Ho beoa ha filimi e tšesaane ke ho beoa ha filimi holim'a thepa e ka sehloohong ea semiconductor. Filimi ena e ka etsoa ka thepa e fapaneng, joalo ka silicon dioxide e kopantsoeng e sireletsang mocheso, polysilicon ea semiconductor, koporo ea tšepe, jj. Lisebelisoa tse sebelisoang bakeng sa ho beoa li bitsoa lisebelisoa tsa ho beoa ha filimi e tšesaane.
Ho ya ka pono ya tshebetso ya tlhahiso ya di-chip tsa semiconductor, e fumaneha tshebetsong ya ho qetela.
Mokhoa oa ho lokisa filimi e tšesaane o ka aroloa ka mekhahlelo e 'meli ho latela mokhoa oa ho etsa filimi: ho beha mouoane oa 'mele (PVD) le ho beha mouoane oa lik'hemik'hale.(CVD), eo har'a eona lisebelisoa tsa ts'ebetso ea CVD li ikarabellang bakeng sa karolo e kholo.
Ho beoa ha mouoane oa 'mele (PVD) ho bolela ho beoa ha mouoane holim'a bokaholimo ba mohloli oa thepa le ho beoa holim'a bokaholimo ba substrate ka khase/plasma e nang le khatello e tlase, ho kenyeletsoa le mouoane, ho qhalana, mahlaseli a ion, jj.;
Ho kenngoa ha mouoane ka lik'hemik'hale (CVD) e bolela ts'ebetso ea ho beha filimi e tiileng holim'a wafer ea silicon ka karabelo ea lik'hemik'hale ea motsoako oa khase. Ho ea ka maemo a karabelo (khatello, selelekela), e arotsoe ka khatello ea sepakapakaCVD(APCVD), khatello e tlaseCVD(LPCVD), plasma e ntlafalitsoeng CVD (PECVD), high density plasma CVD (HDPCVD) le atomic layer deposition (ALD).
LPCVD: LPCVD e na le bokgoni bo betere ba ho koahela mehato, taolo e ntle ya sebopeho le sebopeho, sekgahla se phahameng sa ho boloka le ho hlahisa, mme e fokotsa haholo mohlodi wa tshilafatso ya dikarolwana. Ho itshetleha ka disebediswa tsa ho futhumatsa e le mohlodi wa mocheso ho boloka karabelo, taolo ya mocheso le kgatello ya kgase ke tsa bohlokwa haholo. E sebediswa haholo tlhahisong ya disele tsa TopCon tse nang le lera la Poly.
PECVD: PECVD e itshetlehile ka plasma e hlahiswang ke tlhahiso ya maqhubu a radio ho fihlella mocheso o tlase (ka tlase ho di-degree tse 450) wa tshebetso ya ho bewa ha filimi e tshesane. Ho bewa ha mocheso o tlase ke molemo wa yona o ka sehloohong, ka hona e boloka matla, e fokotsa ditjeo, e eketsa bokgoni ba tlhahiso, mme e fokotsa ho bola ha bophelo bohle ba dijari tse nyane ka hara di-wafer tsa silicon tse bakwang ke mocheso o phahameng. E ka sebediswa ditshebetsong tsa disele tse fapaneng tse kang PERC, TOPCON, le HJT.
ALD: Ho tšoana hantle ha filimi, ho teteaneng le ho se nang masoba, litšobotsi tse ntle tsa ho koahela mehato, li ka etsoa mochesong o tlase (mocheso oa kamore-400℃), li ka laola botenya ba filimi habonolo le ka nepo, li sebetsa haholo ho li-substrate tsa libopeho tse fapaneng, 'me ha li hloke ho laola ho tšoana ha phallo ea reactant. Empa bothata ke hore lebelo la ho thehoa ha filimi le lieha. Joalo ka lera le ntšang leseli la zinc sulfide (ZnS) le sebelisoang ho hlahisa li-insulator tse nang le sebopeho se senyenyane (Al2O3/TiO2) le lipontšo tsa electroluminescent tsa filimi e tšesaane (TFEL).
Ho beoa ha athomo ka lera (ALD) ke mokhoa oa ho koahela ka vacuum o etsang filimi e tšesaane holim'a lera la substrate ka lera ka mokhoa oa lera le le leng la athomo. Khale koana ka 1974, setsebi sa fisiks ea thepa ea Finland Tuomo Suntola o ile a nts'etsapele theknoloji ena 'me a hapa Khau ea Theknoloji ea Millennium ea li-euro tse limilione tse 1. Theknoloji ea ALD qalong e ne e sebelisoa bakeng sa lipontšo tsa electroluminescent tsa phanele e bataletseng, empa e ne e sa sebelisoe haholo. E bile qalong ea lekholo la bo21 la lilemo moo theknoloji ea ALD e ileng ea qala ho amoheloa ke indasteri ea semiconductor. Ka ho hlahisa thepa e tšesaane haholo ea dielectric ho nkela sebaka sa silicon oxide ea setso, e rarollotse ka katleho bothata ba hona joale ba ho lutla bo bakoang ke phokotso ea bophara ba mola oa li-transistors tsa phello ea tšimo, e leng se ileng sa etsa hore Molao oa Moore o tsoele pele ho ea ho bophara ba mola o monyane. Ngaka Tuomo Suntola o kile a re ALD e ka eketsa haholo bongata ba kopanyo ea likarolo.
Lintlha tsa sechaba li bontša hore theknoloji ea ALD e qapiloe ke Ngaka Tuomo Suntola oa PICOSUN Finland ka 1974 'me e se e entsoe indasteri linaheng tse ling, joalo ka filimi e nang le dielectric e phahameng chipeng ea nanometer ea 45/32 e ntlafalitsoeng ke Intel. Chaena, naha ea heso e hlahisitse theknoloji ea ALD lilemo tse fetang 30 hamorao ho feta linaha tse ling. Ka Mphalane 2010, PICOSUN Finland le Univesithi ea Fudan li ile tsa tšoara seboka sa pele sa phapanyetsano ea thuto ea ALD ea lehae, sa hlahisa theknoloji ea ALD Chaena ka lekhetlo la pele.
Ha ho bapisoa le ho kenngoa ha mouoane oa lik'hemik'hale tsa setso (CVD) le ho beoa ha mouoane oa 'mele (PVD), melemo ea ALD ke ho lumellana ho hotle ha mahlakore a mararo, ho tšoana ha filimi sebakeng se seholo, le taolo e nepahetseng ea botenya, tse loketseng ho holisa lifilimi tse tšesaane haholo holim'a libopeho tse rarahaneng tsa bokaholimo le meaho e phahameng ea karolelano ea likarolo.
—Mohloli oa data: Sethala sa ts'ebetso ea micro-nano sa Univesithi ea Tsinghua—
Mehleng ea kamora Moore, ho rarahana le bophahamo ba ts'ebetso ea tlhahiso ea wafer li ntlafalitsoe haholo. Ha re nka li-chip tsa logic e le mohlala, ka keketseho ea palo ea mela ea tlhahiso e nang le lits'ebetso tse ka tlase ho 45nm, haholo-holo mela ea tlhahiso e nang le lits'ebetso tsa 28nm le ka tlase, litlhoko tsa botenya ba ho roala le taolo ea ho nepahala li phahame. Kamora ho hlahisoa ha theknoloji ea ho pepesehela lintho tse ngata, palo ea mehato ea ts'ebetso ea ALD le lisebelisoa tse hlokahalang e eketsehile haholo; tšimong ea li-chip tsa memori, ts'ebetso e kholo ea tlhahiso e fetohile ho tloha sebopehong sa 2D NAND ho ea ho 3D NAND, palo ea mekhahlelo ea ka hare e ntse e eketseha, 'me likarolo li hlahisitse butle-butle meaho ea tekanyo e phahameng, 'me karolo ea bohlokoa ea ALD e qalile ho hlaha. Ho latela pono ea nts'etsopele ea nakong e tlang ea li-semiconductors, theknoloji ea ALD e tla bapala karolo ea bohlokoa haholo mehleng ea kamora Moore.
Mohlala, ALD ke yona feela theknoloji ya ho kenya di-depositi e ka fihlelang ditlhoko tsa ho koahela le ho sebetsa ha filimi ya meaho e rarahaneng ya 3D e nang le di-stacked (jwalo ka 3D-NAND). Sena se ka bonwa ka ho hlaka setshwantshong se ka tlase. Filimi e kentsweng ho CVD A (e putswa) ha e kwahele karolo e ka tlase ya sebopeho ka botlalo; leha ho ka etswa diphetoho tse ding tsa tshebetso ho CVD (CVD B) ho fihlella ho koahela, tshebetso ya filimi le sebopeho sa dikhemikhale sa sebaka se ka tlase di fokola haholo (sebaka se sesweu setshwantshong); ka lehlakoreng le leng, tshebediso ya theknoloji ya ALD e bontsha ho kwahela filimi ka botlalo, mme thepa ya filimi ya boleng bo hodimo le e tshwanang e fihlellwa dikarolong tsohle tsa sebopeho.
—-Melemo ea setšoantšo sa theknoloji ea ALD ha e bapisoa le CVD (Mohloli: ASM)—-
Leha CVD e ntse e le karolo e kholo ka ho fetisisa ea 'maraka nakong e khuts'oane, ALD e fetohile e 'ngoe ea likarolo tse holang ka potlako' marakeng oa lisebelisoa tsa masela a wafer. 'Marakeng ona oa ALD o nang le bokhoni bo boholo ba kholo le karolo ea bohlokoa tlhahisong ea li-chip, ASM ke k'hamphani e etellang pele lefapheng la lisebelisoa tsa ALD.
Nako ea poso: Phuptjane-12-2024