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Quais são as dificuldades técnicas do forno de crescimento de cristais de carbeto de silício?
por admin em 24-06-07
O forno de crescimento de cristais é o equipamento principal para o crescimento de cristais de carbeto de silício. É semelhante ao forno tradicional de crescimento de cristais de silício cristalino. A estrutura do forno não é muito complexa. É composta principalmente pelo corpo do forno, sistema de aquecimento, mecanismo de transmissão da bobina...
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Quais são os defeitos da camada epitaxial de carbeto de silício?
por admin em 24-06-05
A tecnologia central para o crescimento de materiais epitaxiais de SiC é, em primeiro lugar, a tecnologia de controle de defeitos, especialmente para defeitos que podem levar a falhas ou degradação da confiabilidade do dispositivo. O estudo do mecanismo de propagação de defeitos do substrato para o epi...
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Tecnologia de crescimento epitaxial e grãos em pé oxidados-II
Por admin em 24-05-30
2. Crescimento epitaxial de filmes finos O substrato fornece uma camada de suporte físico ou camada condutora para dispositivos de potência de Ga2O3. A próxima camada importante é a camada de canal ou camada epitaxial, utilizada para resistência à tensão e transporte de portadores. Para aumentar a tensão de ruptura e minimizar a capacitância...
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Tecnologia de crescimento epitaxial e de monocristais de óxido de gálio
Por admin em 24-05-30
Semicondutores de banda proibida larga (WBG), como o carbeto de silício (SiC) e o nitreto de gálio (GaN), têm recebido grande atenção. Há grandes expectativas em relação às aplicações do carbeto de silício em veículos elétricos e redes elétricas, assim como em relação às aplicações do nitreto de gálio...
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Quais são as barreiras técnicas para o carbeto de silício?
Por admin em 24-05-22
As dificuldades técnicas na produção em massa e estável de wafers de carbeto de silício de alta qualidade e com desempenho estável incluem: 1) Como os cristais precisam crescer em um ambiente selado de alta temperatura acima de 2000 °C, os requisitos de controle de temperatura são extremamente elevados; 2) Como o carbeto de silício possui...
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Quais são as barreiras técnicas para o carboneto de silício?
Por admin em 24-05-22
A primeira geração de materiais semicondutores é representada pelo silício (Si) e germânio (Ge) tradicionais, que são a base para a fabricação de circuitos integrados. Eles são amplamente utilizados em transistores e detectores de baixa tensão, baixa frequência e baixo consumo de energia. Mais de 90% da produção de semicondutores...
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Como é produzido o micropó de SiC?
Por admin em 24-05-13
O monocristal de SiC é um material semicondutor composto do Grupo IV-IV, formado por dois elementos, Si e C, em uma proporção estequiométrica de 1:1. Sua dureza só perde para a do diamante. O método de redução do óxido de silício com carbono para a preparação do SiC baseia-se principalmente na seguinte fórmula de reação química...
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Como as camadas epitaxiais auxiliam os dispositivos semicondutores?
Por admin em 24-05-13
A origem do nome wafer epitaxial. Primeiramente, vamos popularizar um conceito simples: a preparação de um wafer envolve duas etapas principais: a preparação do substrato e o processo epitaxial. O substrato é um wafer feito de material semicondutor monocristalino. O substrato pode entrar diretamente na linha de fabricação do wafer...
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Introdução à tecnologia de deposição de filmes finos por deposição química de vapor (CVD)
por admin em 24-05-06
A deposição química de vapor (CVD) é uma importante tecnologia de deposição de filmes finos, frequentemente utilizada para preparar diversos filmes funcionais e materiais de camada fina, sendo amplamente empregada na fabricação de semicondutores e em outros campos. 1. Princípio de funcionamento da CVD No processo de CVD, um gás precursor (um ou mais gases) é utilizado para depositar vapor de uma substância rica em nitrogênio ou outros minerais.
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