소식

고순도 SiC 단결정 분말 합성 공정
관리자 작성 (2008년 8월 24일)
탄화규소 단결정 성장 공정에서 물리적 기상 수송(PVT)은 현재 주류 산업화 방식입니다. PVT 성장 방식에서 탄화규소 분말은 성장 공정에 큰 영향을 미칩니다. 탄화규소 분말의 모든 매개변수는 성장 공정에 직접적인 영향을 미칩니다.
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웨이퍼 상자에는 왜 웨이퍼가 25개나 들어있을까요?
관리자 작성 (2024년 7월 30일)
현대 기술의 정교한 세계에서 실리콘 웨이퍼라고도 불리는 웨이퍼는 반도체 산업의 핵심 구성 요소입니다. 웨이퍼는 마이크로프로세서, 메모리, 센서 등 다양한 전자 부품을 제조하는 기반이 되며, 각각의 웨이퍼는...
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기상 에피택시에 일반적으로 사용되는 받침대
관리자 작성 (2024년 7월 30일)
기상 에피택시(VPE) 공정에서 페데스탈의 역할은 기판을 지지하고 성장 과정 동안 균일한 가열을 보장하는 것입니다. 다양한 종류의 페데스탈은 각기 다른 성장 조건과 재료 시스템에 적합합니다. 다음은 몇 가지 예입니다...
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탄탈륨 카바이드 코팅 제품의 수명을 연장하는 방법은 무엇일까요?
관리자 작성 (2024년 7월 26일)
탄탈륨 카바이드 코팅 제품은 고온 저항성, 내식성, 내마모성 등의 특성을 지닌 고온 소재로 널리 사용됩니다. 따라서 항공우주, 화학, 에너지 등 다양한 산업 분야에서 활용되고 있습니다. 이러한 특성을 더욱 자세히 알아보기 위해...
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반도체 CVD 장비에서 PECVD와 LPCVD의 차이점은 무엇입니까?
관리자 작성 (2024년 7월 24일)
화학 기상 증착(CVD)은 기체 혼합물의 화학 반응을 통해 실리콘 웨이퍼 표면에 고체 박막을 증착하는 공정입니다. 반응 조건(압력, 전구체)에 따라 다양한 장비로 분류될 수 있습니다.
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탄화규소 흑연 주형의 특성
관리자 작성 (2018년 7월 24일)
탄화규소 흑연 주형은 탄화규소(SiC)를 주재료로 하고 흑연을 보강재로 사용한 복합 주형입니다. 이 주형은 열전도율이 우수하고 고온 저항성, 내식성 등이 뛰어납니다.
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반도체 공정의 포토리소그래피 전체 공정
관리자 작성 (2016년 7월 24일)
반도체 제품 하나를 제조하는 데에는 수백 가지의 공정이 필요합니다. 전체 제조 공정은 웨이퍼 가공-산화-포토리소그래피-에칭-박막 증착-에피택셜 성장-확산-이온 주입의 8단계로 나뉩니다. 이러한 과정을 통해 고객 여러분께 도움을 드리고자 합니다...
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40억 달러! SK하이닉스, 퍼듀 연구공원에 반도체 첨단 패키징 투자 발표
관리자 작성 (2009년 7월 24일)
인디애나주 웨스트 라파예트 – SK하이닉스는 퍼듀 리서치 파크에 인공지능 제품용 첨단 패키징 제조 및 연구 개발 시설을 건설하기 위해 약 40억 달러를 투자할 계획이라고 발표했습니다. 웨스트 라파예트에 미국 반도체 공급망의 핵심 연결 고리를 구축함으로써…
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레이저 기술은 탄화규소 기판 가공 기술의 혁신을 이끌고 있습니다.
관리자 작성 (2024년 7월 8일)
1. 탄화규소 기판 가공 기술 개요 현재 탄화규소 기판 가공 단계는 외주면 연삭, 절단, 모따기, 연마, 세척 등을 포함합니다. 절단은 반도체 기판 가공에서 중요한 단계입니다...
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