Графітове покриття SiC, MOCVD, носії пластин, графітові токоприймачі дляSiC епітаксія,
Вуглецеві постачальники сусцепторів, Графітові епітаксіальні сусцептори, Графітові опорні підкладки, Сусцептор MOCVD, SiC епітаксія, Сусцептори пластин,

Особливими перевагами наших графітових токсцепторів з покриттям SiC є надзвичайно висока чистота, однорідне покриття та чудовий термін служби. Вони також мають високу хімічну стійкість та термостабільність.

Покриття SiC графітової підкладки для напівпровідникових застосувань забезпечує виріб з підвищеною чистотою та стійкістю до окислювального середовища.
CVD SiC або CVI SiC наноситься на графіт простих або складних конструкційних деталей. Покриття можна наносити різною товщиною та на дуже великі деталі.

Особливості:
· Відмінна стійкість до теплових ударів
· Відмінна стійкість до фізичних ударів
· Відмінна хімічна стійкість
· Надвисока чистота
· Наявність складної форми
· Придатний для використання в окислювальній атмосфері

Застосування:

Типові властивості базового графітового матеріалу:

Вуглецеві постачальники сусцепторіві графітові компоненти для всіх сучасних епітаксійних реакторів. Наше портфоліо включає барабанні сусцептори для прикладних установок та установок LPE, млинцеві сусцептори для установок LPE, CSD та Gemini, а також однопластинчасті сусцептори для прикладних установок та установок ASM. Поєднуючи міцні партнерські відносини з провідними виробниками оригінального обладнання (OEM), досвід у сфері матеріалів та виробничі ноу-хау, SGL пропонує оптимальну конструкцію для вашого застосування.