Trasportaturi tal-wejfer MOCVD bil-kisi tas-SiC, Suċetturi tal-grafita għalEpitassija tas-SiC,
Suxxettituri tal-provvisti tal-karbonju, Suxxettituri tal-epitassija tal-grafita, Sottostrati ta' appoġġ tal-grafita, Susċettur tal-MOCVD, Epitassija tas-SiC, Suċetturi tal-Wafer,

Vantaġġi speċjali tas-susċetturi tal-grafita miksija bis-SiC tagħna jinkludu purità estremament għolja, kisi omoġenju u ħajja ta' servizz eċċellenti. Għandhom ukoll proprjetajiet ta' reżistenza kimika għolja u stabbiltà termali.

Il-kisi tas-SiC tas-sottostrat tal-grafita għal applikazzjonijiet tas-semikondutturi jipproduċi parti b'purità superjuri u reżistenza għall-atmosfera ossidanti.
CVD SiC jew CVI SiC jiġi applikat għall-grafita ta' partijiet ta' disinn sempliċi jew kumpless. Il-kisi jista' jiġi applikat fi ħxuna varjabbli u għal partijiet kbar ħafna.

Karatteristiċi:
· Reżistenza Eċċellenti għax-Xokkijiet Termali
· Reżistenza Eċċellenti għax-Xokkijiet Fiżiċi
· Reżistenza Kimika Eċċellenti
· Purità Super Għolja
· Disponibbiltà f'Forma Kumplessa
· Jista' jintuża taħt atmosfera ossidanti

Applikazzjoni:

Proprjetajiet Tipiċi tal-Materjal tal-Grafita Bażika:

Suxxettituri tal-provvisti tal-karbonjuu komponenti tal-grafita għar-reatturi epitassiċi attwali kollha. Il-portafoll tagħna jinkludi susċetturi tal-kanna għal unitajiet applikati u LPE, susċetturi pancake għal unitajiet LPE, CSD, u Gemini, u susċetturi b'wejfer wieħed għal unitajiet applikati u ASM. Billi tgħaqqad sħubijiet b'saħħithom ma' OEMs ewlenin, għarfien espert tal-materjali u għarfien espert tal-manifattura, SGL toffri d-disinn ottimali għall-applikazzjoni tiegħek.