Balita

Unsa ang mga teknikal nga kalisud sa silicon carbide crystal growth furnace?
ni admin niadtong 24-06-07
Ang crystal growth furnace mao ang kinauyokan nga kagamitan para sa silicon carbide crystal growth. Kini susama sa tradisyonal nga crystalline silicon grade crystal growth furnace. Ang istruktura sa furnace dili kaayo komplikado. Kini kasagaran gilangkoban sa lawas sa furnace, sistema sa pagpainit, mekanismo sa transmission sa coil...
Basaha ang dugang pa
Unsa ang mga depekto sa silicon carbide epitaxial layer?
ni admin niadtong 24-06-05
Ang kinauyokan nga teknolohiya para sa pagtubo sa mga materyales nga epitaxial sa SiC una mao ang teknolohiya sa pagkontrol sa depekto, labi na para sa teknolohiya sa pagkontrol sa depekto nga daling mapakyas ang aparato o madaot ang kasaligan. Ang pagtuon sa mekanismo sa mga depekto sa substrate nga moabot hangtod sa epi...
Basaha ang dugang pa
Oxidized nga nagbarog nga lugas ug teknolohiya sa pagtubo sa epitaxial-Ⅱ
ni admin niadtong 24-05-30
2. Pagtubo sa nipis nga pelikula nga epitaxial Ang substrate naghatag ug pisikal nga layer sa suporta o conductive layer para sa mga Ga2O3 power device. Ang sunod nga importante nga layer mao ang channel layer o epitaxial layer nga gigamit para sa voltage resistance ug carrier transport. Aron madugangan ang breakdown voltage ug maminusan ang con...
Basaha ang dugang pa
Teknolohiya sa pagtubo sa Gallium oxide nga single crystal ug epitaxial
ni admin niadtong 24-05-30
Ang mga semiconductor nga lapad nga bandgap (WBG) nga girepresentahan sa silicon carbide (SiC) ug gallium nitride (GaN) nakadawat og kaylap nga atensyon. Ang mga tawo adunay taas nga gilauman alang sa mga palaaboton sa aplikasyon sa silicon carbide sa mga de-kuryenteng sakyanan ug mga power grid, ingon man ang mga palaaboton sa aplikasyon sa gallium...
Basaha ang dugang pa
Unsa ang mga teknikal nga babag sa silicon carbide? II
ni admin niadtong 24-05-22
Ang mga teknikal nga kalisud sa lig-on nga paghimo og taas nga kalidad nga silicon carbide wafers nga adunay lig-on nga performance naglakip sa: 1) Tungod kay ang mga kristal kinahanglan nga motubo sa usa ka high-temperature sealed environment nga labaw sa 2000°C, ang mga kinahanglanon sa pagkontrol sa temperatura taas kaayo; 2) Tungod kay ang silicon carbide adunay ...
Basaha ang dugang pa
Unsa ang mga teknikal nga babag sa silicon carbide?
ni admin niadtong 24-05-22
Ang unang henerasyon sa mga materyales sa semiconductor girepresentahan sa tradisyonal nga silicon (Si) ug germanium (Ge), nga mao ang basehan sa paggama sa integrated circuit. Kini kaylap nga gigamit sa mga low-voltage, low-frequency, ug low-power transistors ug detectors. Kapin sa 90% sa mga semiconductor prod...
Basaha ang dugang pa
Giunsa paghimo ang SiC micro powder?
ni admin niadtong 24-05-13
Ang SiC single crystal usa ka Group IV-IV compound semiconductor material nga gilangkoban sa duha ka elemento, ang Si ug C, sa stoichiometric ratio nga 1:1. Ang katig-a niini ikaduha lamang sa diamante. Ang pamaagi sa carbon reduction sa silicon oxide aron maandam ang SiC gibase sa mosunod nga pormula sa kemikal nga reaksyon...
Basaha ang dugang pa
Giunsa pagtabang sa mga epitaxial layer ang mga semiconductor device?
ni admin niadtong 24-05-13
Ang gigikanan sa ngalan nga epitaxial wafer Una, atong i-popularize ang usa ka gamay nga konsepto: ang pag-andam sa wafer naglakip sa duha ka dagkong sumpay: pag-andam sa substrate ug proseso sa epitaxial. Ang substrate usa ka wafer nga hinimo sa semiconductor single crystal nga materyal. Ang substrate mahimong direktang mosulod sa paggama sa wafer...
Basaha ang dugang pa
Pasiuna sa teknolohiya sa pagdeposito sa nipis nga pelikula sa kemikal nga alisngaw (CVD)
ni admin niadtong 24-05-06
Ang Chemical Vapor Deposition (CVD) usa ka importante nga teknolohiya sa thin film deposition, nga sagad gigamit sa pag-andam sa lain-laing mga functional film ug thin-layer nga mga materyales, ug kaylap nga gigamit sa paggama sa semiconductor ug uban pang mga natad. 1. Prinsipyo sa pagtrabaho sa CVD Sa proseso sa CVD, usa ka gas precursor (usa o...
Basaha ang dugang pa