Lớp phủ SiC trên than chì, giá đỡ wafer MOCVD, chất hấp thụ than chì choLớp màng mỏng SiC,
Carbon cung cấp các chất hấp thụ, Giá đỡ epitaxy than chì, Chất nền hỗ trợ than chì, Bộ phận tiếp nhận MOCVD, Lớp màng mỏng SiC, Bộ cảm ứng dạng tấm mỏng,

Những ưu điểm đặc biệt của thanh gia nhiệt bằng than chì phủ SiC của chúng tôi bao gồm độ tinh khiết cực cao, lớp phủ đồng nhất và tuổi thọ sử dụng tuyệt vời. Chúng cũng có khả năng kháng hóa chất cao và tính ổn định nhiệt tốt.

Lớp phủ SiC trên nền than chì dùng trong các ứng dụng bán dẫn tạo ra linh kiện có độ tinh khiết cao và khả năng chống chịu tốt với môi trường oxy hóa.
Lớp phủ SiC CVD hoặc SiC CVI được áp dụng lên than chì của các chi tiết có thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng với độ dày khác nhau và cho các chi tiết rất lớn.

Đặc trưng:
• Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
• Khả năng chống sốc vật lý tuyệt vời
• Khả năng kháng hóa chất tuyệt vời
• Độ tinh khiết cực cao
• Có sẵn ở dạng phức tạp
• Có thể sử dụng được trong môi trường oxy hóa

Ứng dụng:

Các đặc tính điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

Carbon cung cấp các chất hấp thụvà các linh kiện than chì cho tất cả các lò phản ứng epitaxy hiện tại. Danh mục sản phẩm của chúng tôi bao gồm các bộ phận đỡ hình trụ cho các thiết bị ứng dụng và LPE, bộ phận đỡ hình bánh cho các thiết bị LPE, CSD và Gemini, và bộ phận đỡ đơn wafer cho các thiết bị ứng dụng và ASM. Bằng cách kết hợp mối quan hệ đối tác mạnh mẽ với các nhà sản xuất thiết bị gốc hàng đầu, chuyên môn về vật liệu và bí quyết sản xuất, SGL cung cấp thiết kế tối ưu cho ứng dụng của bạn.