SiC premaz grafit MOCVD nosači pločica, grafitni susceptori za SiC epitaksiju

Kratak opis:

SiC premaz grafitnog supstrata za poluprovodničke primjene proizvodi dio vrhunske čistoće i otpornosti na oksidirajuću atmosferu. CVD SiC ili CVI SiC se nanosi na grafit jednostavnih ili složenih dijelova. Premaz se može nanositi u različitim debljinama i na vrlo velike dijelove.

Mjesto porijekla:Zhejiang, Kina (kopno)

Broj modela:Broj modela:

Hemijski sastav:Grafit obložen SiC-om

Čvrstoća na savijanje:470 MPa

Toplotna provodljivost:300 W/mK

Kvalitet:Savršeno

Funkcija:CVD-SiC

Primjena:Poluprovodnici / Fotonaponski sistemi

Gustoća:3,21 g/cc

Termičko širenje:4 10-6/K

Pepeo: <5 ppm

Uzorak:Dostupno

HS kod:6903100000

Pošaljite nam e-poštu Preuzmi kao PDF

Detalji proizvoda

Oznake proizvoda

SiC premaz grafit MOCVD nosači pločica, grafitni susceptori zaSiC epitaksija,
Susceptori za opskrbu ugljikom, Susceptori za grafitne epitaksije, Grafitne podloge, MOCVD susceptor, SiC epitaksija, Susceptori pločice,

Posebne prednosti naših grafitnih susceptora obloženih SiC-om uključuju izuzetno visoku čistoću, homogeni premaz i odličan vijek trajanja. Također imaju visoku hemijsku otpornost i termičku stabilnost.

SiC premaz grafitnog supstrata za poluprovodničke primjene proizvodi dio vrhunske čistoće i otpornosti na oksidirajuću atmosferu.
CVD SiC ili CVI SiC se nanosi na grafit jednostavnih ili složenih dijelova. Premaz se može nanositi u različitim debljinama i na vrlo velike dijelove.

SiC premaz/obloženi MOCVD susceptor

Karakteristike:
· Odlična otpornost na termalne udare
· Odlična otpornost na fizičke udarce
· Odlična hemijska otpornost
· Super visoka čistoća
· Dostupnost u složenom obliku
· Upotrebljivo u oksidirajućoj atmosferi

Primjena:

Tipična svojstva osnovnog grafitnog materijala:

Prividna gustoća:	1,85 g/cm3
Električna otpornost:	11 μΩm
Fleksibilna čvrstoća:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Tvrdoća po Shoreu:	58
Pepeo:	<5 ppm
Toplotna provodljivost:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

Susceptori za opskrbu ugljikomi grafitne komponente za sve trenutne epitaksijalne reaktore. Naš portfolio uključuje susceptore u obliku cijevi za primijenjene i LPE jedinice, susceptore u obliku palačinke za LPE, CSD i Gemini jedinice, te susceptore s jednom pločicom za primijenjene i ASM jedinice. Kombinirajući snažna partnerstva s vodećim proizvođačima originalne opreme (OEM), stručnost u materijalima i znanje o proizvodnji, SGL nudi optimalan dizajn za vašu primjenu.