ព័ត៌មាន

តើអ្វីទៅជាបញ្ហាបច្ចេកទេសនៃឡសម្រាប់លូតលាស់គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនកាប៊ីដ?
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-07
ឡសម្រាប់ដាំគ្រីស្តាល់គឺជាឧបករណ៍ស្នូលសម្រាប់ដាំគ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនកាប៊ីត។ វាស្រដៀងគ្នានឹងឡសម្រាប់ដាំគ្រីស្តាល់ថ្នាក់ស៊ីលីកុនគ្រីស្តាល់ប្រពៃណី។ រចនាសម្ព័ន្ធឡមិនស្មុគស្មាញខ្លាំងទេ។ វាភាគច្រើនផ្សំឡើងពីតួឡ ប្រព័ន្ធកំដៅ យន្តការបញ្ជូនខ្សែរុំ...
អានបន្ថែម
តើអ្វីទៅជាចំណុចខ្វះខាតនៃស្រទាប់ epitaxial ស៊ីលីកុនកាបៃ
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-05
បច្ចេកវិទ្យាស្នូលសម្រាប់ការរីកចម្រើននៃសម្ភារៈ SiC epitaxial គឺជាបច្ចេកវិទ្យាគ្រប់គ្រងកំហុសឆ្គង ជាដំបូង ជាពិសេសសម្រាប់បច្ចេកវិទ្យាគ្រប់គ្រងកំហុសឆ្គងដែលងាយនឹងបរាជ័យឧបករណ៍ ឬការធ្លាក់ចុះភាពជឿជាក់។ ការសិក្សាអំពីយន្តការនៃកំហុសឆ្គងស្រទាប់ខាងក្រោមដែលលាតសន្ធឹងចូលទៅក្នុង epi...
អានបន្ថែម
បច្ចេកវិទ្យាលូតលាស់គ្រាប់ធញ្ញជាតិដែលឈរដោយអុកស៊ីដ និង epitaxial - II
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-05-30
2. ការលូតលាស់ខ្សែភាពយន្តស្តើង Epitaxial ស្រទាប់ខាងក្រោមផ្តល់នូវស្រទាប់ទ្រទ្រង់រូបវន្ត ឬស្រទាប់ដឹកនាំសម្រាប់ឧបករណ៍ថាមពល Ga2O3។ ស្រទាប់សំខាន់បន្ទាប់គឺស្រទាប់ឆានែល ឬស្រទាប់ epitaxial ដែលប្រើសម្រាប់ភាពធន់នឹងវ៉ុល និងការដឹកជញ្ជូនឧបករណ៍ផ្ទុក។ ដើម្បីបង្កើនវ៉ុលបំបែក និងកាត់បន្ថយការប៉ះទង្គិច...
អានបន្ថែម
បច្ចេកវិទ្យាគ្រីស្តាល់តែមួយអុកស៊ីដហ្គាលីញ៉ូម និងការលូតលាស់អេពីតាក់ស៊ីល
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-05-30
បន្ទះឈីបស៊ីមីកុងដុកទ័រដែលមានគម្លាតប្រេកង់ធំទូលាយ (WBG) ដែលតំណាងដោយស៊ីលីកុនកាប៊ីដ (SiC) និងហ្គាលីញ៉ូមនីទ្រីត (GaN) បានទទួលការចាប់អារម្មណ៍យ៉ាងទូលំទូលាយ។ មនុស្សមានការរំពឹងទុកខ្ពស់ចំពោះទស្សនវិស័យនៃការប្រើប្រាស់ស៊ីលីកុនកាប៊ីដនៅក្នុងយានយន្តអគ្គិសនី និងបណ្តាញអគ្គិសនី ក៏ដូចជាទស្សនវិស័យនៃការប្រើប្រាស់ហ្គាលីញ៉ូម...
អានបន្ថែម
តើអ្វីទៅជាឧបសគ្គបច្ចេកទេសចំពោះស៊ីលីកុនកាបៃ?Ⅱ
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-05-22
ការលំបាកផ្នែកបច្ចេកទេសក្នុងការផលិតបន្ទះស៊ីលីកុនកាប៊ីតដែលមានគុណភាពខ្ពស់ និងមានស្ថេរភាព រួមមាន៖ ១) ដោយសារគ្រីស្តាល់ត្រូវការលូតលាស់នៅក្នុងបរិយាកាសបិទជិតដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់លើសពី ២០០០°C តម្រូវការត្រួតពិនិត្យសីតុណ្ហភាពគឺខ្ពស់ខ្លាំងណាស់។ ២) ដោយសារស៊ីលីកុនកាប៊ីតមាន ...
អានបន្ថែម
តើអ្វីទៅជាឧបសគ្គបច្ចេកទេសចំពោះស៊ីលីកុនកាប៊ីដ?
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-05-22
សម្ភារៈស៊ីមីកុងដុកទ័រជំនាន់ទីមួយត្រូវបានតំណាងដោយស៊ីលីកុន (Si) និងហ្សឺម៉ាញ៉ូម (Ge) ប្រពៃណី ដែលជាមូលដ្ឋានសម្រាប់ការផលិតសៀគ្វីរួម។ ពួកវាត្រូវបានគេប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងត្រង់ស៊ីស្ទ័រ និងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាវ៉ុលទាប ប្រេកង់ទាប និងថាមពលទាប។ ជាង 90% នៃផលិតផលស៊ីមីកុងដុកទ័រ...
អានបន្ថែម
តើម្សៅមីក្រូ SiC ត្រូវបានផលិតយ៉ាងដូចម្តេច?
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-05-13
គ្រីស្តាល់តែមួយ SiC គឺជាសម្ភារៈស៊ីមីកុងដុកទ័រសមាសធាតុក្រុម IV-IV ដែលផ្សំឡើងពីធាតុពីរគឺ Si និង C ក្នុងសមាមាត្រស្តូគីយ៉ូម៉ែត្រិច 1:1។ ភាពរឹងរបស់វាស្ថិតនៅលំដាប់ទីពីរបន្ទាប់ពីពេជ្រ។ វិធីសាស្ត្រកាត់បន្ថយកាបូននៃអុកស៊ីដស៊ីលីកុនដើម្បីរៀបចំ SiC គឺផ្អែកលើរូបមន្តប្រតិកម្មគីមីដូចខាងក្រោម...
អានបន្ថែម
តើស្រទាប់ epitaxial ជួយឧបករណ៍ semiconductor យ៉ាងដូចម្តេច?
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-05-13
ប្រភពដើមនៃឈ្មោះបន្ទះសៀគ្វីអេពីតាក់ស៊ីល ដំបូង ចូរយើងធ្វើឱ្យគោលគំនិតតូចមួយមានប្រជាប្រិយភាព៖ ការរៀបចំបន្ទះសៀគ្វីរួមមានតំណភ្ជាប់សំខាន់ពីរ៖ ការរៀបចំស្រទាប់ខាងក្រោម និងដំណើរការអេពីតាក់ស៊ីល។ ស្រទាប់ខាងក្រោមគឺជាបន្ទះសៀគ្វីដែលធ្វើពីវត្ថុធាតុគ្រីស្តាល់តែមួយរបស់ស៊ីមីកុងដុកទ័រ។ ស្រទាប់ខាងក្រោមអាចចូលទៅក្នុងរោងចក្រផលិតបន្ទះសៀគ្វីដោយផ្ទាល់...
អានបន្ថែម
សេចក្តីផ្តើមអំពីបច្ចេកវិទ្យាដាក់ស្រទាប់ស្តើងនៃចំហាយគីមី (CVD)
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-05-06
ការដាក់ចំហាយគីមី (CVD) គឺជាបច្ចេកវិទ្យាដាក់ស្រទាប់ស្តើងដ៏សំខាន់មួយ ដែលជារឿយៗត្រូវបានប្រើដើម្បីរៀបចំស្រទាប់មុខងារផ្សេងៗ និងសម្ភារៈស្រទាប់ស្តើង ហើយត្រូវបានគេប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងការផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក និងវិស័យផ្សេងៗទៀត។ ១. គោលការណ៍ធ្វើការរបស់ CVD នៅក្នុងដំណើរការ CVD សារធាតុបឋមឧស្ម័ន (មួយ ឬ...
អានបន្ថែម