Ke kūlana noiʻi o ka kaapuni hoʻohui SiC

ʻOkoʻa mai nā mea hana S1C discrete e alualu ana i nā ʻano voltage kiʻekiʻe, ka mana kiʻekiʻe, ke alapine kiʻekiʻe a me ke ʻano wela kiʻekiʻe, ʻo ka pahuhopu noiʻi o ka SiC integrated circuit ka mea nui e loaʻa ka circuit digital wela kiʻekiʻe no ka circuit control ICs mana akamai. Ma muli o ka haʻahaʻa loa o ka SiC integrated circuit no ke kahua uila kūloko, no laila e emi nui ka mana o ka hemahema microtubules, ʻo kēia ka ʻāpana mua o ka monolithic SiC integrated operational amplifier chip i hōʻoia ʻia, ʻo ka huahana i hoʻopau ʻia a hoʻoholo ʻia e ka hua he kiʻekiʻe loa ma mua o nā hemahema microtubules, no laila, ma muli o ke kumu hoʻohālike hua SiC a me nā mea Si a me CaAs he ʻokoʻa maopopo. Hoʻokumu ʻia ka chip ma ka ʻenehana depletion NMOSFET. ʻO ke kumu nui, ʻo ia ka haʻahaʻa loa o ka neʻe ʻana o ka mea lawe o nā SiC MOSFETs reverse channel. I mea e hoʻomaikaʻi ai i ka neʻe ʻana o ka ʻili o Sic, pono e hoʻomaikaʻi a hoʻonui i ke kaʻina hana oxidation thermal o Sic.

Ua hana nui ke Kulanui ʻo Purdue i nā hana ma nā kaapuni hoʻohui SiC. I ka makahiki 1992, ua hoʻomohala pono ʻia ka hale hana ma muli o ke kaapuni hoʻohui kikohoʻe monolithic 6H-SIC NMOSFETs o ke kahawai hoʻohuli. Loaʻa i ka chip ʻaʻole ka puka, a ʻaʻole ka puka, ma luna a i ʻole ka puka, ka helu binary, a me nā kaapuni half adder a hiki ke hana pono i ka pae mahana o 25°C a 300°C. I ka makahiki 1995, ua hana ʻia nā mokulele SiC mua ʻo MESFET Ics me ka hoʻohana ʻana i ka ʻenehana hoʻokaʻawale injection vanadium. Ma ka hoʻomalu pono ʻana i ka nui o ka vanadium i hoʻokomo ʻia, hiki ke loaʻa kahi SiC insulating.

I loko o nā kaapuni logic kikohoʻe, ʻoi aku ka hoihoi o nā kaapuni CMOS ma mua o nā kaapuni NMOS. I Kepakemapa 1996, ua hana ʻia ke kaapuni hoʻohui kikohoʻe 6H-SIC CMOS mua. Hoʻohana ka hāmeʻa i ka papa N-order a me ka papa deposition oxide i hoʻokomo ʻia, akā ma muli o nā pilikia kaʻina hana ʻē aʻe, ua kiʻekiʻe loa ke anawaena o ka chip PMOSFET. I Malaki 1997 i ka wā e hana ai i ka lua o ka hanauna SiC CMOS circuit. Ua hoʻohana ʻia ka ʻenehana o ka hoʻokomo ʻana i ka pahele P a me ka papa oxide ulu wela. ʻO ke anawaena o ka PMOSEFTs i loaʻa ma o ka hoʻomaikaʻi ʻana i ke kaʻina hana ma kahi o -4.5V. Hana maikaʻi nā kaapuni āpau ma ka chip ma ka mahana o ka lumi a hiki i 300°C a hoʻohana ʻia e kahi lako mana hoʻokahi, hiki ke lilo i kēlā me kēia wahi mai 5 a 15V.

Me ka hoʻomaikaʻi ʻana o ka maikaʻi o ka wafer substrate, e hana ʻia nā kaapuni hoʻohui ʻoi aku ka hana a me ka hua kiʻekiʻe. Eia nō naʻe, ke hoʻoponopono ʻia nā pilikia o ka mea SiC a me ke kaʻina hana, e lilo ka hilinaʻi o ka hāmeʻa a me ka pūʻolo i mea nui e hoʻopilikia ai i ka hana o nā kaapuni hoʻohui SiC kiʻekiʻe.