Suportes de wafer MOCVD de grafite com revestimento de SiC, Susceptores de grafite para epitaxia de SiC

Suportes de wafer MOCVD com grafite e revestimento de SiC, Susceptores de grafite para epitaxia de SiC (Imagem em destaque)

Descrição resumida:

O revestimento de SiC em substrato de grafite para aplicações em semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência a atmosferas oxidantes. O SiC depositado por CVD ou CVI é aplicado em grafite para peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.

Local de origem:Zhejiang, China (continente)

Número do modelo:Número do modelo:

Composição química:grafite revestido com SiC

Resistência à flexão:470Mpa

Condutividade térmica:300 W/mK

Qualidade:Perfeito

Função:CVD-SiC

Aplicativo:Semicondutores / Fotovoltaicos

Densidade:3,21 g/cc

Expansão térmica:4 10-6/K

Cinzas: <5 ppm

Amostra:Disponível

Código HS:6903100000

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Detalhes do produto

Etiquetas do produto

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As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e estabilidade térmica.

O revestimento de SiC em substrato de grafite para aplicações em semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência a atmosferas oxidantes.
A deposição química de silício (SiC) por CVD ou CVI é aplicada ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.

Revestimento de SiC/Susceptor MOCVD revestido

Características:
• Excelente resistência ao choque térmico
• Excelente resistência a impactos físicos
• Excelente resistência química
• Pureza super elevada
• Disponibilidade em formatos complexos
• Pode ser usado em atmosfera oxidante.

Aplicativo:

Propriedades típicas do material base de grafite:

Densidade aparente:	1,85 g/cm³
Resistividade elétrica:	11 μΩm
Resistência à flexão:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Dureza da costa:	58
Cinzas:	<5 ppm
Condutividade térmica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Suprimentos de carbono susceptorese componentes de grafite para todos os reatores de epitaxia atuais. Nosso portfólio inclui susceptores cilíndricos para unidades de epitaxia aplicada e LPE, susceptores planos para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores de wafer único para unidades de epitaxia aplicada e ASM. Combinando parcerias sólidas com OEMs líderes, conhecimento especializado em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o design ideal para sua aplicação.