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Trè tecniche principali per a crescita di cristalli di SiC
Cum'è mostratu in a Fig. 3, ci sò trè tecniche dominanti chì miranu à furnisce un monocristallu SiC di alta qualità è efficienza: epitaxia in fase liquida (LPE), trasportu fisicu di vapore (PVT) è deposizione chimica di vapore à alta temperatura (HTCVD). PVT hè un prucessu ben stabilitu per a pruduzzione di SiC sin...Leghje di più -
Breve introduzione à u GaN di semiconduttori di terza generazione è à a tecnulugia epitassiale correlata
1. Semiconduttori di terza generazione A tecnulugia di semiconduttori di prima generazione hè stata sviluppata basendu si nantu à materiali semiconduttori cum'è Si è Ge. Hè a basa materiale per u sviluppu di transistor è di a tecnulugia di circuiti integrati. I materiali semiconduttori di prima generazione anu messu u...Leghje di più -
23,5 miliardi, u super unicornu di Suzhou si ne và à l'IPO
Dopu à 9 anni d'imprenditorialità, Innoscience hà raccoltu più di 6 miliardi di yuan in finanziamenti tutali, è a so valutazione hà righjuntu a stupente cifra di 23,5 miliardi di yuan. A lista di l'investitori hè longa quant'è decine di cumpagnie: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leghje di più -
Cumu i prudutti rivestiti di carburo di tantalu migliuranu a resistenza à a corrosione di i materiali?
U rivestimentu di carburo di tantalu hè una tecnulugia di trattamentu di superficia cumunemente aduprata chì pò migliurà significativamente a resistenza à a corrosione di i materiali. U rivestimentu di carburo di tantalu pò esse attaccatu à a superficia di u sustratu per mezu di diversi metudi di preparazione, cum'è a deposizione chimica di vapore, fisica...Leghje di più -
Introduzione à u GaN di semiconduttori di terza generazione è a tecnulugia epitassiale correlata
1. Semiconduttori di terza generazione A tecnulugia di semiconduttori di prima generazione hè stata sviluppata basendu si nantu à materiali semiconduttori cum'è Si è Ge. Hè a basa materiale per u sviluppu di transistor è di a tecnulugia di circuiti integrati. I materiali semiconduttori di prima generazione anu messu a f...Leghje di più -
Studiu di simulazione numerica nantu à l'effettu di a grafite porosa nantu à a crescita di cristalli di carburu di siliciu
U prucessu basicu di a crescita di i cristalli di SiC hè divisu in sublimazione è decomposizione di materie prime à alta temperatura, trasportu di sustanzi in fase gassosa sottu l'azione di u gradiente di temperatura, è crescita di ricristallizazione di sustanzi in fase gassosa à u cristallu di semente. Basatu annantu à questu, u...Leghje di più -
Tipi di grafite speciale
A grafite speciale hè un materiale di grafite di alta purezza, alta densità è alta resistenza è hà una eccellente resistenza à a corrosione, stabilità à alta temperatura è una grande conducibilità elettrica. Hè fatta di grafite naturale o artificiale dopu à un trattamentu termicu à alta temperatura è un trattamentu à alta pressione...Leghje di più -
Analisi di l'equipaggiu di deposizione di film sottili - i principii è l'applicazioni di l'equipaggiu PECVD/LPCVD/ALD
A deposizione di film sottile hè di rivestisce un stratu di film nantu à u materiale principale di u substratu di u semiconduttore. Stu film pò esse fattu di diversi materiali, cum'è u diossidu di siliciu cumpostu isolante, u polisiliciu semiconduttore, u rame metallicu, ecc. L'equipaggiu utilizatu per u rivestimentu hè chjamatu deposizione di film sottile...Leghje di più -
Materiali impurtanti chì determinanu a qualità di a crescita di u siliciu monocristallinu - campu termicu
U prucessu di crescita di u siliciu monocristallinu hè cumpletamente realizatu in u campu termicu. Un bon campu termicu hè favurevule à u miglioramentu di a qualità di i cristalli è hà una efficienza di cristallizazione più alta. U cuncepimentu di u campu termicu determina in larga misura i cambiamenti in i gradienti di temperatura...Leghje di più