সংবাদ

সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেসের প্রযুক্তিগত অসুবিধাগুলো কী কী?
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-০৭ তারিখে
ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেস হলো সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল বৃদ্ধির মূল সরঞ্জাম। এটি প্রচলিত ক্রিস্টালাইন সিলিকন গ্রেড ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেসের মতোই। ফার্নেসের গঠন খুব বেশি জটিল নয়। এটি প্রধানত ফার্নেস বডি, হিটিং সিস্টেম, কয়েল ট্রান্সমিশন মেকানিজম ইত্যাদি নিয়ে গঠিত।
আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইড এপিটেক্সিয়াল স্তরের ত্রুটিগুলো কী কী?
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-০৫ তারিখে
SiC এপিটেক্সিয়াল উপাদানের বৃদ্ধির জন্য মূল প্রযুক্তি হলো প্রথমত ত্রুটি নিয়ন্ত্রণ প্রযুক্তি, বিশেষ করে সেইসব ত্রুটি নিয়ন্ত্রণ প্রযুক্তি যা ডিভাইসের ব্যর্থতা বা নির্ভরযোগ্যতার অবনতির কারণ হতে পারে। সাবস্ট্রেটের ত্রুটি কীভাবে এপিটেক্সিয়াল স্তরে বিস্তৃত হয় তার কার্যপ্রণালীর অধ্যয়ন...
আরও পড়ুন
জারিত দণ্ডায়মান শস্য এবং এপিটেক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রযুক্তি-২
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-৩০ তারিখে
২. এপিট্যাক্সিয়াল পাতলা ফিল্মের বৃদ্ধি: সাবস্ট্রেটটি Ga2O3 পাওয়ার ডিভাইসগুলির জন্য একটি ভৌত সহায়ক স্তর বা পরিবাহী স্তর প্রদান করে। পরবর্তী গুরুত্বপূর্ণ স্তরটি হলো চ্যানেল স্তর বা এপিট্যাক্সিয়াল স্তর, যা ভোল্টেজ প্রতিরোধ এবং ক্যারিয়ার পরিবহনের জন্য ব্যবহৃত হয়। ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বাড়াতে এবং পরিবাহিতা কমাতে...
আরও পড়ুন
গ্যালিয়াম অক্সাইড একক স্ফটিক এবং এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রযুক্তি
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-৩০ তারিখে
সিলিকন কার্বাইড (SiC) এবং গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)-এর মতো প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ (WBG) সেমিকন্ডাক্টরগুলো ব্যাপক মনোযোগ আকর্ষণ করেছে। বৈদ্যুতিক যানবাহন ও পাওয়ার গ্রিডে সিলিকন কার্বাইডের প্রয়োগ সম্ভাবনা, এবং সেইসাথে গ্যালিয়ামের প্রয়োগ সম্ভাবনা নিয়েও মানুষের উচ্চ প্রত্যাশা রয়েছে...
আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইডের প্রযুক্তিগত বাধাগুলো কী কী?Ⅱ
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-২২ তারিখে
স্থিতিশীল কর্মক্ষমতাসহ উচ্চ-মানের সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার স্থিতিশীলভাবে ব্যাপক পরিমাণে উৎপাদন করার ক্ষেত্রে প্রযুক্তিগত অসুবিধাগুলোর মধ্যে রয়েছে: ১) যেহেতু ক্রিস্টালগুলোকে ২০০০°C-এর বেশি তাপমাত্রার একটি আবদ্ধ পরিবেশে বৃদ্ধি পেতে হয়, তাই তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণের প্রয়োজনীয়তা অত্যন্ত বেশি; ২) যেহেতু সিলিকন কার্বাইডের...
আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইডের ক্ষেত্রে প্রযুক্তিগত বাধাগুলো কী কী?
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-২২ তারিখে
প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলোর মধ্যে রয়েছে প্রচলিত সিলিকন (Si) এবং জার্মেনিয়াম (Ge), যা ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরির ভিত্তি। এগুলো নিম্ন-ভোল্টেজ, নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি এবং স্বল্প-শক্তির ট্রানজিস্টর ও ডিটেক্টরে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। ৯০%-এরও বেশি সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন...
আরও পড়ুন
SiC মাইক্রো পাউডার কীভাবে তৈরি করা হয়?
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-১৩ তারিখে
SiC একক স্ফটিক হলো গ্রুপ IV-IV এর একটি যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর উপাদান, যা ১:১ স্টোইকিওমেট্রিক অনুপাতে Si এবং C এই দুটি মৌল দ্বারা গঠিত। কাঠিন্যের দিক থেকে এটি হীরার পরেই দ্বিতীয়। SiC প্রস্তুত করার জন্য সিলিকন অক্সাইডের কার্বন বিজারণ পদ্ধতিটি প্রধানত নিম্নলিখিত রাসায়নিক বিক্রিয়া সূত্রের উপর ভিত্তি করে গঠিত...
আরও পড়ুন
এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলো কীভাবে সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসকে সাহায্য করে?
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-১৩ তারিখে
এপিটেক্সিয়াল ওয়েফার নামের উৎপত্তি। প্রথমে, একটি ছোট ধারণা পরিষ্কার করা যাক: ওয়েফার প্রস্তুতির দুটি প্রধান ধাপ রয়েছে: সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি এবং এপিটেক্সিয়াল প্রক্রিয়া। সাবস্ট্রেট হলো সেমিকন্ডাক্টর একক স্ফটিক উপাদান দিয়ে তৈরি একটি ওয়েফার। সাবস্ট্রেট সরাসরি ওয়েফার উৎপাদন প্রক্রিয়ায় প্রবেশ করতে পারে...
আরও পড়ুন
রাসায়নিক বাষ্প অবক্ষেপণ (CVD) পাতলা ফিল্ম অবক্ষেপণ প্রযুক্তির পরিচিতি
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-০৬ তারিখে
কেমিক্যাল ভেপার ডিপোজিশন (CVD) একটি গুরুত্বপূর্ণ পাতলা ফিল্ম জমা করার প্রযুক্তি, যা প্রায়শই বিভিন্ন কার্যকরী ফিল্ম এবং পাতলা-স্তরের উপাদান প্রস্তুত করতে ব্যবহৃত হয় এবং সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন ও অন্যান্য ক্ষেত্রে এর ব্যাপক ব্যবহার রয়েছে। ১. CVD-এর কার্যপ্রণালী: CVD প্রক্রিয়ায়, একটি গ্যাস প্রিকার্সর (এক বা একাধিক...
আরও পড়ুন