SiC интеграль схемасының тикшеренү статусы

Югары көчәнешле, югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы үзенчәлекләрне эзләүче S1C дискрет җайланмаларыннан аермалы буларак, SiC интеграль схемасының тикшеренү максаты, нигездә, акыллы көч интеграль схемалар белән идарә итү схемасы өчен югары температуралы цифрлы схема алу. Эчке электр кыры өчен SiC интеграль схемасы бик түбән булганлыктан, микротүтүкчәләр җитешсезлегенең йогынтысы шактый кими. Бу монолит SiC интеграль операцион көчәйткеч чипының беренче кисәге, чынбарлыкта әзер продукт һәм аның чыгышы микротүтүкчәләр җитешсезлегеннән күпкә югарырак, шуңа күрә SiC чыгыш моделенә нигезләнеп, Si һәм CaAs материалы ачыктан-ачык аерылып тора. Чип NMOSFET технологиясенә нигезләнгән. Төп сәбәп - кире каналлы SiC MOSFETларның нәтиҗәле йөртүче хәрәкәтчәнлеге бик түбән. Sic өслек хәрәкәтчәнлеген яхшырту өчен, Sic термик оксидлашу процессын яхшырту һәм оптимальләштерү кирәк.

Purdue университеты SiC интеграль схемалары өстендә күп эш башкарды. 1992 елда завод 6H-SIC NMOSFET монолитлы цифрлы интеграль схема нигезендә уңышлы эшләнде. Чипта капка түгел, яки капка түгел, капка яки капка түгел, икелек санагыч һәм ярты сумматор схемалары бар һәм алар 25°C - 300°C температура диапазонында дөрес эшли ала. 1995 елда ванадий инъекциясен изоляцияләү технологиясен кулланып беренче SiC яссы MESFET Icлары ясалды. Инъекцияләнгән ванадий күләмен төгәл контрольдә тоту аша изоляцияләүче SiC алырга мөмкин.

Цифрлы логик схемаларда CMOS схемалары NMOS схемаларына караганда җәлеп итүчәнрәк. 1996 елның сентябрендә беренче 6H-SIC CMOS цифрлы интеграль схемасы җитештерелде. Җайланма инъекцияләнгән N-тәртибе һәм утырту оксиды катламын куллана, ләкин башка процесс проблемалары аркасында чипның PMOSFET бусага көчәнеше бик югары. 1997 елның мартында икенче буын SiC CMOS схемасын җитештергәндә. P тозагын һәм термик үсеш оксиды катламын инъекцияләү технологиясе кулланыла. Процессны яхшырту юлы белән алынган PMOSEFTларның бусага көчәнеше якынча -4,5 В тәшкил итә. Чиптагы барлык схемалар да 300°C кадәр бүлмә температурасында яхшы эшли һәм 5тән 15 Вка кадәр булырга мөмкин булган бер электр чыганагы белән эшли.

Субстрат пластинасы сыйфаты яхшыру белән, күбрәк функциональ һәм югарырак нәтиҗәле интеграль схемалар ясалачак. Ләкин, SiC материалы һәм процесс проблемалары, нигездә, хәл ителгәч, җайланма һәм төргәкнең ышанычлылыгы югары температуралы SiC интеграль схемаларының эшчәнлегенә тәэсир итүче төп факторга әйләнәчәк.