Yàtọ̀ sí àwọn ẹ̀rọ S1C tí ó ń lépa fólẹ́ẹ̀tì gíga, agbára gíga, ìgbóná gíga àti àwọn ànímọ́ igbóná gíga, ète ìwádìí ti SiC integrated circuit ni pàtàkì láti gba circuit oni-nọmba iwọn otutu giga fun circuit iṣakoso agbara ICs ti oye. Bí circuit integrated SiC fun aaye ina inu ti kere pupọ, nitorinaa ipa ti abawọn microtubules yoo dinku pupọ, eyi ni apakan akọkọ ti monolithic SiC integrated operational amplifier chip ti a ti jẹrisi, ọja ti o pari ati ipinnu nipasẹ ikore ga pupọ ju awọn abawọn microtubules lọ, nitorinaa, da lori awoṣe yield SiC ati ohun elo Si ati CaAs han gbangba yatọ. Chip naa da lori imọ-ẹrọ idinku NMOSFET. Idi pataki ni pe gbigbe gbigbe ti o munadoko ti ikanni reverse SiC MOSFETs kere ju. Lati le mu iṣipopada dada ti Sic dara si, o ṣe pataki lati mu ilọsiwaju ati mu ilana oxidation ooru ti Sic dara si.
Yunifásítì Purdue ti ṣe iṣẹ́ púpọ̀ lórí àwọn ẹ̀rọ amúṣẹ́pọ̀ SiC. Ní ọdún 1992, wọ́n ṣe àgbékalẹ̀ ilé iṣẹ́ náà ní àṣeyọrí ní ìbámu pẹ̀lú ẹ̀rọ amúṣẹ́pọ̀ oní-nọ́ńbà monolithic 6H-SIC NMOSFETs. Ẹ̀rọ amúṣẹ́pọ̀ náà ní, kìí ṣe ẹnu ọ̀nà, ẹnu ọ̀nà tàbí ẹnu ọ̀nà, kàǹtánẹ́ẹ̀tì binary, àti ìdajì adder circuits, ó sì lè ṣiṣẹ́ dáadáa ní ìwọ̀n otútù 25°C sí 300°C. Ní ọdún 1995, wọ́n lo ìmọ̀-ẹ̀rọ amúṣẹ́pọ̀ vanadium láti ṣe ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ SiC àkọ́kọ́ MESFET Ics. Nípa ṣíṣàkóso iye vanadium tí a fún ní abẹ́rẹ́, a lè rí SiC insulating.
Nínú àwọn ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ oní-nọ́ńbà, àwọn ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ CMOS fani mọ́ra ju àwọn ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ NMOS lọ. Ní oṣù kẹsàn-án ọdún 1996, a ṣe ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ oní-nọ́ńbà 6H-SIC CMOS àkọ́kọ́. Ẹ̀rọ náà lo àtẹ̀gùn N-order àti deposition oxide layer, ṣùgbọ́n nítorí àwọn ìṣòro ìlànà mìíràn, fóltéèjì ààlà ti chip náà ti ga jù. Ní oṣù kẹta ọdún 1997 nígbà tí a ń ṣe ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ SiC CMOS iran kejì. A gba ìmọ̀-ẹ̀rọ ìfúnni P trap àti thermal growth oxide layer. Fóltéèjì ààlà ti PMOSEFTs tí a rí nípasẹ̀ ìdàgbàsókè ìlànà jẹ́ nǹkan bí -4.5V. Gbogbo àwọn ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ lórí chip náà ń ṣiṣẹ́ dáadáa ní iwọ̀n otútù yàrá títí dé 300°C wọ́n sì ń ṣiṣẹ́ nípasẹ̀ agbára kan ṣoṣo, èyí tí ó lè wà níbikíbi láti 5 sí 15V.
Pẹ̀lú ìdàgbàsókè dídára wafer substrate, a ó ṣe àwọn iyika ìṣiṣẹ́ tó pọ̀ sí i àti èyí tó ga jù. Ṣùgbọ́n, nígbà tí a bá yanjú ìṣòro ohun èlò SiC àti iṣẹ́ náà, ìgbẹ́kẹ̀lé ẹ̀rọ àti package yóò di kókó pàtàkì tó ń nípa lórí iṣẹ́ àwọn iyika ìṣọ̀kan SiC tó ní iwọ̀n otútù gíga.
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹjọ-23-2022