Mga tigdala og wafer nga MOCVD nga may graphite coating nga SiC, mga Graphite Susceptor para saSiC Epitaxy,
Ang karbon naghatag og mga susceptor, Mga susceptor sa epitaxy sa grapayt, Mga substrate nga pangsuporta sa grapayt, MOCVD Susceptor, SiC Epitaxy, Mga Susceptor sa Wafer,

Ang mga espesyal nga bentaha sa among SiC-coated graphite susceptors naglakip sa taas kaayo nga kaputli, homogenous coating ug maayo kaayo nga kinabuhi sa serbisyo. Kini usab adunay taas nga resistensya sa kemikal ug thermal stability nga mga kabtangan.

Ang SiC coating sa Graphite substrate para sa mga aplikasyon sa Semiconductor nagpatunghag parte nga adunay superyor nga kaputli ug resistensya sa oxidizing atmosphere.
Ang CVD SiC o CVI SiC gigamit sa Graphite sa mga simple o komplikado nga disenyo sa mga piyesa. Ang coating mahimong gamiton sa lain-laing gibag-on ug sa dagkong mga piyesa.

Mga Kinaiya:
· Maayo kaayong resistensya sa thermal shock
· Maayo kaayong Pagsukol sa Pisikal nga Kakurat
· Maayo kaayong resistensya sa kemikal
· Super Taas nga Kaputli
· Anaa sa Komplikadong Porma
· Magamit ubos sa Oxidizing Atmosphere

Aplikasyon:

Kasagarang mga Kabtangan sa Materyal nga Base Graphite:

Ang karbon naghatag og mga susceptorug mga sangkap sa graphite para sa tanang kasamtangang epitaxy reactors. Ang among portfolio naglakip sa barrel susceptors para sa applied ug LPE units, pancake susceptors para sa LPE, CSD, ug Gemini units, ug single-wafer susceptors para sa applied ug ASM units. Pinaagi sa paghiusa sa lig-on nga pakigtambayayong sa mga nanguna nga OEM, kahanas sa mga materyales ug kahibalo sa paggama, ang SGL nagtanyag sa labing maayo nga disenyo para sa imong aplikasyon.