SiC каплавы графит MOCVD пластина йөртүчеләре, SiC эпитаксиясе өчен графит сусепторлары

SiC каплавы графиты MOCVD пластина йөртүчеләре, SiC эпитаксиясе өчен графит сусепторлары. Күрсәтелгән рәсем.

Кыскача тасвирлама:

Ярымүткәргечләр өчен графит субстратын SiC белән каплау югары сыйфатлы һәм оксидлашу атмосферасына чыдам детальләр җитештерә. CVD SiC яки CVI SiC гади яки катлаулы конструкцияле детальләрнең графитына кулланыла. Каплау төрле калынлыкларда һәм бик зур детальләргә кулланылырга мөмкин.

Чыгыш урыны:Чжэцзян, Китай (материк)

Модель номеры:Модель номеры:

Химик состав:SiC белән капланган графит

Бөгелү көче:470 МПа

Җылылык үткәрүчәнлеге:300 Вт/мК

Сыйфат:Камил

Функция:CVD-SiC

Кушымта:Ярымүткәргеч / Фотоэлектрик

Тыгызлык:3,21 г/см³

Термик киңәю:4 10-6/K

Көл: <5ppm

Үрнәк:Мөмкин

HS коды:6903100000

Безгә электрон почта җибәрегез PDF рәвешендә йөкләү

Продукт детальләре

Продукт теглары

SiC каплау графиты MOCVD пластина йөртүчеләре, графит сусепторлары өченSiC эпитаксиясе,
Углерод сусцепторлар белән тәэмин итә, Графит эпитакси сусцепторлары, Графит терәк субстратлары, MOCVD Сусцепторы, SiC эпитаксиясе, Вафли сусцепторлары,

SiC белән капланган графит сусцепторларының аерым өстенлекләре арасында гаять югары чисталык, бер төрле каплау һәм бик яхшы хезмәт итү вакыты бар. Алар шулай ук югары химик каршылык һәм термик тотрыклылык үзлекләренә ия.

Ярымүткәргечләр өчен графит субстратын SiC белән каплау югары сыйфатлы һәм оксидлашу атмосферасына чыдам деталь җитештерә.
CVD SiC яки CVI SiC гади яки катлаулы конструкцияле детальләрнең графитына кулланыла. Каплау төрле калынлыкларда һәм бик зур детальләргә кулланылырга мөмкин.

SiC каплавы/капланган MOCVD Susceptor

Үзенчәлекләре:
· Термик шокка бик чыдам
· Бик яхшы физик бәрелүгә чыдамлык
· Бик яхшы химик каршылык
· Супер югары сафлык
· Катлаулы формада булу
· Оксидлашучы атмосферада кулланырга мөмкин

Кушымта:

Графит нигез материалының типик үзенчәлекләре:

Күренмә тыгызлык:	1,85 г/см3
Электр каршылыгы:	11 мкΩм
Бөгелү көче:	49 МПа (500 кгс/см2)
Яр катылыгы:	58
Көл:	<5ppm
Җылылык үткәрүчәнлеге:	116 Вт/мК (100 ккал/м3-℃)

Углерод сусцепторлар белән тәэмин итәһәм барлык хәзерге эпитакси реакторлары өчен графит компонентлары. Безнең портфолиога кулланыла торган һәм LPE җайланмалары өчен баррель сусепторлары, LPE, CSD һәм Gemini җайланмалары өчен коймак сусепторлары, һәм кулланыла торган һәм ASM җайланмалары өчен бер вафли сусепторлары керә. Алдынгы OEM җитештерүчеләр белән ныклы партнерлыкны, материаллар буенча экспертизаны һәм җитештерү ноу-хаусын берләштереп, SGL сезнең куллануыгыз өчен оптималь дизайн тәкъдим итә.