Plaquette épitaxiale en carbure de silicium (SiC)

La plaquette épitaxiale en carbure de silicium (SiC) de VET Energy est un matériau semi-conducteur hautes performances à large bande interdite, offrant une excellente résistance aux températures élevées, aux hautes fréquences et aux hautes puissances. C'est un substrat idéal pour la nouvelle génération de dispositifs électroniques de puissance. VET Energy utilise la technologie épitaxiale MOCVD avancée pour développer des couches épitaxiales SiC de haute qualité sur des substrats SiC, garantissant ainsi d'excellentes performances et une grande régularité de la plaquette.

Notre plaquette épitaxiale en carbure de silicium (SiC) offre une excellente compatibilité avec une variété de matériaux semi-conducteurs, notamment les plaquettes de silicium, les substrats de silicium (SiC), les plaquettes SOI et les substrats de silicium (SiN). Grâce à sa couche épitaxiale robuste, elle prend en charge des procédés avancés tels que la croissance de plaquettes épitaxiales et l'intégration avec des matériaux comme l'oxyde de gallium Ga₂O₃ et les plaquettes d'AlN, garantissant une utilisation polyvalente dans différentes technologies. Conçue pour être compatible avec les systèmes de manipulation de cassettes standard de l'industrie, elle garantit des opérations efficaces et rationalisées dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.

La gamme de produits de VET Energy ne se limite pas aux plaquettes épitaxiales SiC. Nous proposons également une large gamme de substrats semi-conducteurs, notamment des plaquettes Si, des substrats SiC, des plaquettes SOI, des substrats SiN, des plaquettes Epi, etc. Nous développons également activement de nouveaux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, tels que l'oxyde de gallium Ga₂O₃ et les plaquettes AlN, afin de répondre à la demande future de l'industrie de l'électronique de puissance en composants plus performants.