Nieuws

Wat zijn de technische moeilijkheden van een oven voor de groei van siliciumcarbidekristallen?
door admin op 24-06-07
De kristalgroeioven is de kernapparatuur voor de groei van siliciumcarbidekristallen. Hij is vergelijkbaar met de traditionele kristalgroeioven voor kristallijn silicium. De ovenconstructie is niet erg complex. Hij bestaat hoofdzakelijk uit een ovenlichaam, een verwarmingssysteem en een spoelmechanisme...
Lees meer
Wat zijn de defecten van de epitaxiale laag van siliciumcarbide?
door admin op 24-06-05
De kerntechnologie voor de groei van SiC-epitaxiale materialen is in de eerste plaats defectbeheersingstechnologie, met name defectbeheersingstechnologie die gevoelig is voor apparaatfalen of verminderde betrouwbaarheid. Het onderzoek naar het mechanisme van substraatdefecten die zich uitbreiden naar de epitaxiale laag...
Lees meer
Geoxideerde staande korrel en epitaxiale groeitechnologie-II
door admin op 24-05-30
2. Epitaxiale dunnefilmgroei Het substraat vormt een fysieke ondersteuningslaag of geleidende laag voor Ga2O3-vermogenscomponenten. De volgende belangrijke laag is de kanaallaag of epitaxiale laag, die dient voor spanningsbestendigheid en ladingsdragerstransport. Om de doorslagspanning te verhogen en de geleidbaarheid te minimaliseren...
Lees meer
Galliumoxide-eenkristal en epitaxiale groeitechnologie
door admin op 24-05-30
Halfgeleiders met een brede bandgap (WBG), zoals siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN), hebben veel aandacht gekregen. Er zijn hoge verwachtingen van de toepassingsmogelijkheden van siliciumcarbide in elektrische voertuigen en elektriciteitsnetten, evenals van de toepassingsmogelijkheden van galliumnitride...
Lees meer
Wat zijn de technische belemmeringen voor siliciumcarbide? Ⅱ
door admin op 24-05-22
De technische moeilijkheden bij de stabiele massaproductie van hoogwaardige siliciumcarbidewafers met constante prestaties omvatten: 1) Omdat kristallen moeten groeien in een afgesloten omgeving met een hoge temperatuur van meer dan 2000 °C, zijn de eisen aan de temperatuurregeling extreem hoog; 2) Omdat siliciumcarbide ...
Lees meer
Wat zijn de technische belemmeringen voor siliciumcarbide?
door admin op 24-05-22
De eerste generatie halfgeleidermaterialen wordt vertegenwoordigd door traditioneel silicium (Si) en germanium (Ge), die de basis vormen voor de productie van geïntegreerde schakelingen. Ze worden veelvuldig gebruikt in laagspannings-, laagfrequentie- en energiezuinige transistoren en detectoren. Meer dan 90% van de halfgeleiderproductie...
Lees meer
Hoe wordt SiC-micropoeder gemaakt?
door admin op 24-05-13
SiC-eenkristal is een halfgeleidermateriaal uit groep IV-IV, samengesteld uit twee elementen, Si en C, in een stoichiometrische verhouding van 1:1. De hardheid ervan is na diamant de hoogste. De bereiding van SiC door middel van koolstofreductie van siliciumoxide is hoofdzakelijk gebaseerd op de volgende chemische reactieformule...
Lees meer
Op welke manier dragen epitaxiale lagen bij aan de ontwikkeling van halfgeleiderapparaten?
door admin op 24-05-13
De oorsprong van de naam epitaxiale wafer. Laten we eerst een klein concept verduidelijken: waferpreparatie omvat twee belangrijke stappen: substraatpreparatie en het epitaxiale proces. Het substraat is een wafer gemaakt van een halfgeleidend eenkristalmateriaal. Het substraat kan direct in de waferproductie worden gebruikt...
Lees meer
Inleiding tot chemische dampafzetting (CVD) dunnefilmafzettingstechnologie
door admin op 24-05-06
Chemische dampafzetting (CVD) is een belangrijke technologie voor het afzetten van dunne films, die vaak wordt gebruikt voor de bereiding van diverse functionele films en dunne-laagmaterialen, en die breed wordt toegepast in de halfgeleiderindustrie en andere sectoren. 1. Werkingsprincipe van CVD In het CVD-proces wordt een gasvormige precursor (één of meer...
Lees meer