ସମାଚାର

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ଫର୍ଣ୍ଣେସର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଅସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?
୨୪-୦୬-୦୭ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟ ଉପକରଣ। ଏହା ପାରମ୍ପରିକ ସ୍ଫଟିକ ସିଲିକନ୍ ଗ୍ରେଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ସହିତ ସମାନ। ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଗଠନ ବହୁତ ଜଟିଳ ନୁହେଁ। ଏହା ମୁଖ୍ୟତଃ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ବଡି, ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀ, କଏଲ୍ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ମେକାନିଜିମ୍ ... ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ।
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରର ତ୍ରୁଟିଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?
୨୪-୦୬-୦୫ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
SiC ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ମୂଳ ପ୍ରଯୁକ୍ତି ହେଉଛି ପ୍ରଥମତଃ ତ୍ରୁଟି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତି, ବିଶେଷକରି ତ୍ରୁଟି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତି ଯାହା ଡିଭାଇସ୍ ବିଫଳତା କିମ୍ବା ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ହ୍ରାସର ସମ୍ଭାବନା ଥାଏ। ଏପିରେ ବିସ୍ତାରିତ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତ୍ରୁଟିର ଯନ୍ତ୍ରପାତିର ଅଧ୍ୟୟନ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ଅକ୍ସିଡାଇଜଡ୍ ଷ୍ଟଣ୍ଡିଂ ଶସ୍ୟ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଗ୍ରୋଥ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି-Ⅱ
୨୪-୦୫-୩୦ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
2. ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପତଳା ଫିଲ୍ମ ବୃଦ୍ଧି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ Ga2O3 ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ଏକ ଭୌତିକ ସମର୍ଥନ ସ୍ତର କିମ୍ବା ପରିବାହୀ ସ୍ତର ପ୍ରଦାନ କରେ। ପରବର୍ତ୍ତୀ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ତର ହେଉଛି ଚ୍ୟାନେଲ ସ୍ତର କିମ୍ବା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ଯାହାକୁ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ବାହକ ପରିବହନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ଏବଂ କନଫିକ୍ସନକୁ କମ କରିବା ପାଇଁ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା
୨୪-୦୫-୩୦ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ଏବଂ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରାଯାଇଥିବା ୱାଇଡ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ (WBG) ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ବ୍ୟାପକ ଦୃଷ୍ଟି ଆକର୍ଷଣ କରିଛନ୍ତି। ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ଏବଂ ପାୱାର ଗ୍ରୀଡ୍‌ରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍‌ର ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନା ସହିତ ଗାଲିୟମ୍‌ର ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନା ପାଇଁ ଲୋକଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ଆଶା ରହିଛି...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?Ⅱ
୨୪-୦୫-୨୨ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ସ୍ଥିର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ବହୁଳ ପରିମାଣରେ ଉତ୍ପାଦନ କରୁଥିବା ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍‌ରେ ବୈଷୟିକ ଅସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: 1) ଯେହେତୁ ସ୍ଫଟିକଗୁଡ଼ିକୁ 2000°C ଉପରେ ଏକ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ସିଲ୍ ହୋଇଥିବା ପରିବେଶରେ ବଢ଼ିବାକୁ ପଡ଼ିଥାଏ, ତେଣୁ ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଆବଶ୍ୟକତା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ; 2) ଯେହେତୁ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଇଁ ବୈଷୟିକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?
୨୪-୦୫-୨୨ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ପ୍ରଥମ ପିଢ଼ିର ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ (Si) ଏବଂ ଜର୍ମାନିୟମ୍ (Ge) ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରାଯାଏ, ଯାହା ସମନ୍ୱିତ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନର ଆଧାର। ଏଗୁଡ଼ିକ କମ୍-ଭୋଲଟେଜ୍, କମ୍-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ କମ୍-ପାୱାର ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ଏବଂ ଡିଟେକ୍ଟରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। 90% ରୁ ଅଧିକ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଉତ୍ପାଦ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
SiC ମାଇକ୍ରୋ ପାଉଡର କିପରି ତିଆରି ହୁଏ?
୨୪-୦୫-୧୩ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
SiC ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ ହେଉଛି ଏକ ଗ୍ରୁପ IV-IV ଯୌଗିକ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା ଦୁଇଟି ଉପାଦାନ, Si ଏବଂ C ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ, ଯାହାର ଷ୍ଟୋଇକିଓମେଟ୍ରିକ୍ ଅନୁପାତ 1:1 ଅଟେ। ଏହାର କଠିନତା ହୀରା ପରେ ଦ୍ୱିତୀୟ। SiC ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ପଦ୍ଧତିର କାର୍ବନ ହ୍ରାସ ମୁଖ୍ୟତଃ ନିମ୍ନଲିଖିତ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସୂତ୍ର ଉପରେ ଆଧାରିତ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ କିପରି ସାହାଯ୍ୟ କରେ?
୨୪-୦୫-୧୩ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର ନାମର ଉତ୍ପତ୍ତି ପ୍ରଥମେ, ଆସନ୍ତୁ ଏକ ଛୋଟ ଧାରଣାକୁ ଲୋକପ୍ରିୟ କରିବା: ୱାଫର ପ୍ରସ୍ତୁତିରେ ଦୁଇଟି ପ୍ରମୁଖ ଲିଙ୍କ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା। ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ହେଉଛି ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ ସାମଗ୍ରୀରେ ତିଆରି ଏକ ୱାଫର। ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସିଧାସଳଖ ୱାଫର ଉତ୍ପାଦନରେ ପ୍ରବେଶ କରିପାରିବ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD) ପତଳା ଫିଲ୍ମ ଜମା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାର ପରିଚୟ
୨୪-୦୫-୦୬ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD) ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପତଳା ଫିଲ୍ମ ଜମା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା, ଯାହା ପ୍ରାୟତଃ ବିଭିନ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ଫିଲ୍ମ ଏବଂ ପତଳା-ସ୍ତର ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ଏହା ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। 1. CVD ର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି CVD ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଏକ ଗ୍ୟାସ୍ ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ (ଗୋଟିଏ କିମ୍ବା...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ