خبرون

سلڪون ڪاربائيڊ ڪرسٽل گروٿ فرنس جون ٽيڪنيڪل مشڪلاتون ڪهڙيون آهن؟
ايڊمن پاران 24-06-07 تي
ڪرسٽل گروٿ فرنس سلڪون ڪاربائيڊ ڪرسٽل گروٿ لاءِ بنيادي سامان آهي. اهو روايتي ڪرسٽل سلڪون گريڊ ڪرسٽل گروٿ فرنس وانگر آهي. فرنس جي جوڙجڪ تمام پيچيده نه آهي. اهو بنيادي طور تي فرنس باڊي، حرارتي نظام، ڪوئل ٽرانسميشن ميڪانيزم تي مشتمل آهي...
وڌيڪ پڙهو
سلڪون ڪاربائيڊ ايپيٽيڪسيل پرت جا ڪهڙا نقص آهن؟
ايڊمن پاران 24-06-05 تي
SiC ايپيٽيڪسيل مواد جي واڌ ويجهه لاءِ بنيادي ٽيڪنالاجي پهرين خرابي ڪنٽرول ٽيڪنالاجي آهي، خاص طور تي خرابي ڪنٽرول ٽيڪنالاجي لاءِ جيڪا ڊوائيس جي ناڪامي يا اعتبار جي خرابي جو شڪار آهي. ايپي ۾ پکڙيل سبسٽريٽ خرابين جي ميڪانيزم جو مطالعو...
وڌيڪ پڙهو
آڪسائيڊ ٿيل بيٺل اناج ۽ ايپيٽيڪسيل واڌ ٽيڪنالاجي-Ⅱ
ايڊمن پاران 24-05-30 تي
2. ايپيٽيڪسيل پتلي فلم جي واڌ سبسٽريٽ Ga2O3 پاور ڊوائيسز لاءِ هڪ جسماني سپورٽ پرت يا ڪنڊڪٽو پرت فراهم ڪري ٿو. ايندڙ اهم پرت چينل پرت يا ايپيٽيڪسيل پرت آهي جيڪا وولٽيج مزاحمت ۽ ڪيريئر ٽرانسپورٽ لاءِ استعمال ٿيندي آهي. بريڪ ڊائون وولٽيج کي وڌائڻ ۽ ڪنسنٽ کي گھٽ ڪرڻ لاءِ...
وڌيڪ پڙهو
گيليم آڪسائيڊ سنگل ڪرسٽل ۽ ايپيٽيڪسيل گروٿ ٽيڪنالاجي
ايڊمن پاران 24-05-30 تي
سلڪون ڪاربائيڊ (SiC) ۽ گيليم نائٽرائڊ (GaN) جي نمائندگي ڪندڙ وائڊ بينڊ گيپ (WBG) سيمي ڪنڊڪٽرز کي وڏي پئماني تي ڌيان ڏنو ويو آهي. ماڻهن کي برقي گاڏين ۽ پاور گرڊ ۾ سلڪون ڪاربائيڊ جي ايپليڪيشن امڪانن لاءِ وڏيون اميدون آهن، انهي سان گڏ گيليم جي ايپليڪيشن امڪانن لاءِ...
وڌيڪ پڙهو
سلڪون ڪاربائيڊ لاءِ ٽيڪنيڪل رڪاوٽون ڪهڙيون آهن؟Ⅱ
ايڊمن پاران 24-05-22 تي
مستحڪم ڪارڪردگي سان اعليٰ معيار جي سلڪون ڪاربائيڊ ويفرز کي مستحڪم طور تي وڏي پيماني تي پيدا ڪرڻ ۾ ٽيڪنيڪل مشڪلاتون شامل آهن: 1) جيئن ته ڪرسٽلز کي 2000 °C کان مٿي هڪ اعليٰ درجه حرارت واري سيل ٿيل ماحول ۾ وڌڻ جي ضرورت آهي، گرمي پد ڪنٽرول جون گهرجون انتهائي گهڻيون آهن؛ 2) جيئن ته سلڪون ڪاربائيڊ ۾ ...
وڌيڪ پڙهو
سلڪون ڪاربائيڊ لاءِ ٽيڪنيڪل رڪاوٽون ڪهڙيون آهن؟
ايڊمن پاران 24-05-22 تي
سيمي ڪنڊڪٽر مواد جي پهرين نسل کي روايتي سلڪون (Si) ۽ جرمينيم (Ge) جي نمائندگي ڪئي وئي آهي، جيڪي انٽيگريٽڊ سرڪٽ جي پيداوار جو بنياد آهن. اهي وڏي پيماني تي گهٽ وولٽيج، گهٽ فريڪوئنسي، ۽ گهٽ پاور ٽرانزسٽر ۽ ڊيڪٽرز ۾ استعمال ٿيندا آهن. 90 سيڪڙو کان وڌيڪ سيمي ڪنڊڪٽر پراڊڪٽ...
وڌيڪ پڙهو
SiC مائڪرو پائوڊر ڪيئن ٺاهيو ويندو آهي؟
ايڊمن پاران 24-05-13 تي
SiC سنگل ڪرسٽل هڪ گروپ IV-IV مرڪب سيمي ڪنڊڪٽر مواد آهي جيڪو ٻن عنصرن، Si ۽ C تي مشتمل آهي، 1:1 جي اسٽوچيوميٽرڪ تناسب ۾. ان جي سختي هيرن کان پوءِ ٻئي نمبر تي آهي. SiC تيار ڪرڻ لاءِ سلڪون آڪسائيڊ جي ڪاربان گهٽائڻ واري طريقي جو بنيادي طور تي هيٺ ڏنل ڪيميائي رد عمل فارمولا تي ٻڌل آهي...
وڌيڪ پڙهو
ايپيٽيڪسيل پرتون سيمي ڪنڊڪٽر ڊوائيسز ۾ ڪيئن مدد ڪن ٿيون؟
ايڊمن پاران 24-05-13 تي
ايپيٽيڪسيل ويفر نالي جي اصليت پهرين، اچو ته هڪ ننڍڙي تصور کي مشهور ڪريون: ويفر جي تياري ۾ ٻه اهم لنڪ شامل آهن: سبسٽريٽ تيار ڪرڻ ۽ ايپيٽيڪسيل عمل. سبسٽريٽ هڪ ويفر آهي جيڪو سيمي ڪنڊڪٽر سنگل ڪرسٽل مواد مان ٺهيل آهي. سبسٽريٽ سڌو سنئون ويفر جي پيداوار ۾ داخل ٿي سگهي ٿو...
وڌيڪ پڙهو
ڪيميڪل وانپ ڊپوزيشن (سي وي ڊي) پتلي فلم ڊپوزيشن ٽيڪنالاجي جو تعارف
ايڊمن پاران 24-05-06 تي
ڪيميڪل وانپ ڊپوزيشن (سي وي ڊي) هڪ اهم پتلي فلم ڊپوزيشن ٽيڪنالاجي آهي، جيڪا اڪثر مختلف فنڪشنل فلمن ۽ پتلي پرت واري مواد کي تيار ڪرڻ لاءِ استعمال ٿيندي آهي، ۽ سيمي ڪنڊڪٽر جي پيداوار ۽ ٻين شعبن ۾ وڏي پيماني تي استعمال ٿيندي آهي. 1. سي وي ڊي جو ڪم ڪندڙ اصول سي وي ڊي جي عمل ۾، هڪ گئس اڳوڻو (هڪ يا...
وڌيڪ پڙهو