소식

탄화규소 결정 성장로의 기술적 어려움은 무엇입니까?
관리자 작성 (2007년 6월 24일)
결정 성장로는 탄화규소 결정 성장의 핵심 장비입니다. 기존의 결정질 실리콘 등급 결정 성장로와 유사하며, 구조는 그다지 복잡하지 않습니다. 주로 본체, 가열 시스템, 코일 전달 장치 등으로 구성됩니다.
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탄화규소 에피택셜층의 결함은 무엇인가요?
관리자 작성 (2024년 6월 24일)
SiC 에피택셜 소재 성장의 핵심 기술은 우선 결함 제어 기술, 특히 소자 고장이나 신뢰성 저하를 유발하기 쉬운 결함 제어 기술입니다. 기판 결함이 에피택셜층으로 확장되는 메커니즘에 대한 연구는...
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산화된 입상 결정립 및 에피택셜 성장 기술-Ⅱ
관리자 작성 (2024년 5월 30일)
2. 에피택셜 박막 성장 기판은 Ga2O3 전력 소자의 물리적 지지층 또는 전도성 층을 제공합니다. 다음으로 중요한 층은 전압 저항 및 전하 수송에 사용되는 채널층 또는 에피택셜 층입니다. 항복 전압을 높이고 전류 소모를 최소화하기 위해...
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산화갈륨 단결정 및 에피택셜 성장 기술
관리자 작성 (2024년 5월 30일)
탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)으로 대표되는 광대역 밴드갭(WBG) 반도체가 널리 주목받고 있습니다. 특히 탄화규소는 전기 자동차 및 전력망 분야에서, 질화갈륨은 질화갈륨(GaN)은 그 응용 가능성에 대한 기대가 매우 높습니다.
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탄화규소의 기술적 장벽은 무엇인가?Ⅱ
관리자 작성 (2022년 5월 24일)
안정적인 성능을 지닌 고품질 탄화규소 웨이퍼를 안정적으로 대량 생산하는 데 있어 기술적 어려움은 다음과 같습니다. 1) 결정 성장이 2000°C 이상의 고온 밀폐 환경에서 이루어져야 하므로 온도 제어 요구 사항이 매우 높습니다. 2) 탄화규소는 ...
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탄화규소의 기술적 장벽은 무엇입니까?
관리자 작성 (2022년 5월 24일)
1세대 반도체 소재는 전통적인 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)으로 대표되며, 이는 집적 회로 제조의 기반이 됩니다. 이들은 저전압, 저주파, 저전력 트랜지스터 및 검출기에 널리 사용됩니다. 반도체 제품의 90% 이상이...
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SiC 미세 분말은 어떻게 만들어지나요?
관리자 작성 (2013년 5월 24일)
SiC 단결정은 4족 원소인 실리콘(Si)과 탄소(C)가 1:1의 화학양론적 비율로 결합된 화합물 반도체 소재입니다. 경도는 다이아몬드 다음으로 높습니다. SiC를 제조하는 실리콘 산화물의 탄소 환원법은 주로 다음과 같은 화학 반응식을 기반으로 합니다...
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에피택셜 층은 반도체 소자에 어떻게 도움이 될까요?
관리자 작성 (2013년 5월 24일)
에피택셜 웨이퍼라는 이름의 유래 먼저 간단한 개념을 설명하겠습니다. 웨이퍼 제조는 크게 기판 준비와 에피택셜 공정 두 단계로 나뉩니다. 기판은 반도체 단결정 소재로 만들어진 웨이퍼입니다. 이 기판은 웨이퍼 제조 공정에 직접 투입될 수 있습니다...
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화학 기상 증착(CVD) 박막 증착 기술 소개
관리자 작성 (2006년 5월 24일)
화학 기상 증착(CVD)은 다양한 기능성 박막 및 박막 소재를 제조하는 데 자주 사용되는 중요한 박막 증착 기술로, 반도체 제조를 비롯한 여러 분야에서 널리 사용됩니다. 1. CVD의 작동 원리 CVD 공정에서는 기체 전구체(하나 또는 여러 개...)
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