समाचार

सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल वृद्धि भट्टी की तकनीकी कठिनाइयाँ क्या हैं?
एडमिन द्वारा 24-06-07 को
क्रिस्टल वृद्धि भट्टी सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल वृद्धि के लिए मुख्य उपकरण है। यह पारंपरिक क्रिस्टलीय सिलिकॉन ग्रेड क्रिस्टल वृद्धि भट्टी के समान है। भट्टी की संरचना बहुत जटिल नहीं है। यह मुख्य रूप से भट्टी के ढांचे, ताप प्रणाली और कुंडल संचरण तंत्र आदि से मिलकर बनी होती है।
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सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल परत के दोष क्या हैं?
एडमिन द्वारा 24-06-05 को
SiC एपिटैक्सियल सामग्रियों के विकास के लिए मूल तकनीक सबसे पहले दोष नियंत्रण तकनीक है, विशेष रूप से उन दोष नियंत्रण तकनीकों के लिए जो उपकरण की विफलता या विश्वसनीयता में गिरावट का कारण बन सकती हैं। सबस्ट्रेट दोषों के एपिटैक्सियल परत तक फैलने की क्रियाविधि का अध्ययन...
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ऑक्सीकृत स्थिर अनाज और एपिटैक्सियल वृद्धि प्रौद्योगिकी-Ⅱ
एडमिन द्वारा 24-05-30 को
2. एपिटैक्सियल थिन फिल्म ग्रोथ: सबस्ट्रेट Ga2O3 पावर उपकरणों के लिए एक भौतिक सपोर्ट लेयर या कंडक्टिव लेयर प्रदान करता है। अगली महत्वपूर्ण लेयर चैनल लेयर या एपिटैक्सियल लेयर है जिसका उपयोग वोल्टेज प्रतिरोध और कैरियर परिवहन के लिए किया जाता है। ब्रेकडाउन वोल्टेज को बढ़ाने और प्रतिरोध को कम करने के लिए...
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गैलियम ऑक्साइड एकल क्रिस्टल और एपिटैक्सियल वृद्धि प्रौद्योगिकी
एडमिन द्वारा 24-05-30 को
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और गैलियम नाइट्राइड (GaN) जैसे वाइड बैंडगैप (WBG) अर्धचालकों ने व्यापक ध्यान आकर्षित किया है। लोगों को इलेक्ट्रिक वाहनों और पावर ग्रिड में सिलिकॉन कार्बाइड के अनुप्रयोग की संभावनाओं के साथ-साथ गैलियम नाइट्राइड के अनुप्रयोग की संभावनाओं से भी काफी उम्मीदें हैं।
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सिलिकॉन कार्बाइड के लिए तकनीकी बाधाएं क्या हैं?
एडमिन द्वारा 24-05-22 को
स्थिर प्रदर्शन वाले उच्च गुणवत्ता वाले सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स के स्थिर रूप से बड़े पैमाने पर उत्पादन में आने वाली तकनीकी कठिनाइयों में निम्नलिखित शामिल हैं: 1) चूंकि क्रिस्टल को 2000 डिग्री सेल्सियस से ऊपर के उच्च तापमान वाले सीलबंद वातावरण में विकसित करने की आवश्यकता होती है, इसलिए तापमान नियंत्रण की आवश्यकताएं अत्यंत उच्च होती हैं; 2) चूंकि सिलिकॉन कार्बाइड में...
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सिलिकॉन कार्बाइड के निर्माण में तकनीकी बाधाएं क्या हैं?
एडमिन द्वारा 24-05-22 को
अर्धचालक पदार्थों की पहली पीढ़ी में पारंपरिक सिलिकॉन (Si) और जर्मेनियम (Ge) शामिल हैं, जो एकीकृत परिपथ निर्माण का आधार हैं। इनका व्यापक रूप से कम वोल्टेज, कम आवृत्ति और कम शक्ति वाले ट्रांजिस्टर और डिटेक्टरों में उपयोग किया जाता है। 90% से अधिक अर्धचालक उत्पादन...
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SiC माइक्रो पाउडर कैसे बनाया जाता है?
एडमिन द्वारा 24-05-13 को
SiC एकल क्रिस्टल समूह IV-IV का एक यौगिक अर्धचालक पदार्थ है जो दो तत्वों, Si और C, से 1:1 के स्टोइकोमेट्रिक अनुपात में मिलकर बना होता है। इसकी कठोरता हीरे के बाद दूसरे स्थान पर है। SiC के निर्माण के लिए सिलिकॉन ऑक्साइड के कार्बन अपचयन की विधि मुख्य रूप से निम्नलिखित रासायनिक अभिक्रिया सूत्र पर आधारित है...
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एपिटैक्सियल परतें सेमीकंडक्टर उपकरणों की सहायता कैसे करती हैं?
एडमिन द्वारा 24-05-13 को
एपिटैक्सियल वेफर नाम की उत्पत्ति: सबसे पहले, आइए एक छोटी सी अवधारणा को समझ लें: वेफर निर्माण में दो प्रमुख चरण शामिल हैं: सब्सट्रेट निर्माण और एपिटैक्सियल प्रक्रिया। सब्सट्रेट एक अर्धचालक एकल क्रिस्टल सामग्री से बना वेफर होता है। सब्सट्रेट सीधे वेफर निर्माण प्रक्रिया में प्रवेश कर सकता है...
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रासायनिक वाष्प निक्षेपण (सीवीडी) पतली फिल्म निक्षेपण प्रौद्योगिकी का परिचय
एडमिन द्वारा 24-05-06 को
रासायनिक वाष्प निक्षेपण (सीवीडी) एक महत्वपूर्ण पतली फिल्म निक्षेपण तकनीक है, जिसका उपयोग अक्सर विभिन्न कार्यात्मक फिल्मों और पतली परत वाली सामग्रियों को तैयार करने के लिए किया जाता है, और यह अर्धचालक निर्माण और अन्य क्षेत्रों में व्यापक रूप से उपयोग की जाती है। 1. सीवीडी का कार्य सिद्धांत सीवीडी प्रक्रिया में, एक गैस अग्रदूत (एक या...)
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