SiC 코팅 흑연 MOCVD 웨이퍼 캐리어, SiC 에피택시용 흑연 서셉터

간략한 설명:

반도체 응용 분야용 흑연 기판에 SiC 코팅을 적용하면 순도가 높고 산화 환경에 대한 저항성이 뛰어난 부품을 생산할 수 있습니다. CVD SiC 또는 CVI SiC 코팅은 단순하거나 복잡한 설계의 부품에 흑연 표면에 적용됩니다. 코팅 두께는 다양하게 적용할 수 있으며 매우 큰 부품에도 적용 가능합니다.


  • 원산지:저장성, 중국 (본토)
  • 모델 번호:모델 번호:
  • 화학적 조성:SiC 코팅 흑연
  • 굽힘 강도:470Mpa
  • 열전도율:300 W/mK
  • 품질:완벽한
  • 기능:CVD-SiC
  • 애플리케이션:반도체/태양광
  • 밀도:3.21 g/cc
  • 열팽창:4 10-6/K
  • 금연 건강 증진 협회: <5ppm
  • 견본:이용 가능
  • HS 코드:6903100000
  • 제품 상세 정보

    제품 태그

    SiC 코팅 흑연 MOCVD 웨이퍼 캐리어, 흑연 서셉터용SiC 에피택시,
    탄소는 수용기를 공급합니다., 흑연 에피택시 서셉터, 흑연 지지 기판, MOCVD 서셉터, SiC 에피택시, 웨이퍼 서셉터,

    제품 설명

    당사의 SiC 코팅 흑연 서셉터는 매우 높은 순도, 균일한 코팅 및 탁월한 수명을 비롯한 여러 가지 특별한 장점을 제공합니다. 또한 높은 내화학성 및 열 안정성을 자랑합니다.

    반도체 응용 분야용 흑연 기판에 SiC 코팅을 하면 순도가 우수하고 산화 환경에 대한 저항성이 뛰어난 부품을 생산할 수 있습니다.
    CVD SiC 또는 CVI SiC 코팅은 단순하거나 복잡한 디자인의 부품에 사용되는 흑연 표면에 적용됩니다. 코팅 두께는 다양하게 적용할 수 있으며 매우 큰 부품에도 적용 가능합니다.

    SiC 코팅/코팅된 MOCVD 서셉터

    특징:
    • 뛰어난 열충격 저항성
    • 뛰어난 물리적 충격 저항성
    • 뛰어난 내화학성
    • 초고순도
    • 복잡한 형태로 제공 가능
    산화성 분위기에서 사용 가능

    애플리케이션:

    2

     

    흑연 기본 소재의 일반적인 특성:

    겉보기 밀도: 1.85 g/cm3
    전기 저항률: 11 μΩm
    굽힘 강도: 49 MPa (500kgf/cm2)
    쇼어 경도: 58
    금연 건강 증진 협회: <5ppm
    열전도율: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    탄소는 수용기를 공급합니다.SGL은 모든 최신 에피택시 반응기에 사용되는 흑연 부품을 제공합니다. 당사의 포트폴리오에는 응용 및 LPE 장치용 배럴 서셉터, LPE, CSD 및 Gemini 장치용 팬케이크 서셉터, 그리고 응용 및 ASM 장치용 단일 웨이퍼 서셉터가 포함됩니다. 선도적인 OEM과의 강력한 파트너십, 소재 전문 지식 및 제조 노하우를 결합하여 SGL은 고객의 응용 분야에 최적의 설계를 제공합니다.

     


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