వార్తలు

సిలికాన్ కార్బైడ్ స్ఫటిక వృద్ధి కొలిమిలో సాంకేతిక ఇబ్బందులు ఏమిటి?
అడ్మిన్ ద్వారా 24-06-07న
సిలికాన్ కార్బైడ్ స్ఫటిక వృద్ధికి స్ఫటిక వృద్ధి కొలిమి ప్రధాన పరికరం. ఇది సాంప్రదాయ స్ఫటికాకార సిలికాన్ గ్రేడ్ స్ఫటిక వృద్ధి కొలిమిని పోలి ఉంటుంది. కొలిమి నిర్మాణం అంత సంక్లిష్టంగా ఉండదు. ఇది ప్రధానంగా కొలిమి భాగం, తాపన వ్యవస్థ, కాయిల్ ప్రసార యంత్రాంగం... వంటి వాటితో కూడి ఉంటుంది.
మరింత చదవండి
సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క లోపాలు ఏమిటి?
అడ్మిన్ ద్వారా 24-06-05న
SiC ఎపిటాక్సియల్ పదార్థాల వృద్ధికి ప్రధాన సాంకేతికత, మొదటగా లోప నియంత్రణ సాంకేతికత, ముఖ్యంగా పరికర వైఫల్యం లేదా విశ్వసనీయత క్షీణతకు దారితీసే లోప నియంత్రణ సాంకేతికత. సబ్‌స్ట్రేట్ లోపాలు ఎపిటాక్సియల్ పొరలోకి విస్తరించే విధానం యొక్క అధ్యయనం...
మరింత చదవండి
ఆక్సీకరణ చెందిన స్టాండింగ్ గ్రెయిన్ మరియు ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ టెక్నాలజీ-Ⅱ
అడ్మిన్ ద్వారా 24-05-30న
2. ఎపిటాక్సియల్ పలుచని పొర పెరుగుదల: సబ్‌స్ట్రేట్ Ga2O3 పవర్ పరికరాలకు భౌతిక సహాయక పొర లేదా వాహక పొరను అందిస్తుంది. తదుపరి ముఖ్యమైన పొర ఛానల్ పొర లేదా ఎపిటాక్సియల్ పొర, ఇది వోల్టేజ్ నిరోధకత మరియు క్యారియర్ రవాణా కోసం ఉపయోగించబడుతుంది. బ్రేక్‌డౌన్ వోల్టేజ్‌ను పెంచడానికి మరియు వాహకతను తగ్గించడానికి...
మరింత చదవండి
గాలియం ఆక్సైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ మరియు ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ టెక్నాలజీ
అడ్మిన్ ద్వారా 24-05-30న
సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) మరియు గాలియం నైట్రైడ్ (GaN) వంటి వైడ్ బ్యాండ్‌గ్యాప్ (WBG) సెమీకండక్టర్లు విస్తృతమైన దృష్టిని ఆకర్షించాయి. ఎలక్ట్రిక్ వాహనాలు మరియు పవర్ గ్రిడ్‌లలో సిలికాన్ కార్బైడ్ యొక్క అనువర్తన అవకాశాలపై, అలాగే గాలియం యొక్క అనువర్తన అవకాశాలపై ప్రజలకు అధిక అంచనాలు ఉన్నాయి...
మరింత చదవండి
సిలికాన్ కార్బైడ్‌కు ఉన్న సాంకేతిక అవరోధాలు ఏమిటి?Ⅱ
అడ్మిన్ ద్వారా 24-05-22న
స్థిరమైన పనితీరుతో అధిక నాణ్యత గల సిలికాన్ కార్బైడ్ వేఫర్‌లను స్థిరంగా భారీ స్థాయిలో ఉత్పత్తి చేయడంలో ఉన్న సాంకేతిక ఇబ్బందులు: 1) స్ఫటికాలు 2000°C కంటే ఎక్కువ ఉష్ణోగ్రత గల సీల్డ్ వాతావరణంలో పెరగవలసి ఉన్నందున, ఉష్ణోగ్రత నియంత్రణ అవసరాలు చాలా ఎక్కువగా ఉంటాయి; 2) సిలికాన్ కార్బైడ్‌కు ...
మరింత చదవండి
సిలికాన్ కార్బైడ్‌కు ఉన్న సాంకేతిక అవరోధాలు ఏమిటి?
అడ్మిన్ ద్వారా 24-05-22న
మొదటి తరం సెమీకండక్టర్ పదార్థాలు సాంప్రదాయ సిలికాన్ (Si) మరియు జెర్మేనియం (Ge) లతో ప్రాతినిధ్యం వహిస్తాయి, ఇవి ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్ తయారీకి ఆధారం. వీటిని తక్కువ-వోల్టేజ్, తక్కువ-ఫ్రీక్వెన్సీ మరియు తక్కువ-పవర్ ట్రాన్సిస్టర్‌లు మరియు డిటెక్టర్‌లలో విస్తృతంగా ఉపయోగిస్తారు. 90% కంటే ఎక్కువ సెమీకండక్టర్ ఉత్పత్తులు...
మరింత చదవండి
SiC మైక్రో పౌడర్‌ను ఎలా తయారు చేస్తారు?
అడ్మిన్ ద్వారా 24-05-13న
SiC సింగిల్ క్రిస్టల్ అనేది గ్రూప్ IV-IV సమ్మేళన సెమీకండక్టర్ పదార్థం, ఇది Si మరియు C అనే రెండు మూలకాలతో 1:1 స్టోయికియోమెట్రిక్ నిష్పత్తిలో ఏర్పడుతుంది. దీని కాఠిన్యం వజ్రం తర్వాత రెండవ స్థానంలో ఉంటుంది. SiC ను తయారు చేయడానికి ఉపయోగించే సిలికాన్ ఆక్సైడ్ యొక్క కార్బన్ రిడక్షన్ పద్ధతి ప్రధానంగా ఈ క్రింది రసాయన చర్య సూత్రంపై ఆధారపడి ఉంటుంది...
మరింత చదవండి
ఎపిటాక్సియల్ పొరలు సెమీకండక్టర్ పరికరాలకు ఎలా సహాయపడతాయి?
అడ్మిన్ ద్వారా 24-05-13న
ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ అనే పేరు యొక్క మూలం. ముందుగా, ఒక చిన్న భావనను సులభంగా అర్థమయ్యేలా చేద్దాం: వేఫర్ తయారీలో రెండు ప్రధాన దశలు ఉంటాయి: సబ్‌స్ట్రేట్ తయారీ మరియు ఎపిటాక్సియల్ ప్రక్రియ. సబ్‌స్ట్రేట్ అనేది సెమీకండక్టర్ సింగిల్ క్రిస్టల్ పదార్థంతో తయారు చేయబడిన ఒక వేఫర్. సబ్‌స్ట్రేట్ నేరుగా వేఫర్ తయారీ ప్రక్రియలోకి ప్రవేశించగలదు...
మరింత చదవండి
రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) సన్నని పొర నిక్షేపణ సాంకేతికతకు పరిచయం
అడ్మిన్ ద్వారా 24-05-06న
కెమికల్ వేపర్ డిపోజిషన్ (CVD) అనేది ఒక ముఖ్యమైన పలుచని పొరలను నిక్షేపించే సాంకేతికత. దీనిని తరచుగా వివిధ ఫంక్షనల్ ఫిల్మ్‌లు మరియు పలుచని-పొర పదార్థాలను తయారు చేయడానికి ఉపయోగిస్తారు, మరియు ఇది సెమీకండక్టర్ తయారీ మరియు ఇతర రంగాలలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది. 1. CVD యొక్క పని సూత్రం CVD ప్రక్రియలో, ఒక వాయు పూర్వగామి (ఒకటి లేదా...
మరింత చదవండి