheeten, Pancake-Susceptoren fir LPE-, CSD- a Gemini-Eenheeten, a Single-Wafer-Susceptoren fir ugewandt an ASM-Eenheeten. Duerch d'Kombinatioun vu staarke Partnerschafte mat féierende OEMs, Materialexpertise a Produktiounsknow-how bitt SGL den optimalen Design fir Är Uwendung.