Mga tagapagdala ng wafer na MOCVD graphite na patong ng SiC, Mga Susceptor ng Graphite para saSiC Epitaxy,
Nagsusuplay ng mga susceptor ang karbon, Mga susceptor ng epitaxy ng grapayt, Mga substrate ng suporta sa grapayt, Suseptor ng MOCVD, SiC Epitaxy, Mga Susceptor ng Wafer,

Ang mga espesyal na bentahe ng aming SiC-coated graphite susceptors ay kinabibilangan ng napakataas na kadalisayan, homogenous coating, at mahusay na buhay ng serbisyo. Mayroon din silang mataas na kemikal na resistensya at thermal stability properties.

Ang SiC coating ng Graphite substrate para sa mga aplikasyon ng Semiconductor ay nakakagawa ng bahaging may superior na kadalisayan at resistensya sa oxidizing atmosphere.
Ang CVD SiC o CVI SiC ay inilalapat sa Graphite ng mga simple o kumplikadong disenyo ng mga bahagi. Ang patong ay maaaring ilapat sa iba't ibang kapal at sa napakalaking mga bahagi.

Mga Tampok:
· Napakahusay na Paglaban sa Thermal Shock
· Napakahusay na Pisikal na Paglaban sa Pagkabigla
· Napakahusay na Paglaban sa Kemikal
· Napakataas na Kadalisayan
· Availability sa Complex na Hugis
· Magagamit sa ilalim ng Oxidizing Atmosphere

Aplikasyon:

Karaniwang mga Katangian ng Materyal na Base Graphite:

Nagsusuplay ng mga susceptor ang karbonat mga bahagi ng graphite para sa lahat ng kasalukuyang epitaxy reactor. Kasama sa aming portfolio ang mga barrel susceptor para sa mga applied at LPE unit, pancake susceptor para sa mga LPE, CSD, at Gemini unit, at single-wafer susceptor para sa mga applied at ASM unit. Sa pamamagitan ng pagsasama-sama ng matibay na pakikipagsosyo sa mga nangungunang OEM, kadalubhasaan sa mga materyales, at kaalaman sa pagmamanupaktura, nag-aalok ang SGL ng pinakamainam na disenyo para sa iyong aplikasyon.