Ýokary woltly, ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperatura häsiýetlerini yzarlaýan S1C diskret enjamlaryndan tapawutlylykda, SiC integral mikrosxemasynyň ylmy maksady, esasan, akylly güýç mikrosxemalarynyň dolandyryş zynjyry üçin ýokary temperaturaly sanly zynjyry almakdyr. Içki elektrik meýdany üçin SiC integral mikrosxemasy örän pes bolany üçin, mikrotubulalaryň kemçiliginiň täsiri ep-esli azalar, bu monolit SiC integral operasiýa güýçlendiriji çipiniň ilkinji bölegi barlandy, hakyky taýýar önüm we çykarylyş mikrotubulalaryň kemçiliklerinden has ýokary, şonuň üçin SiC çykarylyş modeline esaslanyp, Si we CaAs materialy aýdyň tapawutlanýar. Çip NMOSFET tehnologiýasyna esaslanýar. Esasy sebäp, ters kanally SiC MOSFET-leriň netijeli daşaýjy hereketliliginiň gaty pes bolmagydyr. Sic-iň ýüzleý hereketliligini gowulandyrmak üçin Sic-iň termal oksidlenme prosesini gowulandyrmak we optimizirlemek zerurdyr.
Purdue uniwersiteti SiC integral mikrosxemalary boýunça köp iş alyp bardy. 1992-nji ýylda zawod ters kanally 6H-SIC NMOSFET-leriň monolit sanly integral mikrosxemasyna esaslanyp üstünlikli işlenip düzüldi. Çipde derweze däl, derweze däl, derweze däl, on ýa-da derweze däl, ikilik hasaplaýjy we ýarym goşujy zynjyrlar bar we 25°C-den 300°C-e çenli temperatura aralygynda dogry işläp bilýär. 1995-nji ýylda ilkinji SiC tekiz MESFET Ic-leri wanadiý inýeksiýasy izolýasiýa tehnologiýasyny ulanmak bilen öndürildi. Inýeksiýa edilen wanadiýiň mukdaryny takyk gözegçilikde saklamak arkaly izolýasiýa SiC alnyp bilner.
Sanly logiki zynjyrlarda CMOS zynjyrlary NMOS zynjyrlaryndan has özüne çekiji. 1996-njy ýylyň sentýabr aýynda ilkinji 6H-SIC CMOS sanly integral zynjyry öndürildi. Enjam inýeksiýa edilen N-tertipli we çökündi oksid gatlagyny ulanýar, ýöne prosesiň beýleki meseleleri sebäpli çip PMOSFET-leriniň bosaga naprýaženiýesi gaty ýokary. 1997-nji ýylyň mart aýynda ikinji nesil SiC CMOS zynjyry öndürilende. P duzagyny we termal ösüş oksid gatlagyny inýeksiýa etmek tehnologiýasy kabul edildi. Prosesi kämilleşdirmek arkaly alnan PMOSEFT-leriň bosaga naprýaženiýesi takmynan -4.5V. Çipdäki ähli zynjyrlar otagyň temperaturasynda 300°C çenli gowy işleýär we 5-den 15V-a çenli bolup bilýän ýeke-täk elektrik çeşmesi bilen işleýär.
Substrat plastinasynyň hiliniň gowulanmagy bilen has işjeň we ýokary öndürijilikli integral mikroshemalar dörediler. Şeýle-de bolsa, SiC material we proses meseleleri esasan çözülende, enjamyň we gaplamanyň ygtybarlylygy ýokary temperaturaly SiC integral mikroshemalarynyň işine täsir edýän esasy faktora öwrüler.
Ýerleşdirilen wagty: 2022-nji ýylyň 23-nji awgusty