Kahimtang sa panukiduki sa SiC integrated circuit

Lahi sa mga S1C discrete device nga nagtinguha og taas nga boltahe, taas nga gahum, taas nga frequency ug taas nga temperatura nga mga kinaiya, ang tumong sa panukiduki sa SiC integrated circuit mao ang pag-angkon og taas nga temperatura nga digital circuit para sa intelligent power ICs control circuit. Tungod kay ang SiC integrated circuit para sa internal electric field ubos kaayo, busa ang impluwensya sa depekto sa microtubule mokunhod pag-ayo, kini ang unang piraso sa monolithic SiC integrated operational amplifier chip nga napamatud-an, ang aktuwal nga nahuman nga produkto ug gitino pinaagi sa yield mas taas kaysa sa mga depekto sa microtubule, busa, base sa SiC yield model ug Si ug CaAs nga materyal klaro nga lahi. Ang chip gibase sa depletion NMOSFET technology. Ang pangunang rason mao nga ang epektibo nga carrier mobility sa reverse channel SiC MOSFETs ubos kaayo. Aron mapauswag ang surface mobility sa Sic, gikinahanglan nga pauswagon ug i-optimize ang thermal oxidation process sa Sic.

Daghang trabaho ang nahimo sa Purdue University sa SiC integrated circuits. Niadtong 1992, ang pabrika malampusong naugmad base sa reverse channel 6H-SIC NMOSFETs monolithic digital integrated circuit. Ang chip adunay sulod nga dili gate, o dili gate, on o gate, binary counter, ug half adder circuits ug mahimong mo-operate sa hustong paagi sa temperatura nga 25°C hangtod 300°C. Niadtong 1995, ang unang SiC plane MESFET Ics gihimo gamit ang vanadium injection isolation technology. Pinaagi sa tukmang pagkontrol sa gidaghanon sa vanadium nga gi-inject, usa ka insulating SiC ang makuha.

Sa mga digital logic circuit, ang mga CMOS circuit mas madanihon kay sa mga NMOS circuit. Niadtong Septyembre 1996, gihimo ang unang 6H-SIC CMOS digital integrated circuit. Ang device migamit og injected N-order ug deposition oxide layer, apan tungod sa ubang mga problema sa proseso, ang threshold voltage sa chip PMOSFET taas ra kaayo. Niadtong Marso 1997, sa dihang gihimo ang ikaduhang henerasyon nga SiC CMOS circuit, gigamit ang teknolohiya sa pag-inject og P trap ug thermal growth oxide layer. Ang threshold voltage sa mga PMOSEFT nga nakuha pinaagi sa process improvement kay mga -4.5V. Ang tanang circuit sa chip maayo nga mogana sa temperatura sa kwarto hangtod sa 300°C ug gipadagan sa usa ka power supply, nga mahimong gikan sa 5 hangtod 15V.

Uban sa pag-uswag sa kalidad sa substrate wafer, mas magamit ug mas taas ang ani nga integrated circuits ang mahimo. Apan, kung ang mga problema sa materyal ug proseso sa SiC masulbad na, ang kasaligan sa device ug pakete mahimong pangunang hinungdan nga makaapekto sa performance sa high-temperature SiC integrated circuits.