Nutizie

Quali sò e difficultà tecniche di u fornu di crescita di cristalli di carburo di siliciu?
da l'amministratore u 24-06-07
U fornu di crescita di cristalli hè l'equipaggiu principale per a crescita di cristalli di carburo di siliciu. Hè simile à u fornu tradiziunale di crescita di cristalli di qualità di siliciu cristallinu. A struttura di u fornu ùn hè micca assai cumplicata. Hè cumposta principalmente da u corpu di u fornu, u sistema di riscaldamentu, u mecanismu di trasmissione di a bobina...
Leghje di più
Chì sò i difetti di u stratu epitaxiale di carburo di siliciu
da l'amministratore u 24-06-05
A tecnulugia principale per a crescita di i materiali epitassiali SiC hè prima di tuttu a tecnulugia di cuntrollu di i difetti, in particulare per a tecnulugia di cuntrollu di i difetti chì hè propensa à guasti di u dispusitivu o à degradazione di l'affidabilità. U studiu di u mecanismu di i difetti di u substratu chì si estendenu in l'epi...
Leghje di più
Granu ossidatu in piedi è tecnulugia di crescita epitassiale-III
da l'amministratore u 24-05-30
2. Crescita di film sottile epitassiale U sustratu furnisce un stratu di supportu fisicu o un stratu conduttivu per i dispositivi di putenza Ga2O3. U prossimu stratu impurtante hè u stratu di canale o stratu epitassiale utilizatu per a resistenza à a tensione è u trasportu di i purtatori. Per aumentà a tensione di rottura è minimizà a cun...
Leghje di più
Tecnulugia di crescita epitassiale è monocristallina di ossidu di galliu
da l'amministratore u 24-05-30
I semiconduttori à banda larga (WBG) rapprisentati da u carburu di siliciu (SiC) è u nitruru di galliu (GaN) anu ricevutu una attenzione diffusa. A ghjente hà grandi aspettative per e prospettive d'applicazione di u carburu di siliciu in i veiculi elettrichi è e rete elettriche, è ancu per e prospettive d'applicazione di u galliu...
Leghje di più
Quali sò l'ostaculi tecnichi à u carburu di siliciu?
da l'amministratore u 24-05-22
E difficultà tecniche in a pruduzzione in massa stabile di wafer di carburo di siliciu di alta qualità cù prestazioni stabili includenu: 1) Siccomu i cristalli anu bisognu di cresce in un ambiente sigillatu à alta temperatura sopra i 2000 ° C, i requisiti di cuntrollu di a temperatura sò estremamente alti; 2) Siccomu u carburo di siliciu hà ...
Leghje di più
Quali sò l'ostaculi tecnichi à u carburu di siliciu?
da l'amministratore u 24-05-22
A prima generazione di materiali semiconduttori hè rapprisintata da u siliciu tradiziunale (Si) è u germaniu (Ge), chì sò a basa per a fabricazione di circuiti integrati. Sò largamente usati in transistor è detectori di bassa tensione, bassa frequenza è bassa putenza. Più di u 90% di i prudutti semiconduttori...
Leghje di più
Cumu hè fatta a micropolvera di SiC?
da l'amministratore u 24-05-13
U monocristallu SiC hè un materiale semiconduttore cumpostu di u Gruppu IV-IV cumpostu da dui elementi, Si è C, in un rapportu stechiometricu di 1: 1. A so durezza hè seconda solu à u diamante. U metudu di riduzione di u carbone di l'ossidu di siliciu per preparà SiC hè principalmente basatu annantu à a seguente formula di reazione chimica...
Leghje di più
Cumu i strati epitassiali aiutanu i dispositivi semiconduttori?
da l'amministratore u 24-05-13
L'origine di u nome wafer epitaxiale Prima, pupularizemu un picculu cuncettu: a preparazione di u wafer include dui ligami principali: a preparazione di u substratu è u prucessu epitaxiale. U substratu hè un wafer fattu di materiale monocristallinu semiconduttore. U substratu pò entre direttamente in a fabricazione di u wafer...
Leghje di più
Introduzione à a tecnulugia di deposizione di film sottili da deposizione chimica da vapore (CVD)
da l'amministratore u 24-05-06
A Deposizione Chimica da Vapore (CVD) hè una tecnulugia impurtante di deposizione di film sottili, spessu aduprata per preparà diversi filmi funziunali è materiali à stratu sottile, è hè largamente aduprata in a fabricazione di semiconduttori è altri campi. 1. Principiu di funziunamentu di CVD In u prucessu CVD, un precursore di gas (unu o...
Leghje di più