-
சிலிக்கான் கார்பைடு படிக வளர்ச்சி உலையின் தொழில்நுட்பச் சிக்கல்கள் யாவை?
படிக வளர்ச்சி உலை என்பது சிலிக்கான் கார்பைடு படிக வளர்ச்சிக்கான முக்கிய உபகரணமாகும். இது பாரம்பரிய படிக சிலிக்கான் தரப் படிக வளர்ச்சி உலையைப் போன்றது. உலையின் கட்டமைப்பு மிகவும் சிக்கலானதல்ல. இது முக்கியமாக உலையின் உடல், வெப்பமூட்டும் அமைப்பு, சுருள் பரிமாற்ற இயங்குமுறை ஆகியவற்றால் ஆனது...மேலும் படிக்கவும் -
சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடெக்சியல் அடுக்கின் குறைபாடுகள் யாவை?
SiC எபிடெக்சியல் பொருட்களின் வளர்ச்சிக்கான மையத் தொழில்நுட்பம் முதன்மையாக குறைபாட்டுக் கட்டுப்பாட்டுத் தொழில்நுட்பமாகும், குறிப்பாக சாதனச் செயலிழப்பு அல்லது நம்பகத்தன்மை சீரழிவுக்கு ஆளாகக்கூடிய குறைபாட்டுக் கட்டுப்பாட்டுத் தொழில்நுட்பமாகும். அடி மூலக்கூறு குறைபாடுகள் எபிடெக்சியல் அடுக்குகளுக்குள் பரவும் பொறிமுறையைப் பற்றிய ஆய்வு...மேலும் படிக்கவும் -
ஆக்சிஜனேற்றப்பட்ட நிலை தானியம் மற்றும் எபிடெக்சியல் வளர்ச்சி தொழில்நுட்பம்-Ⅱ
2. எபிடாக்ஸியல் மென்படல வளர்ச்சி: அடிமூலக்கூறானது Ga2O3 ஆற்றல் சாதனங்களுக்கு ஒரு பௌதீக ஆதரவு அடுக்கை அல்லது கடத்தும் அடுக்கை வழங்குகிறது. அடுத்த முக்கியமான அடுக்கு, மின்னழுத்த எதிர்ப்பு மற்றும் கேரியர் கடத்தலுக்காகப் பயன்படுத்தப்படும் சேனல் அடுக்கு அல்லது எபிடாக்ஸியல் அடுக்கு ஆகும். முறிவு மின்னழுத்தத்தை அதிகரிக்கவும், கடத்துத்திறனைக் குறைக்கவும்...மேலும் படிக்கவும் -
காலியம் ஆக்சைடு ஒற்றைப் படிகம் மற்றும் எபிடெக்சியல் வளர்ச்சி தொழில்நுட்பம்
சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) மற்றும் காலியம் நைட்ரைடு (GaN) ஆகியவற்றால் குறிப்பிடப்படும் அகன்ற பட்டை இடைவெளி (WBG) குறைக்கடத்திகள் பரவலான கவனத்தைப் பெற்றுள்ளன. மின்சார வாகனங்கள் மற்றும் மின் கட்டமைப்புகளில் சிலிக்கான் கார்பைடின் பயன்பாட்டு வாய்ப்புகள் குறித்தும், அதேபோல் காலியத்தின் பயன்பாட்டு வாய்ப்புகள் குறித்தும் மக்கள் அதிக எதிர்பார்ப்புகளைக் கொண்டுள்ளனர்...மேலும் படிக்கவும் -
சிலிக்கான் கார்பைடுக்கான தொழில்நுட்பத் தடைகள் யாவை?Ⅱ
நிலையான செயல்திறனுடன் கூடிய உயர்தர சிலிக்கான் கார்பைடு வேஃபர்களை நிலையாகப் பெருமளவில் உற்பத்தி செய்வதில் உள்ள தொழில்நுட்பச் சிக்கல்களில் பின்வருவன அடங்கும்: 1) படிகங்கள் 2000°C-க்கு மேற்பட்ட உயர்-வெப்பநிலை மூடிய சூழலில் வளர வேண்டியிருப்பதால், வெப்பநிலை கட்டுப்பாட்டுத் தேவைகள் மிகவும் அதிகமாக உள்ளன; 2) சிலிக்கான் கார்பைடு கொண்டிருப்பதால்...மேலும் படிக்கவும் -
சிலிக்கான் கார்பைடுக்கு உள்ள தொழில்நுட்பத் தடைகள் என்னென்ன?
முதல் தலைமுறை குறைக்கடத்திப் பொருட்கள், ஒருங்கிணைந்த மின்சுற்று உற்பத்திக்கு அடிப்படையாக விளங்கும் பாரம்பரிய சிலிக்கான் (Si) மற்றும் ஜெர்மானியம் (Ge) ஆகியவற்றால் குறிப்பிடப்படுகின்றன. அவை குறைந்த மின்னழுத்தம், குறைந்த அதிர்வெண் மற்றும் குறைந்த மின்னேற்றம் கொண்ட டிரான்சிஸ்டர்கள் மற்றும் கண்டறிவான்களில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. 90%-க்கும் மேற்பட்ட குறைக்கடத்தி உற்பத்திப் பொருட்கள்...மேலும் படிக்கவும் -
SiC நுண்தூள் எவ்வாறு தயாரிக்கப்படுகிறது?
SiC ஒற்றைப் படிகம் என்பது, Si மற்றும் C ஆகிய இரண்டு தனிமங்கள் 1:1 என்ற விகிதத்தில் இணைந்து உருவான, குரூப் IV-IV வகையைச் சேர்ந்த ஒரு கூட்டு குறைக்கடத்திப் பொருளாகும். இதன் கடினத்தன்மை வைரத்திற்கு அடுத்தபடியாக உள்ளது. SiC-ஐத் தயாரிப்பதற்கான சிலிக்கான் ஆக்சைடின் கார்பன் ஒடுக்க முறையானது, முக்கியமாகப் பின்வரும் வேதிவினைச் சூத்திரத்தை அடிப்படையாகக் கொண்டது...மேலும் படிக்கவும் -
எபிடெக்சியல் அடுக்குகள் குறைக்கடத்தி சாதனங்களுக்கு எவ்வாறு உதவுகின்றன?
எபிடாக்ஸியல் வேஃபர் என்ற பெயரின் தோற்றம். முதலில், ஒரு சிறிய கருத்தைப் புரிந்துகொள்வோம்: வேஃபர் தயாரிப்பில் இரண்டு முக்கிய அம்சங்கள் உள்ளன: சப்ஸ்ட்ரேட் தயாரிப்பு மற்றும் எபிடாக்ஸியல் செயல்முறை. சப்ஸ்ட்ரேட் என்பது குறைக்கடத்தி ஒற்றைப் படிகப் பொருளால் செய்யப்பட்ட ஒரு வேஃபர் ஆகும். சப்ஸ்ட்ரேட்டை நேரடியாக வேஃபர் உற்பத்திச் செயல்முறைக்குள் நுழையலாம்...மேலும் படிக்கவும் -
இரசாயன ஆவிப் படிவு (CVD) மென்படலப் படிவுத் தொழில்நுட்பத்திற்கான அறிமுகம்
இரசாயன ஆவிப் படிவு (CVD) என்பது ஒரு முக்கியமான மென்படலப் படிவுத் தொழில்நுட்பமாகும். இது பல்வேறு செயல்பாட்டுப் படலங்களையும் மென்படலப் பொருட்களையும் தயாரிக்கப் பயன்படுகிறது. மேலும், இது குறைக்கடத்தி உற்பத்தி மற்றும் பிற துறைகளிலும் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. 1. CVD-யின் செயல்பாட்டுக் கொள்கை: CVD செயல்முறையில், ஒரு வாயு முன்னோடி (ஒன்று அல்லது...மேலும் படிக்கவும்