Яңалыклар

Кремний карбиды кристалл үстерү миченең техник кыенлыклары нинди?
admin тарафыннан 24-06-07 көнне
Кристалл үстерү миче - кремний карбиды кристалл үстерү өчен төп җиһаз. Ул традицион кристалл кремний класслы кристалл үстерү миченә охшаган. Мич структурасы бик катлаулы түгел. Ул, нигездә, мич корпусыннан, җылыту системасыннан, катушка тапшыру механизмыннан тора...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбиды эпитаксиаль катламының кимчелекләре нинди?
admin тарафыннан 24-06-05 көнне
SiC эпитаксиаль материалларын үстерүнең төп технологиясе, беренче чиратта, җитешсезлекләрне контрольдә тоту технологиясе, бигрәк тә җайланмаларның эшләмәвенә яки ышанычлылыгының начарлануына дучар булган җитешсезлекләрне контрольдә тоту технологиясе өчен. Субстрат җитешсезлекләренең эпитаксиаль катламга таралу механизмын өйрәнү...
Күбрәк укыгыз
Оксидлаштырылган торган бөртек һәм эпитаксиаль үстерү технологиясе - II
admin тарафыннан 24-05-30 көнне
2. Эпитаксиаль юка пленка үсеше Субстрат Ga2O3 көч җайланмалары өчен физик ярдәм катламы яки үткәргеч катлам бирә. Киләсе мөһим катлам - көчәнешкә каршы тору һәм ташучыларны ташу өчен кулланыла торган канал катламы яки эпитаксиаль катлам. Ватылу көчәнешен арттыру һәм конденсацияне минимальләштерү өчен...
Күбрәк укыгыз
Галлий оксиды монокристаллы һәм эпитаксиаль үсеш технологиясе
admin тарафыннан 24-05-30 көнне
Кремний карбиды (SiC) һәм галлий нитриды (GaN) белән күрсәтелгән киң зоналы ярымүткәргечләр киң игътибар җәлеп итте. Кешеләр кремний карбидын электр транспорт чараларында һәм электр челтәрләрендә куллану перспективаларына, шулай ук галлий куллану перспективаларына зур өметләр баглыйлар...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбиды өчен техник киртәләр нинди?
admin тарафыннан 24-05-22 көнне
Тотрыклы эшләүчән югары сыйфатлы кремний карбиды пластиналарын тотрыклы рәвештә күпләп җитештерүдәге техник кыенлыклар түбәндәгеләрне үз эченә ала: 1) Кристалллар 2000°C тан югарырак югары температуралы ябык мохиттә үсәргә тиеш булганлыктан, температураны контрольдә тоту таләпләре бик югары; 2) Кремний карбиды ...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбиды өчен техник киртәләр нинди?
admin тарафыннан 24-05-22 көнне
Ярымүткәргеч материалларның беренче буыны традицион кремний (Si) һәм германий (Ge) белән тәкъдим ителә, алар интеграль микросхемалар җитештерү өчен нигез булып тора. Алар түбән вольтлы, түбән ешлыклы һәм түбән куәтле транзисторларда һәм детекторларда киң кулланыла. Ярымүткәргеч продуктларының 90% тан артыгы...
Күбрәк укыгыз
SiC микро порошогы ничек ясала?
admin тарафыннан 24-05-13 көнне
SiC монокристалы - 1:1 стехиометрик нисбәтендә ике элементтан, Si һәм C дан торган IV-IV төркемле ярымүткәргеч кушылма материал. Аның катылыгы алмаздан кала икенче урында тора. SiC әзерләү өчен кремний оксидын углерод белән торгызу ысулы, нигездә, түбәндәге химик реакция формуласына нигезләнгән...
Күбрәк укыгыз
Эпитаксиаль катламнар ярымүткәргеч җайланмаларга ничек ярдәм итә?
admin тарафыннан 24-05-13 көнне
Эпитаксиаль пластина исеменең килеп чыгышы Башта, кечкенә бер төшенчәне популярлаштырыйк: пластина әзерләү ике төп звеноны үз эченә ала: субстрат әзерләү һәм эпитаксиаль процесс. Субстрат - ярымүткәргеч монокристалл материалдан ясалган пластина. Субстрат пластина җитештерүчесенә турыдан-туры керә ала...
Күбрәк укыгыз
Химик пар белән каплау (CVD) юка пленка белән каплау технологиясенә кереш
admin тарафыннан 24-05-06 көнне
Химик пар чыгару (ХПЧ) - төрле функциональ пленкалар һәм юка катламлы материаллар әзерләү өчен еш кулланыла торган мөһим юка пленка чыгару технологиясе, ул ярымүткәргечләр җитештерүдә һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла. 1. ХПЧның эш принцибы ХПЧ процессында газ прекурсоры (бер яки...
Күбрәк укыгыз