Tulaga o suʻesuʻega o le SiC integrated circuit

E ese mai masini S1C e tulituliloa uiga maualuga o le voltage, malosi maualuga, televave maualuga ma le vevela maualuga, o le sini autū o suʻesuʻega o le SiC integrated circuit o le mauaina lea o le eletise numera maualuga le vevela mo le matagaluega pulea o le IC atamai. Talu ai e matua maualalo lava le SiC integrated circuit mo le eletise i totonu, o lea o le a matua faaitiitia ai le aafiaga o le faaletonu o microtubules, o le vaega muamua lea o le monolithic SiC integrated operational amplifier chip na faamaonia, o le oloa maeʻa moni ma fuafuaina e le fua e sili atu le maualuga nai lo faaletonu o microtubules, o lea, e faavae i luga o le SiC yield model ma le Si ma le CaAs e manino lava le eseese. O le chip e faavae i luga o le tekinolosi NMOSFET o le faaitiitia. O le mafuaaga autu o le maualalo tele o le avefeau lelei o le reverse channel SiC MOSFETs. Ina ia faaleleia atili le fealuaʻi i luga o le Sic, e tatau ona faaleleia ma faaleleia atili le faagasologa o le oxidation o le Sic.

Ua tele galuega ua faia e le Iunivesite o Purdue i luga o matagaluega feso'ota'i SiC. I le 1992, na manuia ai le atina'eina o le falegaosimea e fa'avae i luga o le reverse channel 6H-SIC NMOSFETs monolithic digital integrated circuit. O lo'o iai i totonu o le chip ni matagaluega e leai ni faitoto'a, po'o le leai fo'i o faitoto'a, i luga po'o le faitoto'a, numera fa'atusatusa, ma matagaluega half adder ma e mafai ona fa'agaoioia lelei i le va o le vevela o le 25°C i le 300°C. I le 1995, na gaosia ai le uluai SiC plane MESFET Ics e fa'aaoga ai le tekinolosi vavae'ese vanadium injection. E ala i le pulea lelei o le aofa'i o le vanadium na tuiina, e mafai ona maua ai se SiC e fa'avevela ai.

I matagaluega fa'afuainumera fa'atekinolosi, e sili atu ona manaia matagaluega CMOS nai lo matagaluega NMOS. Ia Setema 1996, na gaosia ai le uluai matagaluega fa'afuainumera fa'afuainumera 6H-SIC CMOS. O le masini e fa'aaogaina le tui N-order ma le deposition oxide layer, ae ona o isi fa'afitauli o le fa'agasologa, ua maualuga tele le voltage threshold o le chip PMOSFETs. Ia Mati 1997 ina ua gaosia le matagaluega SiC CMOS o le tupulaga lona lua. Na fa'aaogaina le tekinolosi o le tui P trap ma le thermal growth oxide layer. O le voltage threshold o PMOSEFTs na maua e ala i le fa'aleleia atili o le fa'agasologa e tusa ma le -4.5V. O matagaluega uma i luga o le chip e galue lelei i le vevela o le potu e o'o atu i le 300°C ma e fa'amalosia e se sapalai eletise e tasi, lea e mafai ona i soo se mea mai le 5 i le 15V.

Faatasi ai ma le faaleleia atili o le tulaga lelei o le substrate wafer, o le a faia ai ni matagaluega tuufaatasi e sili atu ona aoga ma maualuga le fua faatatau. Peitai, a foia faafitauli o meafaitino ma faagasologa o le SiC, o le faatuatuaina o le masini ma le afifi o le a avea ma mea autu e aafia ai le faatinoga o matagaluega tuufaatasi SiC e maualuga le vevela.