أخبار

ما هي الصعوبات التقنية التي تواجه فرن نمو بلورات كربيد السيليكون؟
بواسطة المدير بتاريخ 24-06-07
يُعد فرن نمو البلورات المعدات الأساسية لنمو بلورات كربيد السيليكون. وهو مشابه لأفران نمو بلورات السيليكون التقليدية. يتميز الفرن ببنية بسيطة، ويتكون أساسًا من جسم الفرن، ونظام التسخين، وآلية نقل الملفات...
اقرأ المزيد
ما هي عيوب طبقة السيليكون كاربيد المترسبة؟
بواسطة المدير بتاريخ 24-06-05
تُعدّ تقنية التحكم في العيوب، وخاصةً تلك التي تُعرّض الأجهزة للفشل أو تدهور الموثوقية، التقنية الأساسية لنمو مواد السيليكون كاربيد المُرَسَّبة. وتتناول الدراسة آلية امتداد عيوب الركيزة إلى الطبقة المُرَسَّبة...
اقرأ المزيد
تقنية الحبيبات القائمة المؤكسدة وتقنية النمو المتناحي - الجزء الثاني
بواسطة المدير بتاريخ 24-05-30
٢. نمو الأغشية الرقيقة المتنامية: توفر الركيزة طبقة دعم فيزيائية أو طبقة موصلة لأجهزة الطاقة المصنوعة من أكسيد الغاليوم (Ga2O3). الطبقة المهمة التالية هي طبقة القناة أو الطبقة المتنامية المستخدمة لمقاومة الجهد ونقل الشحنات. لزيادة جهد الانهيار وتقليل...
اقرأ المزيد
تقنية البلورات الأحادية لأكسيد الغاليوم وتقنية النمو المتناحي
بواسطة المدير بتاريخ 24-05-30
حظيت أشباه الموصلات ذات فجوة النطاق العريض، والمتمثلة في كربيد السيليكون (SiC) ونيتريد الغاليوم (GaN)، باهتمام واسع. ويُعلق الكثيرون آمالاً كبيرة على آفاق استخدام كربيد السيليكون في المركبات الكهربائية وشبكات الطاقة، وكذلك آفاق استخدام نيتريد الغاليوم...
اقرأ المزيد
ما هي العوائق التقنية التي تواجه استخدام كربيد السيليكون؟
بواسطة المدير بتاريخ 24-05-22
تشمل الصعوبات التقنية في الإنتاج الضخم والمستقر لرقائق كربيد السيليكون عالية الجودة ذات الأداء المستقر ما يلي: 1) نظرًا لأن البلورات تحتاج إلى النمو في بيئة مغلقة ذات درجة حرارة عالية تتجاوز 2000 درجة مئوية، فإن متطلبات التحكم في درجة الحرارة عالية للغاية؛ 2) نظرًا لأن كربيد السيليكون ...
اقرأ المزيد
ما هي العوائق التقنية أمام استخدام كربيد السيليكون؟
بواسطة المدير بتاريخ 24-05-22
يُمثل الجيل الأول من مواد أشباه الموصلات السيليكون (Si) والجرمانيوم (Ge) التقليديان، وهما أساس تصنيع الدوائر المتكاملة. ويُستخدمان على نطاق واسع في الترانزستورات وأجهزة الكشف ذات الجهد المنخفض والتردد المنخفض والطاقة المنخفضة. أكثر من 90% من منتجات أشباه الموصلات...
اقرأ المزيد
كيف يتم تصنيع مسحوق كربيد السيليكون الدقيق؟
بواسطة المدير بتاريخ 24-05-2013
بلورة كربيد السيليكون الأحادية هي مادة شبه موصلة مركبة من المجموعة الرابعة، تتكون من عنصرين، السيليكون والكربون، بنسبة قياسية 1:1. تأتي في المرتبة الثانية من حيث الصلابة بعد الماس. تعتمد طريقة اختزال أكسيد السيليكون بالكربون لتحضير كربيد السيليكون بشكل أساسي على صيغة التفاعل الكيميائي التالية...
اقرأ المزيد
كيف تساعد الطبقات المترسبة فوق الطبقة الموصلة أجهزة أشباه الموصلات؟
بواسطة المدير بتاريخ 24-05-2013
أصل تسمية رقاقة الترسيب الطبقي: لنبدأ بشرح مفهوم بسيط: تتضمن عملية تحضير الرقاقة حلقتين رئيسيتين: تحضير الركيزة وعملية الترسيب الطبقي. الركيزة عبارة عن رقاقة مصنوعة من مادة شبه موصلة أحادية البلورة. يمكن إدخال الركيزة مباشرة في عملية تصنيع الرقاقات...
اقرأ المزيد
مقدمة في تقنية ترسيب الأغشية الرقيقة بالترسيب الكيميائي للبخار (CVD)
بواسطة المدير بتاريخ 24-05-06
يُعدّ الترسيب الكيميائي للبخار (CVD) تقنيةً مهمةً لترسيب الأغشية الرقيقة، ويُستخدم غالبًا لتحضير مختلف الأغشية الوظيفية والمواد الرقيقة، ويُستخدم على نطاق واسع في صناعة أشباه الموصلات وغيرها من المجالات. 1. مبدأ عمل الترسيب الكيميائي للبخار: في عملية الترسيب الكيميائي للبخار، يُستخدم غاز طليعي (واحد أو ...
اقرأ المزيد