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Quali sono le difficoltà tecniche del forno per la crescita di cristalli di carburo di silicio?
di admin il 24-06-07
Il forno per la crescita di cristalli è l'apparecchiatura principale per la crescita di cristalli di carburo di silicio. È simile al tradizionale forno per la crescita di cristalli di silicio cristallino. La struttura del forno non è molto complessa. È composto principalmente da corpo del forno, sistema di riscaldamento, meccanismo di trasmissione della bobina...
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Quali sono i difetti dello strato epitassiale di carburo di silicio?
di admin il 24-06-05
La tecnologia fondamentale per la crescita di materiali epitassiali in SiC è innanzitutto la tecnologia di controllo dei difetti, in particolare quella relativa ai difetti che possono causare guasti o degrado dell'affidabilità del dispositivo. Lo studio del meccanismo di estensione dei difetti del substrato nell'epitassia...
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Tecnologia di crescita epitassiale e grani verticali ossidati-II
di admin il 24-05-30
2. Crescita di film sottili epitassiali Il substrato fornisce uno strato di supporto fisico o strato conduttivo per i dispositivi di potenza Ga2O3. Il successivo strato importante è lo strato di canale o strato epitassiale utilizzato per la resistenza di tensione e il trasporto dei portatori. Al fine di aumentare la tensione di rottura e minimizzare la con...
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Tecnologia di crescita epitassiale e monocristallina dell'ossido di gallio
di admin il 24-05-30
I semiconduttori a banda proibita ampia (WBG), rappresentati dal carburo di silicio (SiC) e dal nitruro di gallio (GaN), hanno suscitato grande interesse. Si nutrono grandi aspettative per le prospettive applicative del carburo di silicio nei veicoli elettrici e nelle reti elettriche, così come per quelle del nitruro di gallio...
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Quali sono gli ostacoli tecnici al carburo di silicio? II
di admin il 24-05-22
Le difficoltà tecniche nella produzione in serie stabile di wafer di carburo di silicio di alta qualità con prestazioni stabili includono: 1) Poiché i cristalli devono crescere in un ambiente sigillato ad alta temperatura superiore a 2000 °C, i requisiti di controllo della temperatura sono estremamente elevati; 2) Poiché il carburo di silicio ha ...
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Quali sono gli ostacoli tecnici all'utilizzo del carburo di silicio?
di admin il 24-05-22
La prima generazione di materiali semiconduttori è rappresentata dal silicio (Si) e dal germanio (Ge) tradizionali, che costituiscono la base per la produzione di circuiti integrati. Sono ampiamente utilizzati in transistor e rivelatori a bassa tensione, bassa frequenza e bassa potenza. Oltre il 90% dei prodotti semiconduttori...
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Come viene prodotta la micropolveri di SiC?
di admin il 24-05-13
Il monocristallo di SiC è un materiale semiconduttore composto del Gruppo IV-IV, formato da due elementi, Si e C, in un rapporto stechiometrico di 1:1. La sua durezza è seconda solo a quella del diamante. Il metodo di riduzione del carbonio dell'ossido di silicio per la preparazione del SiC si basa principalmente sulla seguente formula di reazione chimica...
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In che modo gli strati epitassiali aiutano i dispositivi a semiconduttore?
di admin il 24-05-13
L'origine del nome wafer epitassiale Innanzitutto, chiariamo un piccolo concetto: la preparazione del wafer comprende due fasi principali: la preparazione del substrato e il processo epitassiale. Il substrato è un wafer realizzato in materiale semiconduttore monocristallino. Il substrato può essere inserito direttamente nel processo di produzione del wafer...
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Introduzione alla tecnologia di deposizione di film sottili mediante deposizione chimica da fase vapore (CVD)
di admin il 24-05-06
La deposizione chimica da fase vapore (CVD) è un'importante tecnologia di deposizione di film sottili, spesso utilizzata per preparare vari film funzionali e materiali a strato sottile, ed è ampiamente utilizzata nella produzione di semiconduttori e in altri settori. 1. Principio di funzionamento della CVD Nel processo CVD, un precursore gassoso (uno o...
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